周孝好
- 作品数：34 被引量：70H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 势垒级联量子阱红外探测器
- 本实用新型公开了一种势垒级联量子阱红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本专利采用了级联隧穿结构，在低温状态下，在红外...
- 李宁李梁廖开升景友亮李志锋甄红楼周孝好王文娟陆卫
- As钝化Si(211)表面上Cd、Te原子行为的第一性原理研究被引量：1
- 2005年
- 文章采用基于密度泛函理论的CASTEP计算软件模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步探讨。同时,对Te、Cd在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究。计算结果表明,单个Cd或Te原子都可以稳定地吸附在清洁表面,但在As钝化表面,难以在钝化区域吸附生长。
- 黄燕周孝好孙立忠段鹤陈效双陆卫
- 关键词：碲镉汞钝化
- 等离激元微腔耦合长波红外量子阱高消光比偏振探测器(特邀)被引量：1
- 2021年
- 长波红外偏振探测器能够大幅提升对热成像目标的识别能力。受制于衍射极限的物理限制,目前的微线栅偏振片型长波红外偏振探测器的偏振消光比基本上只能做到最高10∶1左右。文中采用金属/介质/金属的等离激元微腔结构,将量子阱红外探测激活层相嵌在微腔之中。由于上、下金属之间的近场耦合形成了在双层金属区域的横向法布里-珀罗共振模式,构成等离激元微腔。文中利用微腔的模式选择特性及其与量子阱子带间跃迁的共振耦合,将量子阱子带跃迁不能直接吸收的垂直入射光耦合进入等离激元微腔并转变为横向传播,从而能够被量子阱子带吸收,实现了在长波红外13.5μm探测波长附近偏振消光比大于100∶1的结果。相关工作为发展我国高消光比长波红外偏振成像焦平面提供了全新的物理基础和技术路径。
- 李志锋李倩景友亮周玉伟周靖陈平平周孝好李宁陈效双陆卫
- 关键词：等离激元微腔长波红外量子阱红外探测器偏振消光比
- 砷化铟纳米线的制备方法以及砷化铟纳米线
- 本公开提供一种砷化铟纳米线的制备方法以及砷化铟纳米线，涉及半导体技术领域。制备方法包括：提供一石墨烯/锗复合衬底；氧化衬底；在衬底覆盖石墨烯的表面沉积金薄膜；调节反应温度至第一温度，以便金薄膜形成金液滴；以金液滴为催化剂...
- 张燕辉霍子帆唐舟范柳燕周孝好陈平平陆卫
- 基于铁电场效应管结构的二维半导体光电探测器
- 王建禄王旭东王鹏胡伟达周孝好孙璟兰孟祥建陈效双陆卫褚君浩
- 掺杂对金属-MoS2界面性质调制的第一性原理研究被引量：5
- 2017年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了卤族元素掺杂对金属-MoS_2界面性质的影响,包括缺陷形成能、电子能带结构、差分电荷密度以及电荷布居分布.计算结果表明:卤族元素原子倾向于占据单层MoS_2表面的S原子位置;对于单层MoS_2而言,卤族元素的掺杂将在禁带中引入杂质能级以及导致费米能级位置的移动.对于金属-MoS_2界面体系,结合Schottky-Mott模型,证明了卤族元素的掺杂可以有效地调制金属-MoS_2界面间的肖特基势垒高度.发现F和Cl原子的掺杂将会降低体系的肖特基势垒高度.相比之下,Br和I原子的掺杂却增大了体系的肖特基势垒高度.通过差分电荷密度和布居分布的分析,阐明了肖特基势垒高度的被调制是因为电荷转移形成的界面偶极矩的作用导致.研究结果解释了相关实验现象,并给二维材料的器件化应用提供了调节手段.
- 陶鹏程黄燕周孝好陈效双陆卫
- 关键词：肖特基势垒二硫化钼掺杂密度泛函理论
- 一种表面等离激元耦合的新型双色红外量子级联探测器
- 我们提出了一种新型的双色红外光电探测器,其由量子级联探测器(QCD)和表面等离激元耦合光栅结合而成.本文中的量子级联探测器对两个波段敏感,分别为5.5 μm和8.3μm,通过附加表面等离激元耦合光栅,可以分别对两个敏感波...
- 李梁李宁周孝好陈平平陆卫
- Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法
- 本发明公开了一种Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法，在MBE生长室生长纳米线过程中引入Bi元素作为活性剂，减小GaAs的离子性，促进纳米线闪锌矿结构的形成，其特征在于：在所述的纳米线生长过程中根据G...
- 陈平平卢振宇陆卫石遂兴周孝好
- 文献传递
- 一种宽光谱量子级联红外探测器
- 本发明公开了一种宽光谱量子级联红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长八个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本发明采用了微带结构做吸收区，在低温状态下，在红外...
- 周孝好李梁温洁郑元辽周玉伟李宁李志锋甄红楼陈平平陆卫
- 文献传递
- CdTe和HgTe能带结构的第一性原理计算被引量：11
- 2004年
- 利用基于第一性原理的FLAPW方法计算了CdTe和HgTe的能带结构和态密度 .引进并利用快速搜索法计算了体系平衡时的晶格常数 ,相对于传统方法 ,更快速地得到了准确的平衡态的晶格常数 .本文在计算得到与实验结果符合很好的能带结构和态密度的同时 。
- 孙立忠陈效双郭旭光孙沿林周孝好陆卫
- 关键词：密度泛函理论FLAPW碲化镉
