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尹训昌

作品数:32 被引量:35H指数:3
供职机构:安庆师范学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省高校青年教师科研资助计划项目安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程自动化与计算机技术石油与天然气工程更多>>

文献类型

  • 31篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 32篇理学
  • 3篇机械工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 12篇重整化
  • 12篇重整化群
  • 5篇相变
  • 4篇混沌
  • 4篇混沌系统
  • 4篇硅薄膜
  • 3篇铁磁
  • 3篇微晶硅
  • 3篇离子
  • 3篇控制器
  • 3篇GAUSS模...
  • 3篇ISING模...
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体增强
  • 2篇等离子体增强...
  • 2篇电子特性
  • 2篇微晶硅薄膜
  • 2篇离子迁移谱
  • 2篇均匀性
  • 2篇化学气相

机构

  • 30篇安庆师范学院
  • 6篇九江学院
  • 5篇曲阜师范大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇贵州师范大学
  • 1篇安徽大学
  • 1篇集美大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇吉林建筑大学

作者

  • 32篇尹训昌
  • 12篇祝祖送
  • 11篇张平伟
  • 8篇余春日
  • 6篇孙光厚
  • 4篇黄国栋
  • 4篇张杰
  • 4篇刘万芳
  • 3篇孔祥木
  • 3篇李娟
  • 2篇尤建村
  • 2篇江贵生
  • 2篇储焰南
  • 2篇易明芳
  • 2篇王殿元
  • 2篇闻军
  • 2篇徐晓峰
  • 2篇韩海燕
  • 1篇申传胜
  • 1篇潮兴兵

传媒

  • 9篇安庆师范学院...
  • 6篇四川大学学报...
  • 3篇物理学报
  • 2篇光谱实验室
  • 2篇吉林大学学报...
  • 1篇低温与超导
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇大学物理
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇昆明理工大学...
  • 1篇池州学院学报
  • 1篇廊坊师范学院...
  • 1篇中国科技论文...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 6篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PECVD系统中Ar等离子体电子特性的研究被引量:1
2009年
利用自行设计的可移动Langmuir探针装置对PECVD系统中Ar等离子体中的电子平均能量和电子浓度随各工艺条件的变化规律进行了研究;并成功获得了Ar等离子体中的电子平均能量和电子浓度的轴向分布和径向分布规律。此外,文中还对电子浓度和电子平均能量随各工艺参数的变化规律进行了系统的理论分析。
祝祖送尹训昌朱德权
关键词:PECVD电子特性
SiCl_4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响
2016年
研究了SiCl_4浓度对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中以SiCl_4/H_2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响。结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl_4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl_4浓度小于65%时呈增大趋势,在SiCl_4浓度大于65%时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl_4浓度的变化。此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用。
祝祖送张杰尹训昌易明芳闻军
关键词:微晶硅晶粒等离子体增强化学气相沉积
PECVD系统中等离子体参数径向分布的研究被引量:1
2014年
分别通过Langmuir静电探针测量和数值模拟方法研究了等离子体增强化学气相沉积系统中氩等离子体中电子密度和电子平均能量的径向分布规律.实验结果表明:从放电中心到电极边缘方向,电子密度和电子平均能量呈逐渐增大的趋势.数值模拟结果和Langmuir静电探针测量结果符合得较好.
祝祖送张杰江贵生尹训昌余春日
关键词:等离子体参数数值模拟
分形晶格上S~4自旋系统相变问题的研究
本文应用实空间重整化群/(简称RG/)变换的方法,研究了Sierpinski镂垫、钻石型等级晶格和Sierpinski地毯上自旋系统的相变问题。其主要内容如下: 1.在Sierpinski镂垫...
尹训昌
关键词:相变分形重整化群
文献传递
一种等级晶格上S^4模型的临界性质被引量:1
2009年
应用实空间重整化群和累积展开的方法,研究外场中一种等级晶格上S4模型的相变和临界性质,求出系统的临界点和临界指数.结果表明,该系统存在一个Gauss不动点和一个Wilson-Fisher不动点,与特殊钻石型等级晶格上的S4模型相比,系统的临界点和临界指数均发生变化,表明二者属于不同的普适类.
尹训昌史守华余春日
关键词:重整化群
SiH_4辉光放电等离子体中中性基团的轴向分布
2013年
利用RGA100质谱仪成功地实现了对SiH4辉光放电等离子体的在线检测。根据线性拟合的方法获得了SiH4消耗率及中性基团SiHn(n=1,2,3)在空间的分布规律,并对此进行了详细的分析和讨论。
祝祖送尹训昌尤建村
关键词:非晶硅薄膜质谱辉光放电
He-HI碰撞的转动激发分波截面被引量:5
2008年
基于作者所发展的分子间相互作用势,采用密耦方法计算了入射He原子能量分别为40,75和100meV时与HI分子碰撞的弹性和非弹性分波截面.研究表明:激发分波截面比弹性分波截面收敛得快;激发态越高,激发分波截面收敛得越快;能量越高,激发分波截面收敛得越慢.
余春日汪荣凯杨向东尹训昌
关键词:分波截面密耦方法
优质高稳定性微晶硅薄膜的制备被引量:1
2016年
对以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积优质高稳定性的微晶硅薄膜进行了研究.在低于250℃下,成功制备出了沉积速率高达0.28nm/s、晶化度达80%以上的微晶硅薄膜.通过光照实验,表明该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95%.
祝祖送张杰易明芳尹训昌闻军
关键词:微晶硅薄膜均匀性PECVD
优质微晶硅薄膜的光学性质
2014年
对以SiCl4和H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积的优质微晶硅薄膜的光学性质进行了研究。拉曼谱表明,微晶硅薄膜的晶化度超过80%;SEM结果表明,晶粒分布较均匀,大小平均为60nm左右;光照实验结果表明,该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,透射光谱结果表明,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95%。
祝祖送张杰江贵生尹训昌余春日
关键词:微晶硅薄膜均匀性等离子体增强化学气相沉积
伊辛模型的相变讨论
2011年
在热力学与统计物理教材中,应用平均场理论研究了伊辛模型的相变。本文应用重整化群的方法研究了相同的问题,得到了系统的相变点。与平均场理论相比较,该方法更易于理解和掌握。
尹训昌张平伟孙光厚
关键词:伊辛模型重整化群相变
共4页<1234>
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