西安理工大学现代分析测试中心
- 作品数：15 被引量：12H指数：2
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- 相关机构：攀枝花学院生物与化学工程学院西安交通大学机械工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学电气工程更多>>
- 磁控溅射C/W纳米多层膜的微观结构分析
- 2010年
- 利用非平衡磁控溅射离子镀技术以纯钨靶和纯石墨靶作为溅射源制备了C/W纳米多层膜。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜相组成及其微观组织结构进行了分析。结果表明:W含量约为9 at.%的C/W薄膜具有周期厚度约为6.5 nm的多层结构;沉积的W元素不以单质态存在,而是与碳元素反应生成了WC纳米晶;薄膜中的碳为非晶态,碳主要以sp2键类石墨态存在。
- 陈迪春蒋百灵时惠英付杨洪
- 关键词：磁控溅射TEMXPS
- 过渡层(SiO_2,TiO_2)对F掺杂SnO_2薄膜的光电性能影响研究被引量：2
- 2015年
- 采用喷雾热解法分别在普通钠钙玻璃、含Si O2过渡层与Ti O2过渡层的玻璃上制备了F掺杂Sn O2薄膜,比较了不同过渡层上生长的F掺杂Sn O2薄膜的表面形貌特点,分析了过渡层对F掺杂Sn O2膜层的光电性能的影响。结果表明,过渡层种类对F掺杂Sn O2薄膜各项性能影响很大,在Si O2薄膜过渡层上制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最小且表面致密,在Ti O2过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最大,在玻璃上生长的F掺杂Sn O2薄膜较为疏松,以Si O2为过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为82.9%,电阻率为5.33×10-4Ω·cm,适合喷雾热解法制备性能优良的玻璃基F掺杂Sn O2薄膜。
- 高赟赵高扬任洋
- 关键词：喷雾热解过渡层光电性能
- 锆钛酸铅镧/钇钡铜氧异质结光电特性及交互作用研究
- 在LaAlO3基板上采用脉冲激光沉积法制备了具有界面共格特性的Pb0.92La0.08(Zr0.48Ti0.52)O3/YBa2Cu3O7-x(PLZT/YBCO)异质结构,采用主波长为365nm的紫外光对该异质结构进行...
- 贾纪强李建敏贺海燕贺阳高建华赵高扬
- 关键词：钇钡铜氧铁电性超导能隙
- 溶胶-凝胶法制备Co1-xZnxFe2O4薄膜及其磁性能研究
- 以硝酸钴、乙酸锌和硝酸铁为原料,利用溶胶-凝胶法在单晶硅上制备了CoZnFeO铁氧体薄膜。制备出的CoZnFeO薄膜为尖晶石结构,表面比较致密,平均晶粒尺寸为50nm左右当。当x=0.3时饱和磁化强度和剩余磁化强度均最大...
- 严富学赵高扬刘和光
- 关键词：铁氧体溶胶-凝胶法磁性能
- 文献传递
- Zn^(2+)掺杂的YBCO薄膜的超导性能研究被引量：2
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶法在LaAlO3(LAO)单晶衬底上制备了Zn2+掺杂的YBCO薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以及标准四引线法分别研究了Zn2+掺杂的YBCO薄膜的微观结构、生长取向以及超导性能。结果表明,随Zn2+掺杂浓度的增大薄膜的临界电流密度提高,而临界转变温度下降、临界转变温区变宽;但当掺杂量>0.5%(摩尔分数)时,会影响YBCO的c轴取向生长,导致超导性能变差。通过优化掺杂比例后得到Zn2+掺杂0.5%(摩尔分数)的YBCO薄膜具有最好的综合超导性能,其TC为91.3K,ΔT为1.1K,Jc约为1.54MA/cm2(77K,0T)。
- 雷黎赵高扬徐慧
- 关键词：YBCO薄膜溶胶-凝胶法超导性能
- 图案化In_(2)O_(3):Sn薄膜制备及显影剂对图案制备的影响研究被引量：1
- 2021年
- 功能薄膜的图案化是微电子加工中不可或缺的工序,目前已经成为制约我国微型化集成电路发展的关键因素。本研究以制备低成本且高质量的图案化In_(2)O_(3):Sn薄膜为目的,摒弃常规且工艺复杂的干法刻蚀或湿法刻蚀的研究思路,转而向一种化学修饰的溶胶凝胶技术探索。利用化学修饰后的纳米级溶质颗粒的紫外感光特性,以及曝光前后溶质颗粒在有机溶剂中发生的溶解度变化,通过溶胶凝胶工艺成膜,后经曝光、显影、热处理等工序,形成图案化的In_(2)O_(3):Sn薄膜。重点探索了显影剂配方对薄膜图案制备的影响规律。该方法去除了包含光刻胶制备、剥离以及刻蚀等一系列复杂工序,薄膜图案化制备简单且质量较高,是一种新的值得继续探究并广泛推广的薄膜图案化技术。
- 任洋任洋赵高扬赵高扬
- 关键词：ITO薄膜图案化溶胶-凝胶法显影剂
- TiNiCu合金薄膜的制备及形状记忆性能被引量：1
- 2006年
- 采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49．57％Ni-5．6％Cu合金薄膜。XRD图谱表明,该薄膜为非晶态。对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现:薄膜分别经550℃×0．5 h、650℃×0．5 h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180 MPa、2．7％;90 MPa、1．4％。
- 卞铁荣李虹艳卢正欣高坤井晓天
- 关键词：硅基片直流磁控溅射非晶态晶化形状记忆
- 溶胶-凝胶法制备钴铁氧体薄膜及温度对其磁性的影响被引量：2
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法在单晶硅上制备了钴铁氧体薄膜。在不同温度下对样品进行了退火处理,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM)等分析了样品的物相组成、晶粒大小、表面形貌、样品厚度及不同温度下的磁性能。结果表明:制备出的CoFe2O4薄膜为尖晶石结构,表面比较致密,平均晶粒尺寸20～50 nm。在173～400 K范围内,随着温度的升高,钴铁氧体薄膜的矫顽磁场逐步减小,而磁矩是先增加后减少,并对产生的原因进行了分析。
- 严富学赵高扬刘和光
- 关键词：铁氧体溶胶-凝胶法磁性能
- 一种简单通用制备纳米羟基磷灰石的方法被引量：2
- 2011年
- 详细介绍了如何在普通的实验条件下获得纳米羟基磷灰石的方法。采用化学沉淀法以Ca(H2PO4)2.H2O和Ca(OH)2为原料,聚丙烯酸纳为稳定剂,磁力搅拌器搅拌并辅以超声波作用,通过X射线衍射、透射电镜及细胞共培养评价所制备的材料。结果成功地制备了羟基磷灰石纳米粒子,粒径20～50nm,形貌呈细针状,集成羽毛状均匀分布,羽毛根部宽约20～30nm;并且这些纳米粒子与细胞的共培养效果良好。
- 卞铁荣陈庄陈枫卢正欣
- 关键词：化学沉淀法纳米羟基磷灰石生物活性
- 溶胶-凝胶法制备钴铁氧体薄膜及温度对其磁性的影响
- @@按比例称取适量的Co(N03)2.6H20和Fe(N03)3.9H20，溶解于乙二醇甲醚中，然后放到磁力加热搅拌器上在30℃条件下搅拌30 min，再加入适量的乙酸酐脱水，少许乙醇胺增加溶液粘稠度，然后再将溶液放到磁...
- 严富学赵高扬刘和光
- 关键词：溶胶-凝胶法温度磁性
- 文献传递
