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纪攀峰

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇氮化镓
  • 5篇氮化
  • 5篇铝镓氮
  • 4篇氮化物
  • 4篇外延片
  • 4篇晶体管
  • 4篇化物
  • 4篇掺杂
  • 4篇衬底
  • 3篇倒装
  • 3篇倒装结构
  • 3篇退火
  • 3篇芯片
  • 3篇空穴
  • 3篇蓝宝
  • 3篇蓝宝石
  • 3篇镁
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇丢弃
  • 2篇石墨

机构

  • 21篇中国科学院

作者

  • 21篇纪攀峰
  • 18篇李晋闽
  • 18篇王军喜
  • 12篇马平
  • 8篇伊晓燕
  • 7篇曾一平
  • 6篇孔庆峰
  • 6篇刘志强
  • 5篇王国宏
  • 5篇胡强
  • 5篇李京波
  • 5篇谢海忠
  • 4篇王文军
  • 3篇闫建昌
  • 3篇朱峰
  • 3篇刘喆
  • 3篇杨华
  • 3篇刘乃鑫
  • 3篇郭金霞
  • 2篇冉军学

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 7篇2014
  • 1篇2011
  • 5篇2010
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法
一种倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层，形成外延片；浸泡、清洗；在台面和氮化镓帽层上制作金属...
纪攀峰谢海忠梁萌马平张韵王军喜李晋闽
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氮化镓系发光二极管及制备方法
一种氮化镓系发光二极管及制备方法，其中氮化镓系发光二极管包括：一衬底：一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧有一台面...
马平刘波亭甄爱功郭仕宽纪攀峰王军喜李晋闽
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一种MOCVD设备中的石墨盘
本发明公开了一种MOCVD设备的石墨盘，其包括至少一个片坑，所述片坑面积大于衬底面积，且为衬底面积的整数倍，所述至少一个片坑边缘具有与衬底的角相吻合的凸角，且一定数量的衬底紧密排列后正好覆盖住所述至少一个片坑。本发明提出...
胡强李晋闽王军喜曾一平路红喜伊晓燕马平魏同波闫建昌纪攀峰
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一种多层LED芯片结构及其制备方法
本发明公开了一种多层LED芯片结构及其制备方法。该结构包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上低温外延生长的GaN缓冲层；在GaN缓冲层上高温外延生长的n型GaN；在n型GaN上高温外延生长的AlGaN层；在AlGaN层上生长的...
李京波朱峰纪攀峰
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一种LED外延片的切裂方法
本发明提供了一种LED外延片的切裂方法。该方法包括：制备具有多颗管芯结构的方形或圆形LED外延片。对于圆形LED外延片，在其周边的四个对称位置切去四个弓形后分别切裂，或者将弓形部分丢弃。本发明简单可靠、易于实现，可保证管...
孔庆峰郭金霞纪攀峰马平王文军刘志强伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物，使用SiH<Sub>4</Sub>和/或Cp<Sub>2</Sub>Mg作为掺杂剂，使用...
纪攀峰李京波闫建昌刘乃鑫刘喆王军喜李晋闽
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一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法
本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲，然后在N<Sub>2</Sub>气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮...
李京波纪攀峰朱峰
在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法
本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤：在SiC衬底上生长LED外延片；制备出P面具有反射金属膜的外延片，与新的衬底键合，形成倒装结构的LED外延片；采用机械研磨工艺将SiC衬...
孔庆峰马平纪攀峰卢鹏志杨华刘志强伊晓燕王军喜王国宏曾一平李晋闽
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一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法
本发明提供了一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法。该芯片尺寸级氮化镓基晶体管包括：衬底；依次沉积于衬底正面的低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝掺入层、铝镓氮势垒层、氮化镓帽层，其中，氮化镓帽层的两侧经...
谢海忠纪攀峰李璟刘志强伊晓燕王军喜李晋闽
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在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法
本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤：在SiC衬底上生长LED外延片；制备出P面具有反射金属膜的外延片，与新的衬底键合，形成倒装结构的LED外延片；采用机械研磨工艺将SiC衬...
孔庆峰马平纪攀峰卢鹏志杨华刘志强伊晓燕王军喜王国宏曾一平李晋闽
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