张静全
- 作品数：295 被引量：324H指数：10
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- 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>
- 一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法
- 本发明公开了一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法，包括将两种前驱体溶液混合，加热搅拌直至混合溶液中有固体物质产生；将籽晶杆插入装有混合溶液的容器中，在一定温度下加热直至有小晶粒在籽晶杆上生成，取出籽晶杆，选取合适的小晶粒作...
- 张静全张建宇李岸峰王文武武莉莉赵德威
- CdCl_2气相退火对CdTe/CdS太阳能电池的影响被引量：1
- 2002年
- 对CdTe薄膜进行CdCl2 热处理是制备高效率CdTe/CdS多晶太阳能薄膜电池的关键步骤 .研究了CdTe薄膜CdCl2 气相热处理 ,用XRD ,SEM表征热处理前后薄膜的结构、晶粒尺寸、晶格常数及能带宽度的变化 .比较研究了有无CdCl2 热处理的CdTe薄膜的结构差异 .CdCl2 热处理对CdTe/CdS异质结界面互扩散的影响 ,比较研究了有无CdCl2 热处理时 ,对CdTe/CdS太阳能薄膜电池的光I-V特性曲线的影响 .
- 冷文建蔡伟张静全郑家贵蔡亚平李卫黎兵武莉莉邵烨蔡道林冯良桓
- 关键词：CDTE薄膜
- 全文增补中
- P型Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜的制备及性质研究
- 2013年
- 采用Cu对共蒸发法制备的Cd1-xZnxTe薄膜进行p型掺杂。用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下Cd1-xZnxTe薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化。结果表明掺Cu 10%的薄膜在退火后导电类型由P型转变为N型、电阻率增大了几个数量级;掺铜20%的样品退火后导电类型和电阻率未发生明显改变,退火后薄膜表面较为均匀完整;掺铜30%的薄膜透过率显著下降到10%以下,退火前后均为P型薄膜。
- 赵宇江洪超武莉莉冯良桓曾广根王文武张静全李卫
- 关键词：P型掺杂退火
- 石墨烯的发展现状被引量：4
- 2012年
- 简述了近几年来石墨烯的制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积法、溶液合成法、外延生长法.并对石墨烯的分数量子霍尔效应、透明性、掺杂特性等性质及应用作了概述.最后,对石墨烯未来的发展作了展望.
- 母志强朱喆杨镓溢杨雨梦杨毓晋李卫冯良桓张静全武莉莉
- 关键词：石墨烯分数量子霍尔效应透明性
- 一种单基底四端级联钙钛矿-碲化镉叠层太阳电池
- 本发明属于一种利用半导体材料的光生伏打效应，直接将光能转换为电能的光电器件，属于太阳电池新型结构设计及器件制备之技术领域。由于碲化镉太阳电池及钙钛矿太阳电池吸光体对太阳光谱的吸收范围有限，器件效率均小于26%。可通过在同...
- 赵德威郝霞任胜强武莉莉张静全
- CdTe薄膜的射频磁控溅射制备及表征被引量：4
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术制备了CdTe薄膜,使用探针式台阶仪、X射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜等表征了薄膜的厚度、结构、透过率、表面形貌等随溅射工艺的变化.结果表明:沉积速率随着功率的增加而增加,随气压的增加而呈线性减小;薄膜的结晶程度随气压增大而降低;功率从100 W增大到180 W,出现了CdTe薄膜晶相从立方相向六方相的转变;当沉积条件为纯氩气氛、气压0.3 Pa、功率100 W、室温时,沉积的CdTe薄膜结晶性能最好.
- 王波张静全王生浩冯良桓雷智武莉莉李卫黎兵曾广根
- 关键词：射频磁控溅射CDTE禁带宽度
- 含氯气氛退火对CdTe薄膜性质影响的交流阻抗研究被引量：2
- 2011年
- 对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件(CPE)等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶粒体电阻、晶界电阻、弛豫时间的影响。结果表明,随退火温度的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,弛豫时间缩短。
- 付文博刘庭良何绪林张静全冯良桓武莉莉李卫黎兵曾广根王文武
- 关键词：CDTE多晶薄膜交流阻抗晶界
- Cd_xTe薄膜的共蒸发法制备及其表征
- 2015年
- 采用Cd Te和Te双源共蒸发的方法,调控Cd Te和Te源的蒸发速率,首次制备出一系列不同x组分的CdxTe二元化合物薄膜,并在N2气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外–可见吸收光谱分析及暗电导率–温度关系对CdxTe薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外–可见吸收光谱分析表明,不同x组分的CdxTe薄膜,其禁带宽度可在0.99～1.46 e V之间变化,随着x值从0.8减小到0.2,吸收边向长波方向移动,而且透过率也显著下降。XRD结果表明,x值小于0.6时,刚沉积的CdxTe薄膜为非晶相;随着x的值逐渐靠近1,刚沉积的薄膜明显结晶,沿Cd Te（111）方向择优生长,退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。CdxTe薄膜的导电类型为p型,其暗电导率随温度的上升而增大,当温度继续升高至临界点时,薄膜暗电导率–温度关系出现反常。这些结果表明,CdxTe薄膜将有望用于Cd Te薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。
- 束青武莉莉冯良桓王文武曹五星张静全李卫黎兵
- 关键词：CDTE太阳电池
- 一种锑化铝透明薄膜太阳电池
- 一种锑化铝透明薄膜太阳电池，属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计。其结构为玻璃/CTO/ZTO/CdS/AlSb/单壁碳纳米管涂层/Ni/Al/MgF<Sub>2</Sub>，即在玻璃上先沉积透明导电膜CZT，然后沉积缓...
- 李卫冯良桓吕彬蔡亚平张静全黎兵武莉莉雷智郑家贵孙震谢晗科
- 文献传递
- 一种太阳电池电解水制氢的系统
- 本发明公开了一种通过太阳电池直接电解水制取氢气的系统。太阳电池电解水制氢的系统主要包括透明电解池、太阳电池、反射镜、隔膜等组成。进入系统的太阳光直接照射在太阳电池上或者经过电解池底部的反射镜反射到太阳电池上，产生电子‑空...
- 王文武冯良桓曾广根张静全武莉莉李卫赵德威黎兵郝霞
- 文献传递
