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王智群

作品数:15 被引量:42H指数:4
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 12篇激光
  • 12篇激光器
  • 10篇半导体
  • 10篇半导体激光
  • 9篇半导体激光器
  • 6篇隧道再生
  • 4篇稳态
  • 3篇光纤
  • 3篇热特性
  • 2篇瞬态
  • 2篇损耗
  • 2篇温度分布
  • 2篇量子阱激光器
  • 2篇功率
  • 2篇光栅
  • 2篇大功率
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇单片机控制
  • 1篇电流扩展

机构

  • 15篇北京工业大学
  • 1篇北京跟踪与通...
  • 1篇南开大学

作者

  • 15篇王智群
  • 12篇崔碧峰
  • 12篇沈光地
  • 9篇张蕾
  • 6篇郭伟玲
  • 3篇段天利
  • 3篇黄宏娟
  • 2篇胡曙阳
  • 2篇邹德恕
  • 2篇何士雅
  • 2篇赵启大
  • 2篇尧舜
  • 2篇张楠
  • 2篇王智勇
  • 2篇田大伟
  • 2篇邵晴
  • 2篇刘斌
  • 1篇高国
  • 1篇张宁
  • 1篇李建军

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇半导体光电
  • 2篇北京工业大学...
  • 2篇中国激光
  • 2篇强激光与粒子...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2005
  • 2篇2004
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种高灵敏度光纤Bragg光栅温度传感器被引量:10
2004年
设计了一种基于光纤Bragg光栅(FBG)的高灵敏度温度传感器,分析了它的温度传感特性。该温度传感器的灵敏度为0.474nm/℃,是裸光栅的45.9倍;线性度为0.9988;通过调节有关参数可进一步提高或选择合适的灵敏度;通过改变参数可以调节该传感的传感区段,可用于常温下的温度测量。
胡曙阳赵启大张宁王智群邵晴田大伟何士雅
关键词:光纤BRAGG光栅温度传感器温度灵敏度线性度
量子阱激光器的阈值电流与腔长关系
2010年
一般激光器的阈值电流会随着腔长增加而增大,但是最近发现单量子阱激光器的阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。造成这样现象的原因是由于激光器有源区不掺杂和采用了线形渐变折射率导引机制的量子阱激光器结构,这样可以有效的减少载流子泄漏和非辐射复合,因此激光器内损耗很小,阈值增益主要由腔面损耗决定,致使阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。
段天利崔碧峰王智群沈光地
关键词:阈值电流阈值增益
隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布被引量:1
2008年
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布。瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很快,几百个ms以后温度达到稳态,与测量结果吻合。稳态模拟结果表明,稳态时温升集中在脊形电极内,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度。沿腔长方向存在温差,在光反射腔面附近温度下降较快。芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的光出射腔面的脊形电极中心。
张蕾崔碧峰段天利马楠郭伟玲王智群沈光地
关键词:半导体激光器瞬态稳态隧道再生
隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究被引量:4
2008年
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时间和达到热平衡时的温度均随注入电流占空比的增加而增加,热弛豫积累时间小于200ms。芯片内部温度分布表明,靠近衬底的有源区温度略高于靠近热沉的有源区温度,但温度差较小,热效应造成的波长漂移不会造成双峰现象。实验测量了在相同的边界条件下,不同占空比下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。
张蕾崔碧峰沈光地郭伟玲刘斌王智群
关键词:半导体激光器隧道再生占空比
一种光纤光栅气压调谐方法
2004年
为了便于对光纤光栅的布喇格波长进行调谐,设计了一种光纤光栅气压调谐方法.通过改变密封气体的压力改变光栅的应变,从而调谐光栅的布喇格波长.推导了调谐所用公式,布喇格波长漂移与调谐量近似成线性关系.实验获得了5.4 nm的调谐范围,实验结果和理论符合很好,线性拟合度分别为0.998 2和0.998 9.
胡曙阳何士雅赵启大田大伟邵晴王智群董波
关键词:光纤光栅调谐
大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究
2007年
利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度实验,发现在不超过有源层的前提下,输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比,阈值电流与隔离槽深度成反比,隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降,从而最佳腐蚀深度应不超过有源层,本实验为1.993μm。
张楠崔碧峰刘斌邹德恕李建军高国张蕾王智群沈光地
关键词:电流扩展
多有源区隧道再生半导体激光器稳态热特性
2011年
利用有限元软件ANSYS结合傅里叶定律,对制约适用于光纤耦合输出的新型高功率多有源区隧道再生半导体激光器长寿命工作的稳态热特性进行了系统计算、分析。获得了这种新型器件工作时各有源区温度分布特征及与传统单有源区器件稳态热特性的区别,并给出了多有源区隧道再生半导体激光器工作时各有源区温度的估算方法,同时对有效降低这种新型器件热阻的方法进行了讨论。结果表明:连续工作时,多有源区隧道再生半导体激光器比同材料体系传统结构器件更易获得较高的输出功率。
王智群尧舜崔碧峰王智勇沈光地
关键词:半导体激光器光纤耦合多有源区隧道再生
条形列阵激光器侧向隔离研究
2009年
对条形激光器漏电流进行了理论分析,结果表明,漏电流占注入电流的比例随着激光器条形台面宽度的增大而降低,因此实验中采用宽条形台面激光器。同时根据理论分析做对比实验得出,在不增加非辐射复合情况下,隔离槽与台面越近越能充分发挥其减小漏电流的作用,这样阈值电流密度降低,最佳工作点的功率效率提高。
段天利崔碧峰张蕾邹德恕王智群沈光地
关键词:列阵激光器漏电流
高光束质量大功率半导体激光阵列的热特性被引量:12
2010年
针对目前大功率半导体激光短阵列器件和多个半导体激光单元器件集成结构应用于全光纤结构光纤激光器的发展趋势及其相关热控制理论的缺乏,利用有限元软件ANSYS对基于标准传导热沉散热结构的高光束质量半导体激光阵列(LDA)进行热特性仿真计算,通过改变阵列内部发光单元间距、发光单元数,将传统高填充因子厘米阵列(cm-bar)结构过渡到短阵列器件或多单元集成器件热模型,其热特性,为这种具有高光束质量的新型器件的设计及其高性能、长寿命散热提供了理论基础。
王智群尧舜崔碧峰王智勇沈光地
关键词:激光器半导体激光阵列热阻高光束质量
大功率半导体激光器功率转换效率的研究被引量:1
2009年
针对980 nm大功率半导体激光器,分析了不同腔长下,最佳工作点功率转换效率的分布,分别计算了对应的光电转换效率,电压损失效率,阈值损失效率与缺陷损失效率随腔长的变化情况。分析表明随着腔长的增加,最佳输出功率值增加,但功率效率有所下降。缺陷损失效率是导致光电转换效率下降的主要因素,降低内损耗是提高最佳工作点功率转换效率最直接的方法。给出了不同内损耗情况下,最佳功率转换效率随腔长的分布。
崔碧峰黄宏娟张蕾张楠王智群沈光地
关键词:半导体激光器功率转换效率大功率
共2页<12>
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