王缙
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 利用微电子测试图形监控CCD工艺
- 1987年
- 本文根据硅CCD摄像器件的特点和要求,设计出一套可用来监控硅CCD工艺的测试图形,并把此套图形应用于实际的CCD工艺。实验分析其它工艺参数的同时,重点对存贮时间Tc和界面态密度Nss进行了研究。认为工艺过程引起存贮时间的下降,是由于工艺诱生位错的影响,而工艺诱生位错主要由多晶硅层上二次栅氧化的界面应力所导致;认为界面态密度主要取决于栅氧化和退火工艺,与中间工序的关系不明显。整个实验表明,用微电子测试图形监控CCD工艺、分析器件失效,是可行可靠的。
- 张钢林应新王缙汪仁伍
- Si-SiO_2界面的辐射感生界面态被引量：2
- 1991年
- 实验发现正偏压下的MOS电容受辐照引起的平带电压位移与SiO_2栅介质膜厚度的三次方成正比。实验结果说明辐照感生界面态在MOS电容的平带电压漂移中起重要作用。就抗辐照性能而言,采纳于氧氧化工艺的最佳温度匀1000℃;高于1000℃的氮气退火或氢介入Si-SiO_2界面都会严重降低MOS器件的抗辐照能力。辐照产生界面态的原因是在Si到SiO_2。过渡层中存在未电离的过剩硅。
- 李杰王缙严荣良陆妩余学锋
- 关键词：MOS电容辐照界面态
- CCD电离辐射加固工艺研究被引量：1
- 1990年
- 本文以简单的MOS电容为手段,研究CCD工艺,以提高器件的抗电离辐射能力。研究发现,栅氧化温度、SiO_2栅介质厚度和CCD工艺中栅氧化以后的高温过程对辐照性能的影响最大;并提出减薄SiO_2栅介质厚度、在1000℃干氧栅氧化、表面栅和埋栅下SiO_2介质在相同条件下生长以及栅氧化后工艺流程中的高温步骤的温度不能超过栅氧化温度和尽量减少栅氧化后的高温步骤等改进的工艺措施。
- 李杰王缙董亮初严荣良余学锋张玲珊陆妩米拉提汗
- 关键词：电荷耦合器电离
