陈晓波
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：陕西师范大学化学化工学院陕西省大分子科学重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 一维二氧化锗纳米结构的制备与光学特性
- 本论文采用原位热氧化法、常压化学气相沉积法和水热法，制备了二氧化锗。研究了它们的形貌、晶体结构、发光和Raman特性，提出了可能的生长机理，发现了紫外光的发光现象，讨论了结构和性能的关系，为氧化锗纳米结构的光电性能及其应...
- 陈晓波
- 关键词：纳米线晶体结构光致发光水热法常压化学气相沉积
- 文献传递
- 单晶β-Ga_2O_3纳米线的原位生长及其光致发光性能
- 2008年
- 通过在N2气氛中将金属镓加热到900℃,在镓颗粒表面大面积生长出-βGa2O3纳米线.采用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物的结构和形貌进行了表征.结果表明,所得产物为单斜相单晶结构Ga2O3纳米线,其直径为50-100 nm,长度为30-100μm.提出了Ga2O3纳米线可能的生长机理.室温下研究了所得Ga2O3纳米线的光致发光特性,观察到起源于氧空位的电子与镓-氧空位对上的空穴复合产生的发光峰在457 nm的蓝光发光.
- 刘瑞妮赵桦陈晓波焦华张建英郑海荣张喜生杨合情
- 关键词：纳米线原位生长光致发光
- GeO2纳米线的原位热氧化法制备与发光性质被引量：4
- 2008年
- 以Au作催化剂通过金属锗与纯氧在600～800℃的氧化反应，在单质锗表面原位大面积生长出了GeO2纳米线．采用X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜对产物进行了表征分析．结果表明，GeO2纳米线为六方相单晶结构，其直径在65～600nm范围内，长度达50gm．研究了反应温度和喷金时间对纳米线直径的影响，提出了可能的生长机理．实现了不同直径GeO2纳米线的可控合成．发现发光峰位于355nm强的紫外光发光和发光峰位于400nm和485nm弱的蓝光发光，这两种发光可能分别起源于GeO2纳米线中氧空位与间隙氧之间的跃迁和氧空位中的电子与锗．氧空穴中心的空穴复合．
- 陈晓波杨合情张瑞刚杨瑞丽董红星尹文艳宋玉哲陈迪春
- 关键词：光致发光
- 规则六边形氧化镓纳米片的制备及其发光性能
- 氧化镓是一种非常重要的宽带透明半导体(E=4．9 eV)材料,由于其独特的电学和光学特性,被广泛用作电子器件的绝缘层,蓝光、紫外光发射器;此外,β-GaO还具有很好的传导性能及热稳定性,是优异的高温气敏传感材料。由于纳米...
- 刘瑞妮张瑞刚陈晓波董红星杨合情
- 文献传递
- 二氧化锗纳米线的制备与喇曼光谱
- 2008年
- 以Au作催化剂通过在空气中将金属锗加热到550～800℃,在单质锗表面原位大面积生长出了GeO2纳米线.采用扫描电镜和激光喇曼光谱对产物进行了表征分析.结果表明,GeO2纳米线为六方相结构,长度可达30μm.通过改变加热温度,纳米线的直径可在110～170 nm范围内调节.提出了可能的生长机理以说明GeO2纳米线的形成.并且在GeO2纳米线的喇曼光谱中观察到了声子限制效应.
- 杨瑞丽陈晓波尹文艳董红星宋玉哲杨合情
- 关键词：喇曼光谱
- GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线在金属镓颗粒上的原位生长及其发光性质被引量：1
- 2008年
- 在1050℃氨气和氢气混合气氛中加热金属镓,在镓颗粒表面原位生长出了GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线.利用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物进行了表征,结果表明,所得不同形貌GaN纳米结构均为单晶六方纤锌矿结构,纳米带宽度在20～300nm,长达30μm;纳米环直径在5～8μm;Z字结构纳米线的直径约为160nm.研究了反应温度和时间对产物形貌和结构的影响,提出了不同形貌GaN纳米结构的可能形成机理.从GaN纳米结构的发光光谱中观察到了发光峰位于361nm强的紫外光发光和456nm弱的蓝光发光,这两种发光分别起源于GaN宽带隙带边的激子发射和浅的给体向深的局域受体的跃迁.
- 张瑞刚杨合情董红星李丽焦华陈晓波张建英郑海荣
- 关键词：纳米环原位生长光致发光
