封先锋
- 作品数：58 被引量：49H指数：4
- 供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省重大科技创新专项计划项目陕西省教育厅科研计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学化学工程更多>>
- 一种具有无线通话功能的降噪隔音口罩
- 本实用新型公开的一种具有无线通话功能的降噪隔音口罩，包括口罩主体，口罩主体上可拆卸连接有降噪模块、通讯模块、处理模块和供电模块，降噪模块、通讯模块、处理模块和供电模块通过电连接；利用主动降噪和隔音棉被动降噪相结合的方式提...
- 封先锋秦宇郝向阳
- 文献传递
- 固相烧结多孔碳化硅的光致发光及电阻率被引量：5
- 2003年
- 碳化硅粉末经压制成型后,在高温常压下固相烧结制成多孔碳化硅样品。用紫外激光对样品激发,样品的光致发光谱在低温下在2.02eV位置出现一发光主峰,在2.13eV位置出现一微弱肩峰;在室温下发光峰位置有所蓝移。样品的电阻率随着烧结温度的上升而上升,随着成型压力的升高而降低。发光来自缺陷态。
- 昝祥陈治明马剑平封先锋蒲红斌
- 关键词：光致发光电阻率
- 人工晶体生长设备真空系统的优化设计被引量：3
- 2004年
- 真空系统的应用在现代科研生产领域中起着越来越重要的作用 ,越来越被人们所重视。真空系统设计的好坏 ,直接影响着晶体生长设备的成功与否 ,而提高真空系统的密封性 ,降低真空系统的漏气率是提高真空性能的主要措施。本文简要阐述了提高真空系统的密封性和降低漏气率的一些措施 ,包括真空系统设计中的结构设计、密封形式的选择、密封材质的选用等 ,提出了一种新型的静密封结构 。
- 李留臣陈治明蒲红斌封先锋张群社
- 关键词：真空系统高真空漏气率静密封低真空人工晶体
- 一种SiC沟槽型台阶状结势垒肖特基二极管
- 本发明公开了一种SiC沟槽型台阶状结势垒肖特基二极管，包括SiC衬底；在SiC衬底上制作有第一外延层，即缓冲层；在第一外延层上制作有第二外延层，即漂移区；在第二外延层上端表面设置有多个沟槽结构，包围沟槽且延伸至沟道区的p...
- 蒲红斌王曦杜利祥封先锋臧源
- 6H-SiC单晶锭边缘的多晶环控制被引量：3
- 2010年
- 6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质。本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为辅的多晶环厚度控制方案,利用自制设备进行了6H-SiC晶体生长验证实验,实验结果显示所生长6H-SiC单晶体不但周边和表面光滑,未有多晶出现,还实现了显著的扩径生长。
- 封先锋陈治明蒲红斌
- 关键词：6H-SIC
- 粉源对大直径SiC晶体生长的影响
- 本文研究SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的...
- 张群社陈治明封先锋刘博
- 关键词：温度场空隙率晶体生长
- 文献传递
- 3C-SiC的液相外延生长及其结构的保持与分析被引量：2
- 2004年
- 3C SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料。本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长 3C SiC及抑制其相变的研究进展。采用X射线衍射、透射电镜、Raman散射等检测手段对样品进行结构分析 ,结果表明所制备的样品为 3C
- 封先锋陈治明马剑平蒲红斌李留臣
- 关键词：液相外延生长RAMAN散射SIC单晶电学性能熔体
- 一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法
- 本发明公开了一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法，步骤包括：步骤1：采用RCA清洗液‑丙酮‑酒精‑去离子水依次对碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在清洗干燥后的碳化硅晶片表面涂胶，使用匀胶机进行匀胶，得到涂胶晶片；步骤3：使用...
- 蒲红斌王曦胡丹丹封先锋
- 文献传递
- 增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法
- 本发明公开了一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径...
- 封先锋陈治明蒲红斌马剑平臧源
- 文献传递
- SiC晶体PVT生长系统的流体力学模型及其有限元分析被引量：10
- 2005年
- 本文根据S iC晶体PVT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型,采用有限元法分析了生长腔内的热传导、辐射和对流对生长腔内和生长晶体中温度空间分布的影响。通过对生长腔内及生长晶体中温度瞬态和稳态分布的分析,得出在加热的初始阶段腔内气体对流对坩埚内的温度分布有较大影响,在系统热平衡后辐射对腔内温度分布起决定作用的结论。
- 张群社陈治明蒲红斌李留臣封先锋巩泽龙
- 关键词：SIC晶体温度场
