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吴良津

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：理学电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇半导体
  • 2篇MIS结构
  • 1篇导带
  • 1篇电导
  • 1篇电压
  • 1篇折变
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸铋
  • 1篇误差分析
  • 1篇吸收谱
  • 1篇晶体
  • 1篇价带
  • 1篇光吸收谱
  • 1篇光折变
  • 1篇光折变晶体
  • 1篇红外
  • 1篇红外器件
  • 1篇碲
  • 1篇铋
  • 1篇镉

机构

  • 4篇中国科学院
  • 3篇福州大学
  • 1篇中国科学院福...

作者

  • 5篇吴良津
  • 3篇刘坤
  • 3篇褚君浩
  • 1篇庄健
  • 1篇汤定元
  • 1篇唐国雄

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇福州大学学报...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇分析测试技术...

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1994
  • 1篇1990
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量
1997年
运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料ＩｎＳｂ和ＨｇＣｄＴｅ价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．
吴良津刘坤褚君浩
关键词：半导体价带导带
碲镉泵MIS结构量子电容谱研究
吴良津
差分式电容谱仪研制
1994年
利用差分法方法，研制出了电容、电导测试系统并编制了系统操作软件。该系统具有测试精度高、自动化程度高的特点，能测量０．０１ｐＦ的电容变化量，而且其操作过程均由计算机自动控制，简单易学；该系统另一特点是既可测量电容、电导相对值，也可测量电容、电导绝对值。测试结果表明系统的精度已达ＨＰ公司的电容谱仪水平。使用该系统既可研究半导体表面、界面，也可研究半导体同、异质结器件的工作性能及制备工艺。
刘坤褚君浩吴良津唐国雄汤定元
关键词：半导体测试系统误差分析
InSb　MIS结构的磁电容谱研究
1997年
测量了ｎ型ＩｎＳｂ金属－绝缘体—半导体（ＭＩＳ）器件的磁量子电容谱，发现ｐ型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系。
吴良津刘坤褚君浩
关键词：MIS器件红外器件
纯钛酸铋晶体和掺铝钛酸铋晶体的光吸收谱被引量：1
1998年
用自动分光光度计测量自己生长的光折变晶体钛酸铋（ＢＴＯ）光吸收谱．结果表明，室温下纯ＢＴＯ晶体的吸收谱在２．２～３．２ｅＶ之间存在一个宽吸收峰，说明在晶体的带隙内存在一个间接跃迁能级，离导带顶大约２．２ｅＶ；掺铝后该吸收峰消失，光折变效应也随之消失．
吴良津庄健
关键词：光折变晶体钛酸铋光吸收谱
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