您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇压敏
  • 4篇压敏陶瓷
  • 4篇陶瓷
  • 4篇纳米
  • 4篇晶粒
  • 4篇晶粒生长
  • 3篇氧化锌
  • 3篇纳米氧化锌
  • 2篇氧化锌压敏陶...
  • 1篇电子技术
  • 1篇电子陷阱
  • 1篇电阻
  • 1篇压敏电阻
  • 1篇液相烧结
  • 1篇烧结温度
  • 1篇热压
  • 1篇热压烧结
  • 1篇温度特性
  • 1篇纳米粉
  • 1篇纳米粉体

机构

  • 5篇南京航空航天...

作者

  • 5篇侯清健
  • 4篇徐国跃
  • 3篇魏静
  • 2篇徐晶
  • 1篇唐敏
  • 1篇赵毅
  • 1篇凌栋

传媒

  • 1篇电瓷避雷器
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2005
  • 3篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
纳米复合ZnO粉体烧结过程晶粒生长的分析被引量:5
2005年
根据ZnO晶粒生长动力学方程,确定了晶粒生长的动力学指数和激活能,研究了纳米复合ZnO粉体的烧结过程以及烧结过程中的晶粒生长规律。实验结果表明:由纳米复合ZnO粉体制备的陶瓷,其晶粒生长动力学指数n为3,激活能Q为(185±26)kJ/mol。与微米粉体相比,纳米复合ZnO粉体的晶粒生长动力学指数和激活能都比较小,因此液相烧结的温度低,晶粒生长速度加快。
侯清健徐国跃凌栋魏静
关键词:电子技术纳米氧化锌压敏陶瓷晶粒生长液相烧结
多元纳米复合氧化锌压敏陶瓷的晶粒生长
研究了多元纳米复合ZnO电压敏粉体在高温下的烧结行为。应用晶粒生长的动力学方程Gn-G0n=K0texp(-Q/RT),确定了晶粒生长的动力学指数n和激活能Q。实验结果表明,随着烧结温度的提高和保温时间的延长,ZnO压敏...
侯清健徐国跃魏静徐晶
关键词:纳米氧化锌压敏陶瓷晶粒生长
文献传递
纳米复合ZnO粉体的晶粒生长及其陶瓷电子陷阱的研究
ZnO压敏电阻因其优异的Ⅰ-Ⅴ非线性和较高的浪涌吸收能力而广泛应用在电子、电力设备和系统上.同时近年来纳米材料在各个方面的应用取得重大进展.鉴于这两方面的发展需要,本课题探讨了复合纳米ZnO粉体在压敏电阻上的应用.本文首...
侯清健
关键词:压敏电阻纳米粉体热压烧结晶粒生长电子陷阱温度特性
文献传递
烧结温度和热处理对ZnO压敏陶瓷的影响被引量:10
2004年
首次提出用"微观网络"的分析方法来研究ZnO压敏陶瓷的相结构和电性能,并对其"微观网络"中的两个节点即烧结温度和热处理温度进行研究,结果显示:随着烧结温度的升高,ZnO压敏陶瓷的压敏电压不断下降,非线性系数则不断提高,至1250℃达到最大值。这主要与晶粒的大小、均匀度以及晶界势垒的高度有关。对于热处理温度,研究结果表明:在600℃下的热处理能大大提高ZnO压敏陶瓷的稳定性。通过对"微观网络"中烧结温度和热处理温度的研究,可以确定较佳的工艺参数。
侯清健徐国跃赵毅唐敏
关键词:ZNO压敏陶瓷烧结温度
多元纳米复合氧化锌压敏陶瓷的晶粒生长
2004年
研究了多元纳米复合ZnO电压敏粉体在高温下的烧结行为.应用晶粒生长的动力学方程Gn-G0=K0texp(-Q/RT),确定了晶粒生长的动力学指数n和激活能Q.实验结果表明,随着烧结温度的提高和保温时间的延长,ZnO压敏陶瓷的晶粒不断长大,其动力学指数n=3.2,激活能Q=(185±28)kJ/mol.
侯清健徐国跃魏静徐晶
关键词:纳米氧化锌压敏陶瓷晶粒生长
共1页<1>
聚类工具0