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贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所: 作品数：77 被引量：81H指数：4; 相关作者：房迪金浩唐华杰更多>>; 相关机构：贵州师范大学物理与电子科学学院湖南大学信息科学与工程学院中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金贵州省自然科学基金留学人员科技活动项目择优资助经费更多>>; 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>

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Co元素掺杂CrSi2的第一性原理计算被引量：1: 2020年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Co掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。结果表明,掺杂后的CrSi2晶格常数无明显变化,禁带宽度增大。由于Co元素3d电子的影响,在费米能级附近出现了杂质能级。掺杂后的CrSi2复介电函数虚部在低能方向发生红移,在小于1.20 eV,大于2.41 eV的能量范围内光跃迁强度增强。吸收系数的主峰向高能方向移动,峰值增大,在小于1.38 eV,大于3.30 eV的能量范围改善了CrSi2对红外光子的吸收。光电导率的主峰向高能方向移动,在小于1.16 eV,大于2.36 eV的能量范围内光电导率增强,说明掺杂Co元素后改善了CrSi2特别是红外光区的光电性质,计算结果为CrSi2光电器件的研究制造提供了理论依据。; 秦铭哲肖清泉何安娜周士芸冯磊; 关键词：第一性原理掺杂电子结构光学性质

Cr掺杂以及Mo和Cr双掺Mn_(4)Si_(7)的第一性原理计算: 2021年; 采用基于密度泛函理论中第一性原理的赝势平面波法,分别对本征Mn_(4)Si_(7)、Cr掺杂Mn_(4)Si_(7)以及Cr和Mo双掺Mn_(4)Si_(7)的电子结构及光学性质进行了计算和分析.计算结果表明本征Mn_(4)Si_(7)禁带宽度为E g=0.813 eV,Cr掺杂Mn_(4)Si_(7)禁带宽度为E g=0.730 eV,Cr和Mo双掺Mn_(4)Si_(7)禁带宽度为E g=0.620 eV,均为间接带隙半导体、p型掺杂.此外,在低能区掺杂体系的介电函数、折射率、消光系数、吸收系数以及光电导率均强于本征Mn_(4)Si_(7),表明Cr掺杂Mn_(4)Si_(7)以及Cr和Mo双掺Mn_(4)Si_(7)有运用于红外光电子器件的巨大潜力.; 杨顺吉张晋敏谢杰冯磊贺腾; 关键词：掺杂第一性原理光学性质

石墨和石墨烯填充导电硅橡胶的拉敏特性研究被引量：6: 2015年; 以107室温硫化硅橡胶作为橡胶基体,石墨和石墨烯纳米薄片为导电填料,用常温加压固化的方法制备出导电硅橡胶。研究了石墨含量及拉力对导电硅橡胶电阻的影响以及填充石墨烯对导电硅橡胶导电性能的影响。结果表明：仅添加石墨,且石墨质量分数为41.2%时,拉敏性能最佳;在导电填料总含量为质量分数35.5%-41.2%时,添加0.04 g石墨烯能有效改善其导电性能,但拉力敏感性降低。; 牟雪婷谢泉肖清泉郭笑天熊锡成; 关键词：石墨石墨烯导电硅橡胶电阻

二维缺陷GaAs电子结构和光学性质第一性原理研究被引量：2: 2018年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了存在Ga空位缺陷和掺杂B原子的二维GaAs的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明空位缺陷二维GaAs显示出金属特性,B原子的引入使体系变为间接带隙半导体,禁带宽度为0.35 eV.态密度计算发现体系低能带主要由Ga的s态、p态、d态和As的s态、p态构成;高能带主要由Ga和As的s态、p态构成.掺杂B原子与存在空位缺陷的二维GaAs相比,静态介电常数相对较低,变为8.42,且易于吸收紫外光,在3.90～8.63 eV能量范围具有金属反射特性,反射率达到52%.; 褚玉金张晋敏陈瑞田泽安谢泉; 关键词：B掺杂第一性原理光学性质

过渡金属原子X(X=Mn、Fe、Co)掺杂单层Janus WSSe的第一性原理研究被引量：1: 2023年; 二维Janus WSSe作为一种新兴的过渡金属硫族化合物(TMDs)材料,由于其打破了面外镜像对称性,且具有内在垂直压电和强Rashba自旋轨道耦合效应等丰富的物理特性,在自旋电子器件中具有巨大的应用潜力。本文基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算了过渡金属原子X(X=Mn、Fe、Co)掺杂单层Janus WSSe的电子结构、磁性和光学性质。结果表明:在Chalcogen-rich(硫族元素为多数元素)条件下的掺杂比在W-rich(钨元素为多数元素)条件下的掺杂展现出更高的稳定性,且掺杂后所有体系均表现出磁性。值得一提的是,对该体系进行Mn掺杂后,自旋向上通道出现杂质能级,WSSe由原来的非磁性半导体转变成磁矩为1.043μ_(B)的铁磁性半金属。而Fe、Co的掺杂使得自旋向上通道和自旋向下通道均出现杂质能级,呈现出磁矩分别为1.584μ_(B)、2.739μ_(B)的金属性。此外,掺杂体系的静态介电常数都显著增加,极化程度增强,且介电函数虚部和光吸收峰都发生了红移,说明掺杂有利于对可见光的吸收。; 安梦雅谢泉钱国林梁前陈蓉张和森王远帆; 关键词：第一性原理光学性质

Al掺杂Mg2 Ge光电性质的第一性原理计算被引量：5: 2020年; 应用密度泛函理论框架下的第一性原理超软赝势平面波方法系统地计算了不同Al掺杂浓度下Mg 2 Ge的电子结构及光学性质.建立了四种Mg 2-x Al x Ge(x=0,0.125,0.25,0.5)的掺杂模型,计算结果表示Al掺杂后的Mg 2 Ge,费米能级进入导带,呈现出n型导电特性,掺杂后本征Mg 2 Ge费米能级附近的导带架构发生了改变,变为主要由Al的3p态电子、Ge的4s态电子和Mg的3s、3p态电子组成;静介电常数ε1(0)和折射率n 0均增大;吸收光谱发生红移,吸收系数最大值略微减小;光电导率峰值在x=0.125时取得极大值;能量损失函数发生蓝移且x=0.125时蓝移现象最为明显.; 姚秋原谢泉周卢玉余宏侯亮亮; 关键词：第一性原理电子结构光电性质 AL掺杂

压强对液态InGaAs快速凝固过程中微观结构变化的影响被引量：2: 2017年; 采用分子动力学方法模拟不同压强下液态InGaAs的快速凝固过程,并采用径向分布函数、键角分布函数、配位数统计以及可视化等方法,从微观结构的不同层面分析了压强对凝固过程微观结构的影响机制.结果表明:对于InGaAs体系,压强对最近邻和次近邻的原子排布都有影响,但对次近邻原子排列的影响更为明显,通过次近邻原子键角的调整,使得原子排列更加紧密,体系的短程有序度增强.在原子的配位数结构上,随着压强的增加,部分三配位向四配位发生转变,从而使整个体系达到致密的结构.; 何帆张晋敏高廷红梁永超田泽安郭笑天卢顺顺陈庆谢泉; 关键词：分子动力学模拟快速凝固过程微观结构

Lu-Eu共掺杂Ga_(2)O_(3)的光电性质的第一性原理计算: 2024年; 宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)因为具有优良的物理化学性能而成为研究热点.本文基于DFT(Density Functional Theory)的第一性原理方法,先采用PBE(Perdew-Burke-Ernzerhof)中的GGA(Generalized Gradient Approximation)和GGA+U(Generalized Gradient Approximation-Hubbard U)的方法计算了本征β-Ga_(2)O_(3),Lu掺杂浓度为12.5%的β-Ga_(2)O_(3)及Lu-Eu共掺杂浓度为25%的β-Ga_(2)O_(3)结构的晶格常数、能带结构和体系总能量.发现采用GGA+U的方法计算的带隙值更接近实验值,于是采用GGA+U的方法计算了本征β-Ga_(2)O_(3),Lu掺杂的β-Ga_(2)O_(3)以及Lu-Eu共掺杂的β-Ga_(2)O_(3)结构的能态总密度、介电函数、吸收谱以及反射率等.由计算结果得知β-Ga_(2)O_(3)的带隙为4.24 eV,Lu掺杂浓度为12.5%的β-Ga_(2)O_(3)的带隙为2.23 eV,Lu-Eu共掺杂浓度为25%的β-Ga_(2)O_(3)的带隙为0.9 eV,均为直接带隙半导体,掺杂并未改变β-Ga_(2)O_(3)的带隙方式.光学性质计算结果表明在低能区掺杂浓度为12.5%的Lu和Lu-Eu共掺杂浓度为25%的β-Ga_(2)O_(3)的吸收系数和反射率均强于本征β-Ga_(2)O_(3),Lu-Eu掺杂β-Ga_(2)O_(3)的吸收系数和反射率又略强于Lu掺杂β-Ga_(2)O_(3),表明Lu-Eu掺杂β-Ga_(2)O_(3)的材料有望应用于制备红外光电子器件.; 邹梦真肖清泉姚云美付莎莎叶建峰唐华著谢泉; 关键词：第一性原理

椭圆偏振研究溅射气压对锰膜光学性质的影响被引量：1: 2015年; 采用射频磁控溅射技术在Si(111)基片上制备金属锰膜,用椭圆偏振光谱在2.0~4.0 e V光子能量范围内研究了溅射压强对锰膜光学性质的影响.分别用德鲁得-洛伦兹模型以及有效介质模型对椭偏参数进行拟合,结果表明随压强增大薄膜致密度先增大后减少;折射率随压强增大先减少后增大;而消光系数随压强的变化与光子能量有关,在低能量区变化复杂,高能量区随压强增加与折射率规律一致.分析表明上述变化与薄膜的致密度密切相关.; 唐华杰张晋敏金浩邵飞胡维前谢泉; 关键词：射频溅射溅射气压椭偏光谱

掺杂对高锰硅化合物热电性质的影响: 2015年; 高锰硅化合物是一种环境友好型热电材料．是目前新技术领域的重点材料之一。然而为了提高其热电性能，目前许多研究者采用各种元素掺杂制备高猛硅化合物．并研究对其热电性质的影响，且在此方面已经获得相应的研究成果。文章对掺杂元素影响高锰硅化合物热电性质的物理机制进行了简单分析，总结了各位学者对掺杂元素制备的高锰硅化合物的热电性质探究。研究表明，掺杂会使高锰硅材料的电导率、热导率减小，赛贝克系数增大，进而增大其功率因子，提高热电优值，改善热电性质。; 吴宏仙张晋敏房迪谢泉; 关键词：热电材料掺杂热电性质

贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所

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