李标
- 作品数：34 被引量：49H指数：4
- 供职机构：中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- PrBa_2Cu_3O_(6+x)(x=1,0.3)中Pr价态随氧含量的变化被引量：3
- 1998年
- 报道了陶瓷和ｃ轴取向薄膜ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ（ｘ＝１，０３）材料的红外反射光谱，通过比较区分出该材料的沿着ｃ轴振动和沿着ａｂ平面振动的声子模，ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ和ＲＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ（ｘ＝１－０，Ｒ＝Ｙ和稀土元素）有类似的晶体结构，分析和比较它们的声子谱，其中尤其是Ｐｒ和Ｙ，Ｐｒ和其它稀土元素的Ｂ１ｕ模（ｘ＝１），Ｅｕ和Ａ２ｕ模（ｘ＝０３）的区别，认为Ｐｒ在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７材料中的化学价是大于正３价，而Ｐｒ在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６３材料中的化学价为正３价，Ｐｒ的价态与材料的氧含量有关．
- 叶红娟李标李志锋熊光成王瑞兰李宏成刘鹏
- 关键词：超导薄膜氧含量
- （Hg，Cd）Te薄腰的LPE生长条件与纵向组分分布被引量：3
- 1996年
- 根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温速度及过冷度等对（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延薄膜纵向组分分布的影响．
- 李标褚君浩朱基千陈新强曹菊英汤定元
- 关键词：HGCDTE薄膜液相外延生长
- 用改进的sol-gel法制备锆钛酸铅薄膜及其物相转化的研究被引量：3
- 2000年
- 利用改进的sol gel法 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .5Ti0 .5O3(PZT5 0 / 5 0 )薄膜 .采用了一种新的方式 ,从同一前驱体溶液得到了厚度各异的单一退火层 .研究了薄膜的结构和性质随单层退火厚度的改变而发生的变化 ,发现随着单一退火层厚度的降低 ,薄膜 ( 111)取向的程度增大 ,同时薄膜的剩余极化和介电常量也逐渐增高 .当单一退火层厚度降低到约为 4 0nm时 ,可得到高度 ( 111)择优取向的PZT薄膜 .从薄膜成核机理的基础上讨论了薄膜结构变化的内在因素 ,认为随单一退火层厚度的增加薄膜由单一的成核机理占主导作用 ,逐渐演变为两种成核机理同时起作用 .
- 孟祥建程建功李标唐军叶红娟郭少令褚君浩
- 关键词：SOL-GEL法
- 碲镉汞材料组分分布显示方法和装置
- 本发明提供了一种HgCdTe组分分布显示方法和装置，采用扫描单色仪分光，分束片分束，与参考光路比较及红外热象仪成像方法，经过计算机处理给出组分分布。该仪器可以直接描画出材料不同区域的组分，并在数量上给出不同区域的组分平均...
- 裙君浩刘李标汤定元周起勃
- 文献传递
- n-Hg_(0.80)Mg_(0.20)Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究被引量：3
- 2000年
- 通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg0 .80 Mg0 .2 0 Te薄膜在 1 5— 2 5 0K温度范围内的输运特性 .采用迁移率谱 (MS)和多载流子拟合过程 (MCF)相结合的方法对实验数据进行了分析 ,由该方法获得的结果和ShubnikovdeHass(SdH)振荡测量的结果都证明材料中存在二维 (2D)电子和三维 (3D)电子 .其中 2D电子主要来自于Hg1-xMgxTe CdTe的界面积累层或Hg1-xMgxTe与真空界面附近的积累层 .3D电子迁移率随温度的变化关系表明了Hg1-xMgxTe中的电子散射机理与Hg1-xCdxTe中的非常相似 :在低温下电离杂质散射 (考虑了屏蔽效应 )起主导地位 ,而温度在 10 0K以上时 ,晶格散射占主导地位 .
- 蒋春萍桂永胜郑国珍马智训李标郭少令褚君浩
- 关键词：二维电子气半导体薄膜输运
- 退火对CdZnTe晶体质量的影响被引量：9
- 1997年
- 我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等，研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响．结果表明，在Cd气氛中，700℃，退火5小时以上，能大量地去除晶片中的Te沉淀，提高其红外透射比；同时，退火也导致了晶片表面的损伤，损伤层为50～130μm．表面结构损伤的原因是，（1）Cd气氛中退火，CdZnTe晶体表面的Zn损失；（2）退火过程中，吸附在沉淀物周围的杂质，尤其是快扩散杂质，将随着沉淀相的消失而迁移到晶体的表面，从而破坏了表面的晶体结构．退火后，磨去损伤层，可将聚集在表面的这些杂质除去，更有利于外延生长或器件制备．
- 朱基千褚君浩张小平李标程继健
- 关键词：晶体质量退火
- CdZnTe晶片中Te沉淀相的观察与研究被引量：5
- 1998年
- 用透射电子显微镜、红外显微镜、红外光谱及差示扫描量热法观察研究了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀相．讨论了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀／夹杂的成因和区别，及其对红外透射比的影响；ＣｄＺｎＴｅ晶体的红外透射光谱和差示扫描量热法结果表明，当晶体中Ｔｅ沉淀相含量（ｗＴｅ）大于０．６ｗｔ％时，其红外透射比低于５５％，并随ｗＴｅ值的增大而下降；此结果可用Ⅱ－Ⅵ族半导体价带内光吸收机制解释．
- 朱基千褚君浩张小平张小平程继健
- 关键词：碲沉淀相
- 汞压对液相外延(Hg,Cd)Te的液相线及组份的影响
- 1995年
- Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的质量与生长过程中的汞压有关。根据缔合溶液模型及相图理论,计算了汞压不平衡时液相点温度移动及组份的变化,并就液相外延的生长条件进行了分析。
- 李标褚君浩陈新强刘坤曹菊英汤定元
- 关键词：碲化镉液相外延生长
- 本征α－Si：H中隙态的时间常数及俘获截面被引量：1
- 1994年
- 制成一批本征α－Ｓｉ：Ｈ的金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构；用高精密差分电容谱仪测量了这种结构在５０℃时的电容、电导谱；通过修正获得了由隙态决定的电导并求得了隙态俘获电子的时间常数及截面。
- 刘坤褚君浩李标汤定元
- 关键词：本征半导体材料
- 本征α－Si∶H MIS结构电导机制
- 1994年
- 利用本征α－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料制成了Ａｌ－Ｓｉ（１－ｘ）Ｎｘ－ａ－Ｓｉ：Ｈ金属－绝缘体－半导体结构，用高精度差分电容谱仪在５０℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变频电导谱。讨论了该ＭＩＳ结构中可能存在的电导机制，计算了禁带态能谱并根据修正后的实验结果得到了其俘获电子的时间常数及截面。
- 刘坤褚君浩孙剑李标汤定元
- 关键词：俘获截面
