张士英
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
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- 氨化Ga_2O_3/Nb膜制备的GaN纳米线的光学和微观结构特性的研究(英文)
- 2009年
- 采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900°C下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜详细分析了GaN纳米线的结构和形貌。结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线有直的形态和光滑的表面,其纳米线的直径大约50 nm,纳米线的长约几个微米。室温下以325 nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于367 nm的很强的紫外发光峰。最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制。
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- 关键词：纳米线氨化GAN
- 氨化Ga_2O_3/Nb薄膜制备GaN纳米线被引量：1
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）详细分析了GaN纳米线的结构和形貌。结果表明：采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,其纳米线的直径大约在50-100nm之间,纳米线的长约几个微米。室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于364.4nm的很强的紫外发光峰。最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制。
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- 关键词：GAN纳米线磁控溅射氨化
- 氨化Si基Ga<,2>O<,3>/Mo薄膜制备一维GaN和Ga<,2>O<,3>纳米结构的研究
- 本文采用氨化磁控溅射不同中间层厚度的Ga2O3/Mo薄膜的方法在硅衬底上合成了GaN和Ga2O3纳米结构。对其结构、形貌、组分和发光特性进行了深入的分析和研究，并对其发光机制和生长机制进行了初步探索，研究了不同生长条件对...
- 张士英
- 关键词：GAN磁控溅射
- 文献传递
- 棒状氧化镓的合成和发光性质研究被引量：5
- 2008年
- 利用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上先溅射Mo中间层，再溅射Ga2O3薄膜，然后在氨气中退火合成了大量的一维棒状β—Ga2O3。X射线衍射、选区电子衍射和能量弥散谱的分析结果表明，制备的样品为B—Ga2O3。利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现，合成的棒具有直而光滑的表面，其直径在70～200nm左右。室温光致发光谱显示出两个较强的蓝光发射。另外，简单讨论棒状β—Ga2O3的生长机制。
- 张士英庄惠照薛成山李保理
- 关键词：磁控溅射光致发光
- 氨化时间和膜厚对Si(Ⅲ)上AIN薄膜生长取向的影响
- 2007年
- 采用磁控溅射技术在Si(Ⅲ)衬底上沉积了Al膜,在高温炉中使之与氨气反应制备AlN薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等研究了薄膜的结构、成分以及表面形貌.结果表明不同氨气作用时间会使薄膜表现出不同的择优生长取向,同时不同厚度的Al薄膜也会在氨气作用后生成不同择优生长取向的AlN薄膜.
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- 关键词：磁控溅射AIN
