杨丽丽
- 作品数：22 被引量：23H指数：3
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法
- 非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器，其特征在于由晶态硅基底、非晶态碲镉汞、金属第一电极和金属第二电极组成，其中，非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结，金属第一电极与非晶态碲镉汞连接，金属第二电极与晶态硅基底连接。其制备工...
- 史衍丽余连杰何雯瑾邓功荣李雄军杨丽丽姬荣斌
- 文献传递
- 非晶态碲镉汞的光学性质(英文)被引量：1
- 2012年
- 采用椭圆偏振光谱技术研究了射频磁控溅射生长非晶态碲镉汞(amorphous Hg1-xCdxTe,amorphous MCT,a-MCT)薄膜的光学性质,发现非晶态碲镉汞薄膜的介电函数谱特征与晶态碲镉汞材料的明显不同,表现出与其他非晶态半导体材料类似的"波包"结构特征。基于修正的FB模型在1.0～4.0eV的能量范围内对实验结果进行了拟合分析,得到了不同组分非晶态碲镉汞薄膜的光学带隙随组分关系。通过与单晶碲镉汞光学带隙随组分变化关系的对比研究,结果表明碲镉汞的结构从晶态向非晶态转变过程中,材料的光学待续发生了明显的"蓝移"。
- 孔金丞赵俊孔令德李雄军王光华杨丽丽张鹏举姬荣斌
- 关键词：椭圆偏振光谱光学性质
- 退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响
- 利用射频磁控溅射方法，在宝石衬底上制备了非晶态HgCdTe薄膜。对原生非晶态HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火，在80K-300K温度范围内，分别测量了原生和退火处理后的非晶态HgCdTe薄膜样品的...
- 余连杰史衍丽李雄军杨丽丽邓功荣何雯瑾莫镜辉
- 关键词：非晶态半导体
- 非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法
- 非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法，其特征在于在具有六工位磁控溅射靶位的超高真空磁控溅射生长室，本底真空度优于3.0×10<Sup>-4</Sup>Pa，温度为25℃±10℃，用纯度为7N的高纯圆块状CdTe单晶靶为靶材，...
- 孔令德庄继胜孔金丞赵俊李雄军李竑志王光华杨丽丽姬荣斌
- 文献传递
- 一种用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法
- 本发明提供的用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法，其特正在于采取A.衬底清洗，B.甩胶，C.生长材料，D.剥离的技术步骤，获得用于透射电镜实验的非晶态薄膜样品，生长薄膜材料的衬底，可采用载玻片、硅片、石英片或者宝石片...
- 孔金丞赵俊孔令德张鹏举王光华李雄军杨丽丽姬荣斌
- 一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法
- 本发明提供一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，其工艺步骤为：A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀(下电极成型)；E.去胶清洗；F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长)；G.光刻；H.干法刻蚀...
- 史衍丽庄继胜余连杰杨丽丽孔令德李雄军莫镜辉孙祥乐
- 羰基铁粉表面改性及其热稳定性研究被引量：13
- 2011年
- 采用硅烷偶联剂对羰基铁颗粒进行表面改性,研究改性羰基铁粉的热稳定性,利用扫描电镜、红外光谱、差热分析等分析手段,对羰基铁粉表面改性效果和机理进行系统分析。结果表明:经过硅烷偶联剂改性之后的羰基铁粉红外图谱出现了Si—O—Si和Si—O—Fe的特征峰,说明硅烷偶联剂与羰基铁颗粒表面发生化学键合作用;改性后的羰基铁粉与未改性羰基铁粉相比,其分散性和抗氧化能力得到了明显提高。
- 王光华孔金丞李雄军杨丽丽
- 关键词：羰基铁硅烷偶联剂表面改性热稳定性
- 非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边(英文)被引量：2
- 2012年
- 研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91eV之间,与通过光学方法获得的结果相符。在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10—8Ω—1.cm—1缓慢增大到5×10-8Ω—1.cm—1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10—5Ω—1.cm—1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义。还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响,结果表明140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化。
- 孔金丞张鹏举杨佩原李雄军孔令德杨丽丽赵俊王光华姬荣斌
- 关键词：电导率吸收边
- 非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法
- 非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法，其特征在于在具有六工位磁控溅射靶位的超高真空磁控溅射生长室，本底真空度优于3.0×10<Sup>-4</Sup>Pa，温度为25℃±10℃，用纯度为7N的高纯圆块状CdTe单晶靶为靶材，...
- 孔令德庄继胜孔金丞赵俊李雄军李竑志王光华杨丽丽姬荣斌
- 溅射气压对非晶Hg_(1-x)Cd_x Te薄膜微观结构和化学组分的影响(英文)
- 2012年
- 采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究。实验结果表明,溅射气压对薄膜生长速率、微观结构、表面形貌和化学组分有直接影响。随着溅射气压增大,其生长速率逐渐降低。当溅射气压高于1.1 Pa时,薄膜XRD图谱上没有出现任何特征衍射峰,只是在2θ=23°附近出现衍射波包,具有明显的非晶态特征;当溅射气压小于1.1 Pa时,XRD谱表现为多晶结构。另外,随着溅射气压的增加,薄膜表面粗糙度逐渐减小,而且溅射气压对薄膜组成的化学计量比有明显影响,当溅射气压为1.1 Pa时,薄膜中Hg的组分比最低,而Cd组分比最高。
- 王光华孔金丞李雄军杨丽丽赵惠琼姬荣斌
- 关键词：碲镉汞薄膜非晶半导体微观结构
