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江灏

作品数：117 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 114篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 33篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 52篇光电
  • 46篇探测器
  • 35篇光电探测
  • 35篇光电探测器
  • 31篇掺杂
  • 25篇雪崩
  • 24篇半导体
  • 19篇氮化物
  • 19篇雪崩光电探测...
  • 15篇电晶体
  • 15篇晶体管
  • 15篇光电晶体管
  • 14篇异质结
  • 12篇增层
  • 12篇欧姆接触
  • 12篇外延层
  • 12篇接触电极
  • 11篇氮化
  • 10篇导体
  • 10篇化物

机构

  • 117篇中山大学

作者

  • 117篇江灏
  • 16篇王钢
  • 9篇蔡志岗
  • 9篇王嘉辉
  • 7篇张佰君
  • 5篇吴锦壁
  • 5篇裴艳丽
  • 5篇孙鲁
  • 5篇陈泽鹏
  • 5篇范冰丰
  • 5篇张灵霞
  • 4篇李剑飞
  • 4篇郑致远
  • 4篇黄泽强
  • 4篇黄善津
  • 4篇吴华龙
  • 3篇孙伟
  • 3篇文于华
  • 3篇谭维
  • 3篇刘扬

传媒

  • 1篇第13届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 7篇2023
  • 10篇2022
  • 10篇2021
  • 11篇2020
  • 14篇2019
  • 7篇2018
  • 6篇2017
  • 5篇2016
  • 5篇2015
  • 7篇2014
  • 4篇2013
  • 12篇2012
  • 7篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
共 117 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于极化效应多异质结光电探测器及其制备方法
本发明涉及一种基于极化效应多异质结光电探测器，包括探测器以及制备于探测器上的器件，所述探测器所用材料为Ⅲ族氮化物材料，所述器件包括从下到上依次设置的衬底、缓冲层、下接触层、下势垒层、上势垒层和上接触层；所述上接触层和下接...
江灏刘珂岐卢家冰吕泽升
一种广色域、高显色性的双光源电子橱窗及控制方法
本发明涉及一种广色域、高显色性的双光源电子橱窗及控制方法，电子橱窗包括用于放置展示物品的橱窗主体，橱窗主体上设有液晶显示屏，橱窗主体上与液晶显示屏非正对的至少一个面设有双光源背光阵列，双光源背光阵列包括用于为展示物品提供...
王嘉辉孙梓瀚成泽锐陈华宽李文湧杨上玄陈泽鹏蔡志岗江灏
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一种p型GaN与AlGaN半导体材料的制备方法
本发明公开一种p型GaN与AlGaN半导体材料的制备方法，包括衬底及由下往上生长在衬底上的缓冲层或过渡层、非故意掺杂层以及受主掺杂层；在该结构的生长过程中，使用氨气或二甲肼氮作为五族氮源；使用三甲基镓或三乙基镓作为三族镓...
江灏陈英达
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一种GaN基发光二极管以及制作方法
本发明涉及一种GaN基发光二极管以及制作方法。该发光二极管在外延衬底上依次生长初始生长层、GaN缓冲层、n型电子注入层、量子阱结构电子发射层、量子阱结构发光有源层、p型AlInGaN电子阻挡层和p型空穴注入层；所述电子发...
江灏王钢黄善津
一种三族氮化物基光电晶体管及其制备方法
本发明公开了一种具有晶格匹配光透射窗口层的三族氮化物基光电晶体管及其制备方法。本发明使用与光吸收层材料a轴晶格常数相同、但禁带宽度大于光吸收层材料的三族氮化物或其多元合金材料作为光透射窗口层，提高窗口层及其上外延层的晶体...
江灏陈英达乐广龙
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一种基于前后融合成像的三维重建系统及方法
本发明公开一种基于前后融合成像的三维重建系统，包括框体、融合成像模块、三维重建模块，框体存在承载空间，所述的承载空间用于放置物品；融合成像模块拍摄物品的前景图像和物品的后景图像，融合成像模块设置在框体的内侧，融合成像模块...
王嘉辉孙梓瀚郭祥江灏蔡志岗
一种双元素delta掺杂生长P型GaN基材料的方法
本发明公开了一种双元素delta掺杂生长P型GaN基材料的方法，包括以下步骤：①在置于反应腔中的衬底上依次生长出低温缓冲层和高温缓冲层；②采用双元素delta掺杂法在所述高温缓冲层上生长p型GaN基层材料，掺杂杂质的元素...
江灏陈计林
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p型AlGaN半导体材料生长方法
本发明公开了一种p型AlGaN半导体材料的生长方法，所述半导体材料采用在表面活性剂辅助镁delta掺杂中加入“镓源通入”步骤的技术方法进行生长，在p型AlGaN半导体材料生长过程中使用氨气或二甲肼氮作为五族氮源,使用三甲...
江灏邱新嘉
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低接触电阻的三族氮化物p型欧姆电极结构
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及低接触电阻的三族氮化物p型欧姆电极结构，所述电极结构的电极图形线条体的方向均与三族氮化物的第一晶向或第二晶向或第一晶向和第二晶向的等效晶向方向一致，所述第一晶向顺时针旋转120°后与...
江灏邱新嘉
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一种三族氮化物基双异质结光电晶体管
一种三族氮化物基双异质结光电晶体管，属于半导体器件技术领域。一种三族氮化物基双异质结光电晶体管及其制备方法，包括衬底及生长于衬底之上的外延层，外延层自下而上的顺序依次为缓冲层或过渡层，施主重掺杂欧姆接触层，合金组分渐变层...
江灏张灵霞唐韶吉
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