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彭勇殿

作品数:76 被引量:52H指数:5
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>

文献类型

  • 68篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 28篇芯片
  • 22篇衬板
  • 18篇母排
  • 18篇IGBT模块
  • 15篇半导体
  • 14篇封装
  • 11篇IGBT
  • 10篇功率模块
  • 9篇集电极
  • 9篇焊料
  • 8篇基板
  • 7篇模块封装
  • 7篇绝缘
  • 7篇功率半导体
  • 7篇发射极
  • 6篇弹簧
  • 6篇压接
  • 6篇半导体模块
  • 5篇电感
  • 5篇电路

机构

  • 75篇株洲南车时代...
  • 1篇南车株洲电力...

作者

  • 76篇彭勇殿
  • 43篇方杰
  • 42篇常桂钦
  • 34篇刘国友
  • 25篇曾雄
  • 21篇肖红秀
  • 18篇贺新强
  • 9篇赵洪涛
  • 9篇颜骥
  • 7篇彭明宇
  • 7篇万正芬
  • 6篇黄建伟
  • 6篇赵德良
  • 5篇李世平
  • 5篇罗海辉
  • 4篇丁荣军
  • 4篇张泉
  • 4篇唐龙谷
  • 4篇张明
  • 3篇雷云

传媒

  • 5篇大功率变流技...
  • 1篇机车电传动
  • 1篇变流技术与电...

年份

  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 9篇2017
  • 9篇2016
  • 11篇2015
  • 15篇2014
  • 9篇2013
  • 8篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2004
76 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高性能碳化硅混合功率模块研制被引量:6
2013年
报道了一种基于自主封装技术的高性能、高效率碳化硅(SiC)混合功率模块,该功率模块的反向阻断电压为1 200 V,正向导通电流为480 A。动态测试表明,其峰值反向恢复电流Irr仅为-115 A,关断延迟时间td(off)为3.36μs,关断能量损耗Eoff为296.82 mJ,开通延迟时间td(on)仅为0.66μs,开通能量损耗Eon仅为242.27 mJ,输出功率可达到百千瓦级别。与传统的硅基IGBT模块相比,该碳化硅混合功率模块大大降低了模块的能量损耗。
邵云史晶晶李诚瞻彭勇殿
关键词:SICSBDIGBT能量损耗
一种IGBT模块母排抛光方法及抛光工装
本发明公开了一种IGBT模块母排抛光的方法及抛光工装,该方法的步骤为:(1)通过计算得到模块上各个母排的抛光面面积大小和分布,同时利用模块上母排弯折后其抛光面与模块管盖间的距离;(2)依据步骤(1)的数据得到抛光工装;(...
彭明宇方杰贺新强彭勇殿李继鲁吴煜东
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高压直流输电系统故障电流下晶闸管的温升计算被引量:8
2008年
在分析HVDC晶闸管最大故障电流与结温关系的基础上,建立瞬态热阻抗模型,提出了一种计算晶闸管温升的优化算法,并进行了仿真计算。
彭勇殿李世平黄建伟刘国友
关键词:HVDC晶闸管结温
一种衬板结构
本发明公开了一种衬板结构,包括AlN陶瓷层、正面覆铜层、背面覆铜层以及正面的阻焊层,所述正面覆铜层上的母排焊接区处和/或芯片焊接区的周沿处设置限位件,所述限位件用来在焊接过程中对焊片以及芯片和/或母排的引脚进行定位。本发...
李继鲁方杰常桂钦贺新强曾雄彭明宇彭勇殿颜骥
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双L型均流耐应力IGBT模块母排端子
本发明公开了一种双L型均流耐应力IGBT模块母排端子,包括发射极母排和集电极母排,所述发射极母排的下方设有两个L型的第一引脚,所述集电极母排的下方设有两个L型的第二引脚,所述两个第一引脚、两个第二引脚在焊接时处于同一条直...
常桂钦彭勇殿李继鲁吴煜东
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碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块
本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法,包括以下步骤:在钼板上焊接一层氮化铝隔离层,将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中,与钼板焊接;在碳化硅芯片上焊接钼块,钼块上预留门极引线槽;将引线放置在门极引线槽内,焊接固定,收...
丁荣军罗海辉刘博曾文彬雷云吴煜东刘国友彭勇殿张明
电力电子装置及其混合功率模块、混合功率模块的形成方法
本发明实施例公开了一种电力电子装置及其混合功率模块,和该混合功率模块的形成方法。其中,所述混合功率模块包括:IGBT开关器件;阴极与所述IGBT开关器件的集电极相连,阳极与所述IGBT开关器件的发射极相连的碳化硅肖特基势...
李诚瞻刘可安冯江华史晶晶彭勇殿
文献传递
一种功率半导体芯片焊接装置
本发明公开了一种功率半导体芯片焊接装置,应用于大功率高压半导体模块焊接。功率半导体芯片焊接装置包括:底板、绝缘元件固定框架、绝缘元件和半导体芯片固定框架,绝缘元件固定框架固定在底板上方形成绝缘元件固定工位,绝缘元件放置在...
张泉李继鲁徐先伟彭勇殿吴煜东
压接式半导体模块及其制作方法
本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法,模块包括:半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT(或MOSFET)芯片,下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。...
方杰李继鲁窦泽春肖红秀常桂钦彭勇殿刘国友
文献传递
一种用于将片状焊料固定在IGBT模块基板上的焊接工装
本实用新型公开了一种用于将片状焊料固定在IGBT模块基板上的焊接工装,包括焊片定位工装和衬板固定工装,所述焊片定位工装和衬板固定工装均为矩形,且大小与IGBT模块基板大小匹配;所述矩形的两条侧边上开设有若干个定位孔;所述...
曾雄张泉李继鲁彭勇殿吴煜东赵德良
文献传递
共8页<12345678>
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