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来德锋
作品数:
3
被引量:3
H指数:1
供职机构:
大连理工大学
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相关领域:
电子电信
电气工程
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合作作者
马灵芝
大连理工大学
辛萌萌
大连理工大学
刘珠宝
大连理工大学
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机构
3篇
大连理工大学
作者
3篇
来德锋
2篇
马灵芝
1篇
辛萌萌
1篇
刘珠宝
传媒
1篇
现代电子技术
1篇
电子与封装
年份
3篇
2008
共
3
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RS 485接口芯片中的迟滞比较器设计
被引量:2
2008年
基于RS 485通信协议设计接收电路中的比较电路。比较电路采用带有源电流镜的折叠式共源共栅运放,单端输出,在折叠点处增加4个NMOS管为电路提供正反馈,并通过适当的调节其中2个的宽长比来改变迟滞电压的范围。采用CSMC 0.6μm COMS工艺的HSpice仿真结果表明,此电路能够产生大约±200 mV的迟滞电压,并且当数据传输速率达到2.5 Mb/s时也能正常工作,比通常的比较器更能满足RS 485协议的要求。
辛萌萌
马灵芝
来德锋
关键词:
RS
迟滞电压
正反馈
电流模式PWM控制器芯片的设计
开关电源以其高效率、小体积等优点获得了广泛应用。传统的开关电源普遍采用电压型脉宽调制(PWM)技术,而近年来电流型PWM技术得到了飞速发展。相比电压型PWM,电流型PWM具有更好的电压调整率和负载调整率,系统的稳定性和动...
来德锋
关键词:
开关电源
电流模式
脉宽调制
PWM控制器
芯片设计
控制电路
文献传递
用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准源设计
2008年
在对传统带隙基准源基本原理分析的基础上,提出了一种适用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准电路。该电路采用无运放的带隙结构, 避免了运放失调电压对基准源的影响。基于LITEON 1μm HV BiCMOS工艺,Hspice仿真结果表明,该基准源产生1.238V的基准电压,电源抑制比高达60dB,在-40℃-140℃温度范围内,基准电压仅变化3.9mV,温度系数为16.6×10^-6/℃, 完全满足AC/DC变换器对其性能的要求。
来德锋
马灵芝
刘珠宝
关键词:
带隙基准
AC/DC
温度系数
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