您的位置: 专家智库 > >

吴拥中

作品数:104 被引量:32H指数:4
供职机构:山东大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省科技发展计划项目山东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 81篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 9篇化学工程
  • 9篇一般工业技术
  • 9篇理学
  • 8篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇医药卫生

主题

  • 35篇纳米
  • 21篇外延片
  • 20篇纳米片
  • 12篇氮化
  • 12篇氮化硼
  • 12篇发光
  • 12篇衬底
  • 8篇单晶
  • 8篇多量子阱
  • 8篇位错
  • 8篇橡胶
  • 8篇硅橡胶
  • 7篇硫化
  • 7篇硫化硅橡胶
  • 7篇聚硅氧烷
  • 7篇交联
  • 7篇硅氧烷
  • 7篇高温硫化
  • 7篇高温硫化硅橡...
  • 7篇白光

机构

  • 104篇山东大学
  • 1篇山东轻工业学...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇山东师范大学
  • 1篇山东建材学院
  • 1篇山东华光光电...

作者

  • 104篇吴拥中
  • 87篇郝霄鹏
  • 33篇邵永亮
  • 29篇徐现刚
  • 24篇刘晓燕
  • 18篇尹正茂
  • 16篇张雷
  • 14篇戴元滨
  • 14篇田媛
  • 11篇巩海波
  • 11篇霍勤
  • 9篇蒋民华
  • 9篇冯圣玉
  • 7篇夏伟
  • 6篇张浩东
  • 6篇刘春艳
  • 6篇谢政
  • 5篇赵刚
  • 5篇张保国
  • 5篇陶绪堂

传媒

  • 5篇功能材料
  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇化学学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇第二届海内外...
  • 1篇第十一届中国...

年份

  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 11篇2019
  • 6篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 15篇2015
  • 12篇2014
  • 5篇2013
  • 11篇2012
  • 3篇2011
  • 8篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 5篇2004
  • 2篇2002
  • 2篇2000
104 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法,包括以下步骤:(1)将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中,将加热炉密封;(2)将加热炉内气压抽至3×10<Sup>2</Sup>-1×10<Sup>4</Sup>Pa,向加热...
郝霄鹏田媛张雷吴拥中邵永亮戴元滨张浩东
文献传递
含氨丙基聚硅氧烷及其高温硫化硅橡胶的制备
该文介绍了两种含氨丙基聚硅氧烷的有效合成途径,制备了一系列不同分子量的α,ω-二氨丙聚硅氧烷和不同氨丙基含量的端侧氨丙基聚硅氧烷.经定量分析、红外光谱及核磁共振谱的测定,对含氨丙基聚硅氧烷进行了确证和表征.
吴拥中
关键词:聚硅氧烷氨丙基高温硫化硅橡胶
文献传递
超级电容器电极用金属氧化物复合氮氧化物的制备方法
一种超级电容器电极用金属氧化物复合氮氧化物的制备方法,包括以下步骤:(1)将金属盐、尿素和氯化钠溶解于去离子水中,分散均匀,然后加入衬底材料;(2)将混合溶液加入到反应釜中放置于恒温干燥箱中反应;(3)将反应得到的产物进...
郝霄鹏王守志吴拥中邵永亮
一种利用化学剥离制备六方氮化硼纳米片的方法
本发明提出一种利用化学剥离制备六方氮化硼纳米片的方法,包括以下步骤:(1)按0.5g-5g六方氮化硼粉末与100ml酸的比例,将六方氮化硼粉末与酸混合搅拌均匀,然后按与六方氮化硼粉末的质量比1:10-10:1的比例加入高...
郝霄鹏杜淼吴拥中
文献传递
一种嵌入TiO<Sub>2</Sub>纳米棒图形阵列提高LED发光效率的方法
本发明公开了一种嵌入TiO<Sub>2</Sub>纳米棒图形化阵列提高LED发光效率的方法,包括以下步骤:(1)制备LED外延片;(2)在外延片的p型GaN层上制作光刻胶周期孔图形模板;(3)制作周期排布的TiO<Sub...
吴拥中尹正茂郝霄鹏刘晓燕徐现刚
文献传递
一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法
本发明提供了一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法,包括以下步骤:(1)按常规利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层,衬底为GaAs材料;(2)在外延生长的P型接...
郝霄鹏巩海波夏伟吴拥中徐现刚
文献传递
一种白光LED及其制备方法
一种白光LED及其制备方法,包括绝缘底座、碗形反射镜和蓝光LED芯片,碗形反射镜设置在绝缘底座上,碗形反射镜与绝缘底座之间设有导热片,蓝光LED芯片固定在碗形反射镜中,绝缘底座上设置有两个与蓝光LED芯片连接的电极,电极...
吴拥中尹正茂郝霄鹏谢政刘春艳刘晓燕徐现刚
文献传递
单层过渡金属硫化物的制备及超快饱和吸收性能的研究
当今,由于二维过渡金属硫化物具有杰出的电学和光学性能,所以广泛受到大家的关注。在我们的研究工作中,受自然条件下风化剥离海边岩石的灵感激发,我们提出了一种风化剥离制备原子层厚度的二维材料的新方法。我们实验证明了这种风化剥离...
赵刚李晨王泰林马福坤孙长龙吴拥中
文献传递
配合物热分解制备氮化镓纳米线及其生长机理研究被引量:3
2005年
报道了利用VLS生长机制,在NH3气氛中,由配合物GaCl3·NH3在高温下热分解反应成功制备了GaN纳米线,利用X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)、X射线能谱(EDS)等分析手段对产物进行了表征,并对氮化镓纳米线的VLS生长机理进行了探讨。
展杰郝霄鹏吴拥中温树林蒋民华
关键词:氮化镓纳米线显微结构
一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法
本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法,包括以下步骤:(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜,形成GaN外延片;(2)将GaN外延片减薄;(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥;(4)使用金属层...
郝霄鹏戴元滨邵永亮吴拥中刘晓燕张浩东田媛
文献传递
共11页<12345678910>
聚类工具0