崔介东
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
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- 相关领域：电气工程理学电子电信更多>>
- 纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性的分析
- 本文采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间和有无i层条件下的异质结的室温暗I-V特性和相应的电池性能参数.采用双二极管模型拟合了正向暗I-V特性,表明...
- 张群芳崔介东刘丰珍朱美芳
- 关键词：纳米硅暗电流电压特性太阳电池电池性能
- 文献传递
- 非晶硅/晶体硅异质结电池的模拟计算
- a-Si/c-Si异质结太阳电池由于结合了非晶硅低温、低成本的工艺制备过程和晶体硅稳定高效的优异特性,正在受到当今光伏产业越来越多的重视.作为界面器件,晶体硅与非晶硅界面处由于晶格失配、悬挂键、能带不连续等造成界面缺陷态...
- 崔介东刘丰珍张群芳
- 关键词：异质结太阳电池缓冲层模拟计算电池性能
- 文献传递
- 纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性和输运机制被引量：1
- 2008年
- 采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗I-V特性和相应的电池性能参数.室温下的正向暗I-V特性采用双二极管模型来拟合,可将0～1V的电压范围区分为4个区域:旁路电阻(0～0.15V)、非理想二极管2(0.15～0.3V)、理想二极管1(0.3～0.5V)和串联电阻(>0.5V).拟合结果表明,适当的氢处理时间(～30s)可有效降低非理想二极管的理想因子n2,即降低界面复合电流,表明具有好的界面特性.对于282～335K的暗I-V温度特性的研究表明,在0.15～0.3V的低电压范围,暗电流主要由耗尽区的复合电流提供,0.3～0.5V电压范围,对输运起主要作用的是隧穿过程,该过程可用通过界面陷阱能级的隧穿模型来解释.
- 刘丰珍崔介东张群芳朱美芳周玉琴
- 关键词：纳米硅薄膜
