郭素霞
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：大连理工大学更多>>
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- 相关领域：金属学及工艺理学电气工程电子电信更多>>
- 多孔硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响
- 2012年
- 多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法。采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅,通过观察多孔硅的形貌、结构及单晶硅片的电阻率变化,研究不同电流密度制备的多孔硅对吸杂效果的影响,并从多孔硅的结构出发探究多孔硅吸杂的机理。结果表明,随电流密度增加,孔隙率明显增加,多孔硅在电流密度为100mA/cm2时,孔隙率最大;电流密度越大,多孔硅伴随所产生的弹性机械应力增加,晶格常数相应增加,这两个因素都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大。
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- 关键词：多孔硅电化学腐蚀电阻率
- 多孔硅对单晶硅少子寿命影响状况的研究被引量：2
- 2012年
- 以p型单晶硅片为研究对象,在单晶硅片表面采用化学腐蚀方法制备多孔硅层,通过实验选取制备多孔硅的最佳工艺条件,采用SEM观察多孔硅表面形貌,以及用微波光电导法测试少子寿命的变化情况。结果表明,在相同的腐蚀溶液配比条件下腐蚀11min得到的多孔硅层的表面形貌最好,孔隙率最大。在850℃下热处理150min时样品少子寿命的提高达到最大,不同腐蚀时间的样品少子寿命提高程度不同,腐蚀11min的样品少子寿命提高最大,约有10%左右。多孔层的形成伴随着弹性机械应力的出现,引起多孔层-硅基底界面处产生弹性变形,这有利于缺陷和金属杂质在界面处富集。另外,多孔硅仍具有晶体结构,但其表面方向上的晶格参数要比初始硅的晶格参数大,也有利于金属杂质向多孔层迁移。
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- 关键词：多孔硅单晶硅化学腐蚀少子寿命
- 去除多晶硅中杂质硼的方法
- 本发明公开一种去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征在于：所述的方法包括按照以下步骤进行：首先将需要去除杂质的多晶硅片进行电化学腐蚀处理，形成多孔硅片，然后将多孔硅片进行稳定化处理，经稳定化处理后的多孔硅片置于电子束熔炼炉的样...
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- 文献传递
- 电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响
- 2014年
- 研究了电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响。采用电化学腐蚀方法利用双电解槽在单晶硅片上制备多孔硅。电子束注入以后多孔硅的微观形貌发生了变化,通过3min的电子束注入处理,硅片的电阻率发生了明显的改变,大于相同条件下经过快速热处理的硅片的电阻率,这充分证明了电子束注入有热效应与电场效应的双重作用,对去除杂质B有一定的效果。电子束注入时间对去除杂质的效果有一定的影响。
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- 关键词：多孔硅吸杂电阻率
- 多孔硅吸杂对单晶硅导电特性的影响
- 晶体硅是太阳能电池的主要材料,晶体硅在生长过程中会引入杂质和微缺陷,对太阳能电池的光电转换效率有很大的影响,采用多孔硅吸杂技术可以明显改善硅片质量。在单晶硅中,杂质浓度和缺陷决定了硅片的电学性能,衡量电学性能的重要参数是...
- 郭素霞
- 关键词：多孔硅电阻率
- 多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响
- 2013年
- 多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法。本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅。通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效果的影响,并分析多孔硅吸杂的机理。结果表明,在J=100 mA/cm2条件下腐蚀时间为30 min、40 min、50 min、60 min吸杂处理后,电阻率均提高,且随着腐蚀时间的增加,电阻率相应增加,与多孔硅的形貌、孔隙率和多孔层厚度的变化趋势一致。多孔硅形成伴随弹性机械应力出现,随腐蚀时间增加,应力增加,晶格常数相应增加,这都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大。
- 李佳艳游小刚谭毅郭素霞
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀吸杂电阻率
- 去除多晶硅中杂质硼的方法
- 本发明公开一种去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征在于：所述的方法包括按照以下步骤进行：首先将需要去除杂质的多晶硅片进行电化学腐蚀处理，形成多孔硅片，然后将多孔硅片进行稳定化处理，经稳定化处理后的多孔硅片置于电子束熔炼炉的样...
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- 文献传递
