深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室
- 作品数：26 被引量：109H指数：7
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- 一种基于碳纳米管场发射的发光二极管被引量：4
- 2004年
- 制作了一个基于碳纳米管场发射的发光二极管 ,实验结果表明 ,这种发光二极管驱动场强低 ,亮度高 ,能够满足常用显示器和发光管的亮度要求 。
- 田进寿许蓓蕾许蓓蕾周军兰王俊峰
- 关键词：边界元法碳纳米管发光二极管
- 交流彩色PDP CLEAR驱动方式的改进被引量：1
- 2003年
- 以CLEAR驱动方式为原型,通过增加内插灰度子场和抖动灰度子场,使等离子体显示器在显示相同灰度级时,需要的子场数目减少接近一半,从而在降低运动图像扰乱的同时,提高显示亮度,更加有利于具有较多显示行的高清晰度显示器的驱动。
- 许蓓蕾偰正才田进寿牛憨笨
- 关键词：PDP等离子体显示器动态伪轮廓高清晰度显示器
- 大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响被引量：16
- 2008年
- 由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度的变化情况.在输入电功率自加热效应的影响下,大功率GaN基LED等效串联电阻呈现出剧烈的变化,其阻值由低输入功率时的1.2Ω降低到0.9Ω,然后再升高到1.9Ω,等效串联电阻的功率耗散在输入功率中所占的比例也随着输入功率的增加迅速增加,最高时接近50%,成为大功率输入时影响LED流明效率的主要因素.
- 李炳乾刘玉华冯玉春
- 关键词：自加热等效串联电阻发光二极管
- 准分形光子晶体多频带隙的特性及其应用被引量：10
- 2005年
- 用时域有限差分方法计算了多种准分形结构光子晶体的能带 数值计算结果表明,这些结构的光子晶体存在多频带隙的特点,且带隙的宽度及中心频率以及带隙中导带的中心频率均随准分形光子晶体单胞内结构单元几何形状的改变而改变.
- 李岩郑瑞生郑瑞生冯玉春
- 关键词：光子晶体带隙分形滤波器
- 硅基氮化铝薄膜的AFM和XPS分析被引量：2
- 2007年
- 在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分。结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.3°。薄膜表面粗糙度为0.23 nm,表面均方根粗糙度为0.30 nm,z轴方向最高突起约3.25 nm。薄膜表面组分为Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al—N化合物,深度剥蚀分析表明获得的AlN薄膜接近其化学计量比。
- 刘文王质武杨清斗卫静婷
- 关键词：氮化铝直流磁控溅射X射线光电子能谱化学计量比
- Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触被引量：2
- 2005年
- 通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。
- 冯玉春张建宝朱军山杨建文胡加辉王文欣
- 关键词：欧姆接触
- 一种降低AC-PDP动态伪轮廓的子场排序法被引量：4
- 2004年
- 提出按照子场权重调制统计直方图对子场排序的方法,使排序后的子场具有最大限度的准延伸特性。仿真结果显示,此法能够良好地抑制动态伪轮廓,并且有助于克服单纯延伸编码显示灰度级不足的缺点。
- 许蓓蕾偰正才王俊锋牛憨笨
- 关键词：动态伪轮廓等离子体显示器
- 掺杂对液晶磁场弗里德里克斯转变影响的探讨被引量：1
- 2004年
- 采用相位延迟法 ,通过对分别掺入微量卟啉类物质、纤维蛋白质和双偶氮苯沿面排列 5CB液晶磁场弗里德里克斯转变的实验和数值计算 ,从实验和原理上探讨了微量掺杂对沿面排列 5CB液晶磁场弗里德里克斯转变的影响 .数值计算结果与实验相符 ,呈现两种转变过程 .研究表明 ,掺杂物的磁学性质不同、分子的形状和大小不同对液晶弗里德里克斯转变和弗里德里克斯转变阈值的影响不同 .进一步的掺杂 2 benzothiazolethiol_linkedporphyrinatozinc(Ⅱ )
- 林子扬项颖李涛
- 关键词：液晶掺杂纤维蛋白质磁场
- 稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用
- 介绍了稀土掺杂氮化镓(GaN：RE)的发光机理及其掺杂的方法(热扩散、离子注入和原位掺杂),对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评．综述了近年来国内外稀土掺杂 GaN 的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用...
- 王质武刘文张勇杨清斗卫静婷唐伟群张浩希
- 关键词：稀土氮化镓电致发光平板显示
- 文献传递
- 一种基于碳管场发射显示器结构分析被引量：9
- 2003年
- 用边界元法 (BEM )和MonteCarlo方法就一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的可行性进行了理论分析 ,通过模拟跟踪发射电子轨迹 ,证实设计的显示器结构能够满足高分辨率显示的要求 ,而且驱动电压低、工艺简单 ,尤其和日本Cannon公司的M .Okuda等人提出的表面传导型场发射显示器结构相比 。
- 田进寿李冀李冀许蓓蕾
- 关键词：边界元法MONTECARLO方法
