席光义
- 作品数：7 被引量：20H指数：3
- 供职机构：清华大学电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量
- 2008年
- 结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7—4.2μm的GaN外延膜进行了测量,并与椭圆偏振光谱法测量结果进行了比较,结果表明其差别<4%,反应了这种方法的准确性.
- 李洪涛罗毅席光义汪莱江洋赵维韩彦军郝智彪孙长征
- 关键词：GAN薄膜厚度测量X射线衍射
- AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响被引量：4
- 2009年
- 研究了具有不同台阶数目的AlGaN插入层对在6H-SiC衬底上利用金属有机物气相外延(MOVPE)生长的GaN体材料残余应力和表面形貌的影响.高分辨率X射线衍射测试表明样品的c轴晶格常数随台阶数目的增多而增大;低温光荧光谱中GaN发光峰也随着台阶数目增多而发生蓝移,这些变化都反映出GaN中残余张应力的减小.此外,原子力显微镜测试表明样品表面起伏和粗糙度也都随着插入层的引入和台阶数目的增多得到了明显的改善.
- 江洋罗毅席光义汪莱李洪涛赵维韩彦军
- 关键词：残余应力表面形貌SIC衬底
- 柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响被引量：7
- 2009年
- 在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高.
- 江洋罗毅汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军
- 关键词：蓝宝石图形衬底氮化镓
- MOVPE低温生长的n型GaN电学特性研究被引量：2
- 2008年
- 系统研究了采用金属有机物化学气相外延方法在740℃和900℃条件下生长的n型GaN的电学特性.电化学电容-电压测试表明,在低温条件下采用三乙基镓作为Ga源生长有利于降低非故意掺杂n型GaN的背景杂质浓度.另外,对重掺Si的n型GaN的霍耳效应测试表明,随着Si掺杂浓度增大,电子浓度相应线性增大,表现出杂质带导电特性,而迁移率则相应减小.同时,原子力显微镜测试和X射线衍射测试均表明生长温度和掺杂浓度对外延材料的表面形貌和晶体质量有影响,特别是在高掺杂浓度的情况下,样品的表面形貌恶化更严重.在所研究的Si掺杂浓度范围内,在氧气中退火前后所有样品的电子迁移率基本不变,而Si掺杂浓度高于6×1019cm-3的样品在氧气中退火后电子浓度会下降,表明对低温生长的重掺杂n型GaN,热处理的过程有助于Si原子取代N原子形成受主而产生补偿施主的作用.
- 汪莱张贤鹏席光义赵维李洪涛江洋韩彦军罗毅
- 关键词：N型GAN电子浓度迁移率
- 非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N_2比例关系研究
- 2008年
- 利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平整,均方根粗糙度为0.233 nm.二次离子质谱分析发现,载气中N2比例不同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别.随着载气中N2比例的增加,GaN材料中螺型位错相关缺陷密度无明显变化,而刃型位错相关缺陷密度明显增加.结果表明,刃型位错的受主补偿作用是导致GaN薄膜方块电阻变化的主要原因.
- 席光义郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维任凡韩彦军孙长征罗毅
- 关键词：载气位错
- AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响被引量：3
- 2008年
- 利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加,而且表面坑状缺陷越多,栅延迟电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显.漏延迟测试显示,AlGaN表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大,而GaN缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌.研究结果表明,AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷分别是引起AlGaN/GaN HEMT栅、漏延迟电流崩塌的电子陷阱来源之一.
- 席光义任凡郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维韩彦军罗毅
- 关键词：ALGAN/GAN电流崩塌
- 基于图形衬底生长的GaN位错机制分析被引量：4
- 2008年
- 采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究,分析结果表明,位错来源于三个方面:一是"二步法"生长机制引入的位错;二是是由于图形衬底上不同区域GaN晶体相互连接时由于晶面不连续所造成的位错群;三是由于图形衬底制作工艺过程中引入的表面污染与损伤。
- 江洋罗毅薛小琳汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军
- 关键词：图形衬底位错
