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一种组分可控的ZrO<Sub>x</Sub>薄膜的制备方法: 本发明属于自旋半导体材料技术领域，具体为一种组分可控的ZrO<Sub>x</Sub>薄膜的制备方法。本发明采用纯度为4N的金属锆作为靶材，通过控制反应气体氧气与工作气体氩气（纯度皆为5N）的流量比（代表性的流量比O<Su...; 李晶朱焕锋; 文献传递

钛掺杂对Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变特性的改善（英文）: 2015年; 利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能力测试的实验数据,经阿伦纽斯外推处理可知,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品的10年数据保持温度要高于未掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品.本文的实验结果均证实,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜更适合应用于相变随机存取存储器中.; 张颖魏慎金易歆雨程帅陈坤朱焕锋李晶吕磊; 关键词：相变特性热稳定性

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朱焕锋