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北京工业大学应用物理系

作品数：184 被引量：400H指数：10
相关作者：黄骝陈纲李强何学东魏明更多>>
相关机构：兰州大学物理系河北师范大学物理科学与信息工程学院中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 160篇期刊文章
  • 14篇会议论文

领域

  • 87篇理学
  • 73篇电子电信
  • 20篇机械工程
  • 8篇一般工业技术
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 1篇生物学
  • 1篇天文地球
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 38篇晶体
  • 37篇激光
  • 23篇激光器
  • 20篇光学
  • 15篇散射
  • 12篇量子
  • 11篇脉冲
  • 11篇参量
  • 10篇全息
  • 9篇光谱
  • 8篇电光
  • 8篇全息存储
  • 8篇相位匹配
  • 8篇光参量
  • 8篇非线性光学
  • 7篇调谐
  • 7篇折变
  • 7篇声光
  • 7篇光折变
  • 6篇光束

机构

  • 174篇北京工业大学
  • 12篇兰州大学
  • 10篇中国科学院
  • 9篇河北师范大学
  • 5篇南开大学
  • 4篇贵州大学
  • 2篇华北光电技术...
  • 2篇中国人民解放...
  • 2篇中国科学技术...
  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇北京大学
  • 1篇北京建筑工程...
  • 1篇北京物资学院
  • 1篇清华大学
  • 1篇首都医科大学
  • 1篇湛江师范学院
  • 1篇天津理工学院
  • 1篇河南师范大学
  • 1篇路易斯维尔大...
  • 1篇香港中文大学

作者

  • 26篇陈光华
  • 26篇王丽
  • 23篇黄骝
  • 20篇蒋毅坚
  • 18篇李子平
  • 12篇严辉
  • 12篇张少军
  • 10篇何士雅
  • 10篇李延廷
  • 9篇俞宽新
  • 9篇徐敏
  • 9篇刘玉龙
  • 8篇刘国庆
  • 8篇赵启大
  • 8篇江竹青
  • 7篇曾令祉
  • 6篇白晓东
  • 6篇殷宝璐
  • 6篇邹云娟
  • 6篇贺德衍

传媒

  • 25篇北京工业大学...
  • 13篇物理学报
  • 9篇光学学报
  • 8篇高能物理与核...
  • 8篇中国激光
  • 8篇光散射学报
  • 7篇Journa...
  • 7篇激光杂志
  • 6篇激光技术
  • 5篇量子电子学报
  • 5篇无机材料学报
  • 5篇人工晶体学报
  • 5篇激光与红外
  • 4篇光电子．激光
  • 3篇科学通报
  • 3篇应用激光
  • 3篇第二届海内外...
  • 3篇中国光学学会...
  • 3篇中国光学学会...
  • 2篇电视技术

年份

  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 5篇2005
  • 11篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2002
  • 13篇2001
  • 32篇2000
  • 25篇1999
  • 10篇1998
  • 20篇1997
  • 12篇1996
  • 7篇1995
  • 6篇1994
  • 5篇1993
  • 12篇1992
  • 4篇1991
  • 2篇1990
共 184 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型半导体薄膜材料的制备、结构和特性研究
1999年
主要介绍了研究所近２０ 年来在新型薄膜半导体材料的制备、结构及特性研究方面所取得的成就，尤其是对非晶硅碳和非晶硅锗（ ａ  Ｓｉ Ｃ∶ Ｈ 和ａ  Ｓｉ Ｇｅ∶ Ｈ）薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼（ ｃ  Ｂ Ｎ）薄膜、β Ｃ３ Ｎ４ 薄膜和富勒烯薄膜的研究工作取得了重要成果，不少工作已达到国际先进水平，发表论文３００
陈光华
关键词：半导体薄膜立方氮化硼薄膜非晶硅
氮生长掺杂和离子注入掺杂CVD金刚石薄膜的场电子发射被引量：3
1999年
本文研究了氮生长掺杂和离子注入掺杂金刚石薄膜的场电子发射性能．测试结果表明，两类样品均显示良好的发射性能，即开启电压低（５０～１５０Ｖ）、发射电流大（６～３０ｍ Ａ），但它们有不同的发射行为：注入掺杂样品存在发射电流的饱和与滞后、开启电压的前移现象，而生长掺杂样品的发射符合Ｆｏｗ ｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ 理论．实验还得到了用于生长场发射阴极薄膜的最佳掺杂氮碳流量比为～４２％ ．
邵乐喜谢二庆路永刚贺德衍陈光华
关键词：金刚石薄膜掺杂离子注入场电子发射
大功率激光光束光斑参数的测量被引量：12
2000年
本文针对激光加工大功率激光光束光斑质量诊断的要求 ,对热电探测器的响应时间、增益和信噪进行了分析 ,设计了一种新的光电转换电路 ,实现了对大功率激光功率分布的检测。此光电转换电路适于采用热释电探测器需快速响应。
李强雷訇左铁钏
关键词：大功率激光热电探测器光束光斑
半导体异质结构中的极化子理论研究
2001年
刘自信楚兴丽刘亚秦志杰
关键词：变分法
纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理被引量：6
1997年
用射频（RF）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜（nc－Ge／SiO2），观察到了多峰的光致发光现象，发现随着激发光波长的增长，多峰发光谱的最强峰向低能方向移动，但是各子峰的位置不发生改变，而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致．X射线光电子能谱（XPS）分析显示膜中不存在纳米晶硅成分，表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。
许怀哲朱美芳侯伯元陈光华马智训陈培毅
关键词：二氧化硅
二维声电光效应的耦合波方程理论被引量：6
2000年
按照参量互作用的观点推出二维声电光效应的耦合波方程,并给出二维声电光效应的衍射效率计算公式。
俞宽新何士雅赵启大顾志坚
关键词：声光效应电光效应耦合波方程
CVD金刚石膜用作TaN_2热敏打印头表面保护层的研究
1996年
报道了用微波等离子体化学气相淀积（MWCVD）技术在TaN2电阻材料上淀积高质量金刚石薄膜的制备工艺，以及扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、压痕测试的测试结果。探讨了提高金刚石膜在非金刚石衬底成核密度与粘附性的实验方法，从实验上证实了CVD金刚石膜可以用作TaN2热敏打印头表面保护层。
姚江宏彭军王志勇陈光华
关键词：金刚石薄膜化学气相淀积热敏打印头
反射式驻波声光调制器输入阻抗和电带宽的探讨
1992年
根据mason等效电路及传输线理论,推导出反射式驻波声光调制器的输入阻抗和电带宽,并由此启发我们对加工工艺提出合理要求。
陈檬姚煜球殷宝璐
关键词：声光调制器驻波电学特性阻抗
热丝辅助射频CVDC<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜（英文）被引量：1
2000年
采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积 (CVD)方法直接在Si(10 0 )衬底上制备了多晶C3N4 薄膜。X射线衍射 (XRD)测试表明薄膜同时含有α C3N4 和 β C3N4 晶相以及未知结构。傅立叶变换红外吸收谱 (FTIR)表明薄膜内的C—N ,CN和CN键的吸收峰分别位于 12 37,16 2 5和2 191cm- 1。利用扫描电子显微镜 (SEM)观测到线度约为 2 μm、横截面为六边形的 β C3N4 晶粒。纳米压痕法测得薄膜的硬度最高可达 72 .6 6GPa。
吴现成贺德衍王博严辉陈光华
关键词：化学气相沉积氮化碳薄膜X射线衍射扫描电镜
全文增补中
非线性光学晶体CsLiB_6O_(10)特性的研究进展
2005年
综述了国内外对非线性光学晶体CsLiB6O10的理论和实验工作。围绕着CsLiB6O10在频率变换过程中的相位区配角、有效非线性系数、允许参量范围和谐波转换效率等性能进行了阐述,从而进一步说明了CsLiB6O10是一种优质的高功率紫外光学晶体。
毛丽琴王丽
关键词：非线性光学晶体有效非线性系数高功率
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