刘卫华
- 作品数：7 被引量：30H指数：3
- 供职机构：南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划电子信息产业发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- ZnO外延膜与蓝宝石衬底的取向偏差及其弯曲变形被引量：3
- 2005年
- 采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜。由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X射线双晶ω/2θ衍射曲线的相对峰位,得到ZnO外延膜的晶格常数及外延层和衬底间的取向差异角。结果表明外延层和衬底在应力作用下产生了取向差和晶格畸变,并且取向倾斜方向与衬底的切割倾角方向一致;高温直接生长的样品的取向差比有低温缓冲层样品更大,晶格畸变也更严重。高温直接生长的样品弯曲半径小而应力更大;实验测量的应力值和理论计算的热应力值之间存在差异,原因主要是晶格失配应力的存在。有缓冲层的样品由于能更好地弛豫晶格失配引入的应力,热应力所占整个残余应力的比例相对更大。
- 郑畅达方文卿王立莫春兰蒲勇戴江南刘卫华江风益
- 关键词：氧化锌X射线双晶衍射
- Si衬底GaN基LED理想因子的研究被引量：9
- 2006年
- 首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。
- 刘卫华李有群方文卿周毛兴刘和初莫春兰王立江风益
- 关键词：SI衬底GANLED
- 常压MOCVD生长Ga_2O_3薄膜及其分析被引量：5
- 2006年
- 以去离子水(H2O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga2O3薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga2O3外延膜的质量。在X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(1-02)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为0.25°,表明该Ga2O3外延膜是(1-02)择优取向。在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子。
- 戴江南王立方文卿蒲勇李璠郑畅达刘卫华江风益
- 关键词：金属有机化学气相沉积氧化镓原子力显微镜X射线衍射二次离子质谱
- 常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al_2O_3薄膜及其性能被引量：3
- 2005年
- 以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680℃时,利用常压MOCVD在GaN/A l2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(DCXRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜的表面形貌、结晶学性质、光学性质作了综合研究。双晶衍射表明,ZnO非对称(101-2)面ω扫描的半峰全宽(FWHM)仅为420 arcsec,估算所生长ZnO膜的位错密度大约为108/cm2量级,这与具有器件质量的GaN材料的位错密度相当。在ZnO薄膜的低温15 K光荧光谱中,观察到很强的自由激子和束缚激子发射以及自由激子与束缚激子的多级声子伴线。
- 戴江南王立方文卿蒲勇莫春兰熊传兵郑畅达刘卫华江风益
- 关键词：金属有机化学气相沉积原子力显微镜X射线双晶衍射光致发光
- Si衬底GaN基LED的结温特性被引量：9
- 2006年
- 结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量S i衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发现S i衬底GaN LED有更低的结温,原因归结为S i有更好的导热性。同时也表明:用S i作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力。
- 刘卫华李有群方文卿莫春兰周毛兴刘和初熊传兵江风益
- 关键词：SI衬底GAN发光二极管结温
- 在氮气氛中二次合金对GaN基LED欧姆接触的影响研究
- 研究了不同外延工艺的外延片上Ni/Au透明电极在氮气中合金对其欧姆接触性能的影响,发现其正向压降(Vf)有的上升,有的仍然保持不变,同时对这种现象进行了讨论.
- 刘卫华周毛兴刘和初莫春兰方文卿江风益
- 关键词：合金正向压降发光二极管氮化镓
- 文献传递
- Si衬底GaN基蓝光LED器件性能研究
- GaN半导体材料为直接带隙材料,在信息显示和固态照明等领域具有广阔的应用前景。相对于蓝宝石衬底而言,Si作为GaN蓝光LED衬底有许多优点,如:良好的导电、导热性、晶体质量高、尺寸大、成本低、容易加工等。然而由于Si衬底...
- 刘卫华
- 关键词：SI衬底GANLED结温
- 文献传递
