郑克芳
- 作品数：5 被引量：12H指数：3
- 供职机构：山东大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：化学工程金属学及工艺更多>>
- 高温高压合成含硼金刚石单晶制备工艺初探被引量：6
- 2005年
- 本文以掺入不同含量硼铁的铁基合金为触媒,以石墨为碳源,在高温高压条件下合成了含硼金刚石单晶体。利用扫描电镜(SEM)观察了金刚石及触媒的组织形貌;利用金相显微镜观察了金刚石颗粒的颜色和形态;利用拉曼光谱仪(RS)确认了人造金刚石单晶体中硼的存在;利用低温电阻测量仪验证了合成的含硼金刚石单晶颗粒具有半导体性能。实验结果表明,在金刚石的合成中,触媒中硼铁含量为2wt%的合成效果相对最好。
- 李洪岩李木森宫建红郑克芳
- 关键词：半导体金刚石高温高压
- 铁基触媒合成含硼金刚石单晶颗粒的电阻-温度特性被引量：5
- 2005年
- 以铁基合金掺入硼铁粉为触媒剂,石墨为碳源,在高温高压条件下合成含硼金刚石。光学显微镜和Ram an散射仪观察了金刚石的表面形貌与晶体结构。用自制的电阻-温度测量仪对金刚石进行电阻-温度曲线进行测量,结果表明,随着温度升高,电阻逐渐降低,证明该金刚石具有负的电阻温度系数;继续升温,金刚石内的杂质发生电离,当杂质全部电离时,金刚石处于半导体的饱和区;温度进一步升高,金刚石进入本征电离区。
- 郑克芳李木森李和胜宫建红
- 关键词：电阻温度系数铁基触媒
- 高温高压下Fe-Ni-C-B系合成Ⅱb型金刚石单晶被引量：2
- 2007年
- 提出了一种在高温高压下利用粉末冶金方法制备的Fe-Ni-C-B系触媒合金生长Ⅱb型金刚石的新方法.由于硼元素的存在,Ⅱb型金刚石生长所需的温度和压力条件均高于普通的Ⅰb型金刚石,并且合成出的金刚石单晶粒度较粗,晶形稍差,表面结构比较复杂.通过晶体的颜色、X射线衍射以及Raman光谱可以初步断定合成出的金刚石晶体中确实含有硼元素.以金刚石在不同温度下的静压强度和冲击韧性以及差热分析和热重分析的结果来表征金刚石的热稳定性.实验发现,由于硼元素的进入使得Ⅱb型金刚石单晶的热稳定性与采用同种方法合成出的Ⅰb型金刚石相比有了较大程度的提高.采用自制的夹具通过检测金刚石的电阻温度特性,初步确定了在Fe-Ni-C-B系中生长的Ⅱb型金刚石具有半导体特性.大量的实验数据充分说明,采用这种方法生产Ⅱb型金刚石具有成本低廉、操作简单、产品质量稳定等优点,具有极高的工业化推广应用的价值.
- 李和胜宫建红郑克芳李木森
- 关键词：硼触媒合金高温高压
- 铁基触媒合成含硼金刚石及其电学性能表征
- 纯净的金刚石晶体内无自由电子，是一种良好的绝缘体，室温下其电阻率为10<,13>Ω·cm。当金刚石中掺入少量硼原子后可使其电阻率下降，成为典型的半导体材料。含硼金刚石具有禁带宽、击穿场强高、载流子迁移率高、介电常数低和导...
- 郑克芳
- 关键词：铁基触媒含硼金刚石电阻-温度特性
- 文献传递
- 测定含硼金刚石单晶颗粒电阻的方法被引量：5
- 2004年
- 以铁基合金掺杂FeB或B4C为触媒、石墨为碳源,在高温高压条件下合成了含硼金刚石单晶。测定了金刚石单晶颗粒在不同温度下的电阻并绘制出两参数之间的变化曲线。结果表明,当金刚石单晶中掺入硼时,其电阻大幅度降低,且电阻随温度的升高而下降,即存在负的电阻温度系数,表现出半导体材料的特性。
- 郑克芳李木森宫建红李洪岩
- 关键词：电阻温度系数
