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梁仁荣

作品数：223 被引量：8H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信建筑科学金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 207篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 44篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇建筑科学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 90篇晶体管
  • 62篇半导体
  • 59篇沟道
  • 52篇场效应
  • 52篇场效应晶体管
  • 38篇导体
  • 36篇半导体结构
  • 33篇电路
  • 33篇栅结构
  • 31篇集成电路
  • 29篇衬底
  • 27篇离子
  • 27篇晶体
  • 23篇等离子体
  • 21篇源区
  • 20篇迁移率
  • 19篇电路设计
  • 18篇电学性能
  • 18篇隧穿
  • 16篇氧化物

机构

  • 223篇清华大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 223篇梁仁荣
  • 203篇王敬
  • 186篇许军
  • 37篇赵梅
  • 35篇肖磊
  • 30篇方华军
  • 23篇崔宁
  • 18篇赵晓
  • 18篇刘立滨
  • 16篇孙川川
  • 13篇郭磊
  • 11篇王子巍
  • 8篇任天令
  • 8篇刘志弘
  • 6篇李喜德
  • 6篇徐阳
  • 6篇叶璇
  • 6篇凌童
  • 5篇刘佳磊
  • 5篇刘磊

传媒

  • 4篇Journa...
  • 4篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 11篇2020
  • 8篇2019
  • 17篇2018
  • 16篇2017
  • 25篇2016
  • 10篇2015
  • 40篇2014
  • 25篇2013
  • 25篇2012
  • 21篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 6篇2008
  • 5篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 223 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法
本发明提出一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成Ge鳍形结构；在Ge鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出G...
王敬肖磊赵梅梁仁荣许军
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具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法
本发明提出一种具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法。其中形成方法包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；在衬底之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出Ge层；向Ge层表层注入...
王敬肖磊赵梅梁仁荣许军
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跨导增强的回收电流折叠MOS管共源共栅放大器
本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种跨导增强的回收电流折叠MOS管共源共栅放大器。包括跨导增强的输入级、放大回收电流的中间级和轨到轨输出级；所述跨导增强的输入级由分流的四个PMOS管和两对构成负阻增强跨导的四个PM...
方华军赵晓梁仁荣许军王敬
基于异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管及其形成方法
本发明提出一种基于异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底之中的沟道区，以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区，其中，所述漏区为第一掺杂类型，所述源区为第二掺杂类型；和形成在所述沟道区之上的栅堆叠及形成...
崔宁梁仁荣王敬许军
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采用MOS器件实现的低压低功耗带隙基准电压源
本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种采用MOS器件实现的低压低功耗带隙基准电压源，采用CMOS工艺实现，包括一个产生与温度成正比例关系电流的电路、一个产生与温度成负比例关系电流的电路、温度二次补偿电路以及启动电路；...
方华军赵晓许军梁仁荣王敬
光调制的场效应晶体管和集成电路
本发明公开了一种光调制的场效应晶体管和集成电路，其中该光调制的场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；形成在所述半导体之...
王敬陈文捷郭磊梁仁荣
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光调制的二极管和功率电路
本发明公开了一种光调制的二极管和功率电路，该光调制的二极管包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；形成在所述第一半导体之上的第一金属层；形成在所述第一半导体层之上的发光结构，其中，所述发光结构用于产生用于激...
王敬陈文捷梁仁荣
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半导体结构以及制备方法
本发明公开了半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成氮化物过渡层和氮化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底...
王敬孙川川梁仁荣许军
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具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
本发明提供一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；形成在所述半导体衬底上的具有第二掺杂类型的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏区或源区；形成...
崔宁梁仁荣王敬许军
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一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法
本发明提出了一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法，该隧穿晶体管包括漏极，外延层，埋层，源极，栅介质，栅极，源极金属层和漏极金属层。本发明隧穿晶体管能够提高器件在关态下的耐击穿能力，降低器件的导通电阻，减小大电流下的功耗，提...
崔宁梁仁荣王敬许军
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