陈晓娟
- 作品数：133 被引量：64H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程医药卫生更多>>
- 蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制被引量：4
- 2004年
- 基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f T)达到 2 0 GHz,最大振荡频率 ( fmax) 2 8GHz,2 GHz脉冲测试下 ,栅宽 0 .75 mm器件 ,功率增益1 1 .8d B,输出功率 3 1 .2 d Bm,功率密度 1 .75 W/mm。
- 邵刚刘新宇和致经刘键魏珂陈晓娟吴德馨
- 关键词：ALGAN/GANHEMT微波功率
- 多个子腔体的微带型微波开关
- 本发明一种多个子腔体的微带型微波开关，涉及微波开关技术，其含有的多个子单元电路的子腔体结构，提高了微波开关电路的隔离度，可用于任何基于PIN二极管的微带型微波开关电路。本发明有效提高微波开关的隔离度，解决了微带型开关应用...
- 袁婷婷陈晓娟陈中子李滨刘新宇
- 文献传递
- 带有漏极场板的器件结构及其制备方法
- 本发明提供一种带有漏极场板的器件结构及其制备方法，其中制备方法包括：提供基板，基板包括：衬底、势垒层和钝化层，势垒层和钝化层均位于衬底的上方，钝化层位于势垒层的上方；在钝化层上涂覆光刻胶，以形成光刻层；在光刻层上刻蚀出欧...
- 张睿哲魏珂张昇何晓强王建超陈晓娟刘新宇
- AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析
- 本文对基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMTs功率器件自激振荡现象进行了分析,器件的反向增益对器件的稳定性影响较大,稳定性的提高需要从改善封装质量、优化器件设计等方面综合考虑.
- 邵刚刘新宇和致经刘键陈晓娟吴德馨
- 关键词：ALGAN/GAN微波功率功率器件晶体管
- 文献传递
- 一种去除高熔点黏附剂的方法
- 本发明公开了一种去除高熔点黏附剂的方法，该方法采用从320℃～50℃的梯形依次递减的温度层次，兼容各种熔点有机黏附剂的去除，使用时可以合理组合各个温度层次，并可以随时调节相应需要的pH值，操作使用无毒性，无污染，绿色，环...
- 汪宁陈晓娟罗卫军庞磊刘新宇
- 一种半导体器件及其制造方法
- 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在钝化处理过程中保护异质结构不受损伤，抑制栅极漏电，从而提高半导体器件的良率。所述半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的异质结构；异质结构具有源/漏极形成区和...
- 张尚伟魏珂张昇陈晓娟张一川郑英奎黄森王鑫华刘新宇
- AlGaN/GaN HEMT直流电流崩塌效应研究
- 对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4...
- 李诚瞻刘键刘新宇刘果果陈晓娟庞磊和致经
- 关键词：GAN材料HEMT电流崩塌效应
- 文献传递
- 一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路被引量：1
- 2009年
- 论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm(3.6 W),PAE为47%,线性增益9 dB。
- 张辉陈晓娟刘果果曾轩袁婷婷陈中子王亮刘新宇
- 关键词：ALGAN/GANHEMT内匹配混合集成电路功率放大器
- 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法
- 本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛...
- 汪宁陈中子陈晓娟刘新宇罗卫军庞磊
- 文献传递
- 一种测量GaN基器件热可靠性的方法
- 本发明公开了一种测量GaN基器件热可靠性的方法，包括：测量多个被测GaN基器件在不同栅压下漏压和漏电流的大小，并计算得到该多个被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量该多个被测GaN基器件的峰值结温，由该峰...
- 赵妙刘新宇罗卫军郑英奎陈晓娟彭铭曾李艳奎
- 文献传递
