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吕川
作品数:
20
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供职机构:
辽宁大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
魏俊秀
辽宁大学
闫明
辽宁大学
梁超
辽宁大学
高哲
辽宁大学
蔡小五
辽宁大学
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作者
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吕川
20篇
梁超
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闫明
20篇
魏俊秀
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蔡小五
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高哲
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2018
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2017
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2016
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2015
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2013
2篇
2012
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PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件
本发明涉及一种PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件。采用的技术方案是:P型衬底上设N阱,在N阱上设有第一N+注入区和第一P+注入区,第一P+注入区临近N阱和P型衬底的交界处,第一N+注入区和第一P+注入区接阳...
蔡小五
梁超
魏俊秀
吕川
闫明
高哲
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一种用于ESD保护的低压触发SCR器件
本发明公开了一种用于ESD保护的低压触发SCR器件。本发明创造采用第一PMOS和第二PMOS分别进行衬底触发和栅触发,从而降低SCR器件的触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间,第一PMOS和第二P...
蔡小五
魏俊秀
梁超
闫明
吕川
刘兴辉
高哲
郭红梅
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PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件
本发明涉及一种PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件。采用的技术方案是:P型衬底上设N阱,在N阱上设有第一N+注入区和第一P+注入区,第一P+注入区临近N阱和P型衬底的交界处,第一N+注入区和第一P+注入区接阳...
蔡小五
梁超
魏俊秀
吕川
闫明
高哲
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一种NMOS低压触发的双向SCR结构
一种NMOS低压触发的双向SCR结构,包括有P型衬底,其结构为:在P型衬底上形成PWell阱、NWell阱,其中PWell阱设在中间位置,PWell阱两侧形成NWell阱;一侧的NWell阱里形成第一N+注入区和第一P+...
蔡小五
魏俊秀
高哲
梁超
刘兴辉
翟丽蓉
吕川
闫明
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无线温度监控系统
本实用新型涉及一种无线温度监控系统。采用的技术方案是:由若干温度采集装置、中心接收装置和计算机构成,温度采集装置与中心接收装置之间通过无线通信方式进行连接,中心接收装置与计算机之间通过串口通信方式进行连接;所述的温度采集...
闫明
冯春杨
魏俊秀
梁超
吕川
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一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件
一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件,包括有P型衬底,其结构为:在P型衬底上设有NWell阱和PWell阱,PWell阱设置在中间,NWell阱设在PWell阱两侧;中间的PWell阱里形成有第三P+注入区;一侧的...
蔡小五
魏俊秀
高哲
梁超
刘兴辉
翟丽蓉
吕川
闫明
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采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp
本发明涉及一种采用双通道技术的用于电源和地之间ESD保护的Power Clamp。采用的技术方案是:包括RC触发的检测电路,R1和C构成ESD监测电路,放在VDD和VSS之间,反相器Ⅰ放在RC监测电路之后,输入端和Fil...
蔡小五
高哲
闫明
梁超
魏俊秀
吕川
Native NMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件
本发明创造涉及一种Native NMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件。采用的技术方案是:包括P型衬底,P型衬底上设置N阱,在N阱上设有第一P+注入区和第一N+注入区,第一N+注入区临近N阱和P型衬底的交界处;在P...
蔡小五
刘兴辉
魏俊秀
梁超
闫明
吕川
高哲
郭红梅
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一种用于ESD保护的双向SCR结构
一种用于ESD保护的双向SCR结构,在P型衬底中间上部设有DNW阱;所述的DNW阱里形成PWell阱和NWell阱,PWell阱上设有第一P+注入区和第一N+注入区;所述的P型衬底的一侧上部设有第二P+注入区和第二N+注...
蔡小五
魏俊秀
高哲
梁超
刘兴辉
翟丽蓉
吕川
闫明
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用于集成电路的静电放电电源钳制电路及其控制方法
本发明公开了用于集成电路的静电放电电源钳制电路及其控制方法,采用NMOS晶体管、BigFET晶体管、电阻与反相器相结合的设计电路,使用NMOS晶体管代替传统的电阻和电容,使用BigFET晶体管释放静电放电(ESD)电流,...
蔡小五
吕川
高哲
魏俊秀
梁超
闫明
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