崔万秋
- 作品数：49 被引量：157H指数：7
- 供职机构：武汉工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- Li_2O-Ta_2O_5-GeO_2非晶态系统的X射线研究
- 1991年
- 本文用X射线衍射技术研究了x·Li_2O·0.15Ta_2O_5(0.85—x)GeO_2三元系统的结构,求出了它们的径向分布函数(RDF)。利用RDF和权重因子求得的配位数定量地计算了玻璃中[GeO_4]和[GeO_6]的百分含量。结果表明:该三元系统存在着“错反常”现象。随着Li_2O的加入,玻璃中[GeO_4]部分转变为[GeO_6]。当Li_2O含量为25mol%时,[GeO_6]含量达到极大值,即[GeO_6]为24%。当继续加入Li_2O时,非桥氧的[GeO_4]增加,而不稳定的[GeO_6]减少。同时探讨了玻璃的结构模型。
- 崔万秋何卓然陈文
- 关键词：X射线衍射技术径向分布函数RDF
- 全文增补中
- LiH-LiF-P_2O_5系非晶态快离子导体的电性能与核磁共振研究
- 1992年
- 测试了LiH-LiF-P_2O_5系非晶态快离子导体材料的交流电导率;分析了样品的交流阻抗谱并确定了对应的等效电路。同时采用~7LiNMR和~1HNMR方法讨论了材料中Li^+离子的迁移行为和H^-离子的结构状态。
- 崔万秋徐庆
- 关键词：非晶态快离子导体电性能
- 非晶Li^＋离子导体晶化初期导电性能的研究
- 1995年
- 研究了非晶态Ｌｉ２Ｏ－ＬｉＣｌ－Ｐ２Ｏ５－（Ａｌ２Ｏ３）和Ｌｉ２Ｏ－Ｐ２Ｏ５－Ｖ２Ｏ５系统晶化前期的Ｌｉ＋离子导电特性．两系统的Ｌｎ（σＴ）～１／Ｔ曲线上都有两个转折点：当Ｔ＜Ｔ１时，Ｌｎ（σＴ）～１／Ｔ满足Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ的直线关系；而在Ｔ１～Ｔ２温度范围内电导率呈反常增加；当Ｔ＞Ｔ２时电导率又开始下降或越于平稳．用差热分析、扫描电镜、Ｘ镜线衍射技术对晶化前期（Ｔ１～Ｔ２）电导率反常增加现象进行了结构的初步探讨，认为是非晶样品分相及产生的微晶所致．
- 崔万秋刘静冯国娟朱宝京
- 关键词：晶化导电性能非晶态锂离子导体
- PLMN、PLN、PMN体系压电陶瓷性能与结构的对比研究被引量：6
- 2000年
- 在PLN -PZT、PMN -PZT两个三元系基础上制备的PLMN -PZT四元系压电陶瓷综合了两个三元系材料的优点 ,既具有良好的压电性能又具有小的损耗 ,是一种优良的压电变压器材料。通过三个体系的比较 ,PLMN -PZT四元系材料适中的四方度、晶粒尺寸及晶界处锰的析出是它具有良好压电、介电性能的结构基础。
- 刘静丁凌峰周静崔万秋
- 关键词：压电陶瓷PMN-PZT
- Li_2Mo_(2-x)W_xO_6多晶材料的结构、电学性能与导电机理的研究被引量：4
- 1991年
- 本文采用还原气氛制备导电性能优良的多晶多相陶瓷材料Li_2Mo_(2-x)W_xO_6(x=0,0.1,0.3),采用粉末X射线衍射分析、特征X射线能谱分析、红外光谱分析和电子自旋共振波谱分析等现代测试手段,得到样品的物相结构为Li_2Mo_(1-x)W_xO_4和MoO_2两相组成。W的掺入主要取代Mo进入Li_2Mo_O_4晶格中,通过导纳电桥法和交流阻抗谱测定方法研究样品材料的导电性能。室温下,x=3的样品其电导率为1.42×10~2(Ωcm)^(-1),300℃时其电导率为2.86×10~2(Ωcm)^(-1),研究表明:W的掺入提高样品的电导率,降低离子导电激活能。文中还提出样品材料的显微结构模型和离子导电机理。
- 崔万秋沈志奇周德保
- 关键词：多晶材料电学性能导电机理
- PMN、PLN、PLMN体系中极化过程对显微结构影响的分析被引量：1
- 1996年
- 采用Ｘ射线衍射技术和数学方法分析了ＰＬＮ、ＰＭＮ、ＰＬＭＮ等三、四元体系压电陶瓷的畴转向机理。计算了９０°畴转向在极化过程所有畴转向中所占的比例及畴尺寸和晶格畸变。结果表明：极化过程中９０°畴转向起了决定性作用，占畴转向的大部分。
- 崔万秋刘静周静
- 关键词：压电陶瓷PMNPLMN极化
- P_2O_5-Nb_2O_5-Li_2O系统非晶态的变色机理研究
- 1990年
- 本文采用拉曼、红外、径向分布函数及可见光谱分析了P_2O_5-Nb_2O_5-Li_2O三元系统玻璃的结构及铌离子价态,指出10Nb_2O_5·xP_2O_5·(90-x)Li_2O(x=40,45,50,55)系列玻璃中随x增加玻璃颜色由浅金黄变成蓝色,并不是由于铌离子配位变化引起的,而是由于Nb^(3+)的逐渐增多所致,并对变色机理进行了探讨。
- 崔万秋阮立坚陈丹平
- 关键词：非晶态光敏材料铌
- 掺杂对Y-TZP陶瓷结构和电性能的影响
- 1993年
- 本文研究了掺杂对钇稳定四方ZrO_2(YTZP)陶瓷材料结构和电性能的影响。通过密度测定,SEM和电性能测量分析可知:掺杂的Y-TZP材料晶粒呈不规则多边形且分布均匀,晶粒平均尺寸在0.4μm左右。掺杂材料的电导激活能均小于未掺杂YTZP材料的电导激活能;材料的晶粒电阻率随掺杂种类和浓度的变化不大,而掺杂Fe_2O_3和SiO_2的Y-TZP陶瓷材料则呈现较小的晶界电阻率.
- 陈文王皓崔万秋
- 关键词：掺杂显微结构电性能陶瓷
- Sb_2Te_3及其固溶体的电子结构被引量：1
- 1997年
- 以Sb2Te3及固溶体材料的制备与测试数据为依据，采用量子化学的理论及近似方法，计算得出材料的电行分布、态密度、能级等结果，与实验数据基本一致．其结果对材料的研制具有指导意义．
- 崔万秋刘舒曼刘维华
- 关键词：固溶体原子簇电子结构
- 微量元素对ZrO_2基陶瓷显微结构的影响被引量：1
- 1993年
- 本文在常压固态烧结条件下,通过掺加3mol%Y_2O_3和微量氧化物作为晶粒稳定剂和晶粒生长阻碍剂制备出超细化,高密度的四方ZrO_2多晶陶瓷。通过密度测定、X射线衍射、扫描电镜和透射电镜等测试方法分析了微量氧化物CuO,Fe_2O_3和SiO_2对ZrO_2基陶瓷显微结构的影响。
- 陈文王皓崔万秋
- 关键词：显微结构微量元素氧化锆陶瓷
