您的位置： 专家智库 > >

马成

作品数：15 被引量：3H指数：1
供职机构：西安理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 10篇光电
  • 7篇太赫兹
  • 5篇电导
  • 5篇光电导开关
  • 5篇光电导天线
  • 5篇赫兹
  • 4篇激光
  • 3篇阵元
  • 3篇太赫兹波
  • 3篇天线
  • 3篇天线阵
  • 3篇线阵
  • 2篇电极
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻分压器
  • 2篇入射
  • 2篇砷化镓
  • 2篇束缚态

机构

  • 15篇西安理工大学
  • 1篇苏州热工研究...

作者

  • 15篇马成
  • 8篇施卫
  • 7篇侯磊
  • 5篇董陈岗
  • 4篇王玥
  • 4篇杨磊
  • 2篇陈曦
  • 2篇徐鸣
  • 2篇张琴
  • 2篇李存霞
  • 2篇武梅琳
  • 1篇孙倩
  • 1篇惠兆宇
  • 1篇刘如军

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2011
共 15 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种火花隙与光电导组合开关
本发明公开了一种火花隙与光电导组合开关，包括火花隙开关和进行绝缘封装的光电导开关，火花隙开关包括两个火花隙开关电极，两个火花隙开关电极位于反光杯内，一个火花隙开关电极上连接有恒流源和脉冲电容器，恒流源与脉冲电容器连接，另...
施卫武梅琳冷志武马成侯磊张琴
文献传递
一种基于全介质材料的光可调四频带太赫兹超材料吸收器
本发明公开了一种基于全介质材料的光可调四频带太赫兹超材料吸收器，包括由半导体材料制成的方形的衬底层，衬底层顶部为光栅层，光栅层顶部还覆盖有一层N型掺杂硅层。衬底层的半导体材料为电阻率为0.012～0.014Ω·cm的N型...
王玥岳莉莎张晓菊张向马成沈洋
文献传递
可同时检测太赫兹波偏振度及时域波形的探测天线阵列
本发明公开了一种可同时检测太赫兹波偏振度及时域波形的探测天线阵列，包括M行具有水平电极的天线阵元和N行具有竖直电极的天线阵元，相邻两行具有水平电极的天线阵元之间设置一行具有竖直电极的天线阵元。该阵列采用一组电极方向互相垂...
侯磊马成董陈岗王志全杨磊
文献传递
一种太赫兹光电导天线阵列及其探测器
本发明公开了一种太赫兹光电导天线阵列及其探测器，包括M×N个光电导天线阵元，每个光电导天线阵元中电极间隙g为3μm～20μm，每个光电导天线阵元相互分离。能消除传统太赫兹光电导天线阵列各阵元间的反向输出电流的影响，使得各...
施卫董陈岗侯磊马成王志全孙倩王悦政
文献传递
可同时检测太赫兹波偏振度及时域波形的探测天线阵列
本发明公开了一种可同时检测太赫兹波偏振度及时域波形的探测天线阵列，包括M行具有水平电极的天线阵元和N行具有竖直电极的天线阵元，相邻两行具有水平电极的天线阵元之间设置一行具有竖直电极的天线阵元。该阵列采用一组电极方向互相垂...
施卫侯磊马成董陈岗王志全杨磊
高功率砷化镓光电导开关的丝状电流现象和机理研究
随着半导体功率器件产业的迅速发展，砷化镓光电导开关以兼顾功率和带宽优良的特性受到广泛应用。工作在非线性模式下的砷化镓光电导开关存在电流成丝现象，由于该现象的复杂性，迄今为止对其物理机理还不是很清楚。　　本文通过一系列实验...
马成
文献传递
一种基于对称保护型连续体束缚态的太赫兹传感器
本发明公开了一种基于对称保护型连续体束缚态的太赫兹传感器，由多个单元结构呈周期性排布构成，多个单元结构的结构相同，均包括融合石英构成的衬底，衬底上表面设置有N型掺杂硅所构成的微结构柱A和微结构柱B。本发明可以提高检测的灵...
王玥张达篪陈曦崔子健张晓菊马成李存霞陈素果
文献传递
一种火花隙与光电导组合开关
本发明公开了一种火花隙与光电导组合开关，包括火花隙开关和进行绝缘封装的光电导开关，火花隙开关包括两个火花隙开关电极，两个火花隙开关电极位于反光杯内，一个火花隙开关电极上连接有恒流源和脉冲电容器，恒流源与脉冲电容器连接，另...
施卫武梅琳冷志武马成徐鸣侯磊张琴
非线性GaAs光电导开关的电流丝机理研究
与传统开关相比，GaAs光电导开关具有开关速度快、时间抖动小、触发无晃动、寄生电感电容小、高重复频率、结构简单特别是耐高压及大功率容量等优点使其在超高速电子学领域具有广泛的应用前景。特别是GaAs、InP等Ⅲ-V族化合物...
马成
关键词：光电导开关GAAS材料
文献传递
纳秒半导体激光器的时间抖动和触发同步特性被引量：3
2020年
纳秒半导体激光器(LD)的时间抖动和多个LD并联触发的时间同步性是各类超快光电过程及应用中的重要参数。研究了纳秒脉冲LD(包括LD触发电路)的时间抖动特性以及2个LD的触发同步性。结果表明:纳秒LD(包括LD触发电路)的时间抖动与其驱动电路的驱动电压有关,均在亚纳秒量级范围。单只纳秒LD的时间抖动为72 ps,当1个LD驱动电路同时触发2个并联的纳秒LD时,每个纳秒LD的时间抖动增至约200 ps,2个并联纳秒LD的触发时间同步性近300 ps。
刘如军马成施卫惠兆宇杭玉桦
关键词：时间抖动
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0