徐志平
- 作品数：11 被引量：14H指数：2
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一个新的脊背式硅光波导定向耦合器计算模型
- 1997年
- 本文提出一个导波区域的等效折射率模型，并应用介质光波导的强耦合理论和有效折射率方法，给出一个较合理的大尺寸单模脊背式半导体光集成中定向耦合器的理论计算模型。
- 徐志平程东方孙乃疆赵冷柱
- 关键词：定向耦合器
- 700V外延LDMOS模型的建立与参数提取
- 2006年
- 本文借助二维数值模拟软件MEDICI对700V外延型LDMOS特性进行分析,对其电流饱和机理做了研究,在此基础上采用宏模型的建模方法,给出LDMOS的等效电路模型。并用参数提取软件Aurora,提取了相应得参数。在Cadence下仿真取得了较好的效果。
- 王邦麟程东方徐志平关彦青
- 关键词：LDMOS等效电路模型
- 平面器件1000伏终端结构的CAD研究
- 徐志平仇卫平朱熙
- 关键词：计算机辅助设计P-N结击穿电压电场分布
- 高压功率集成电路中LDMOS的设计研究被引量：4
- 2004年
- 高压功率集成电路 ( HVPIC) ,是指将需要承受高电压 (达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。本文以器件模拟软件 MEDICI为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了一种适用于高压功率集成电路的单晶结构的 LDMOS的设计问题 ,其中包括器件的 N阱掺杂浓度、衬底浓度、P反型层浓度和结深等主要参数对击穿电压的影响 ,重点分析了 N阱中 P型反型层与漏极 N+ 区距离 Lp 对器件耐压的影响 ,并分析了相应的物理意义。仿真结果表明 ,Lp 对器件耐压有明显的影响。通过优化设计对应于各个参数器件的击穿电压变高 ,并且受工艺参数波动影响较小 。
- 高海程东方徐志平
- 关键词：MEDICILDMOSRESURF
- 适用于智能功率IC的700v Double-Resurf Ldmos研究被引量：5
- 2007年
- 本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resurf Ldmos。该高压管的生产工艺和标准的CMOS工艺完全兼容,只需要增加3张掩模板。通过优化工艺参数,用Medici仿真的最高耐压可以达到800v,导通电阻为16Ω,可以广泛应用于各种功率控制电路。
- 王书凯程东方徐志平沈文星
- 关键词：计算机辅助设计技术
- 平面器件1000伏终端结构的CAD研究
- 徐志平仇卫平朱熙
- 关键词：计算机辅助设计P-N结击穿电压电场分布
- DC-DC转换器中功率沟槽MOSFET的优化设计被引量：2
- 2007年
- 利用工艺和器件模拟软件TSUPREM-4和MEDICI,研究了工艺参数对DC-DC转换器中的功率沟槽MOSFET的通态电阻Ron、栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在设计和工艺上减小通态电阻Ron和栅-漏电容Cgd,提高器件综合性能的途径。
- 沈伟星冉峰程东方徐志平
- 关键词：通态电阻
- 基于TCAD的低压沟槽MOSEFT栅漏电荷的研究被引量：1
- 2007年
- 对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能,栅-漏电荷Qgd是一个重要的参数。本文利用数值模拟软件TCAD(器件与工艺计算机辅助设计),研究了氧化层厚度、沟道杂质分布、外延层杂质浓度及沟槽深度等参数对功率沟槽MOSFET的栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在工艺设计上减小栅-漏电容Cgd,降低器件优值,提高开关性能的途径。
- 沈伟星冉峰程东方徐志平
- 为网格计算服务的集群管理系统的研究与实现
- 随着网格计算的高速发展,集群系统如何更好的为网格计算服务显得越来越重要,而对于构造一个高效的、实时的、方便的集群管理系统就显得十分的重要和迫切.因为集群管理系统实际上是网格计算的基础,只有打好这个基础,网格计算才能更快的...
- 徐志平
- 关键词：集群管理系统网格服务
- 文献传递
- 小尺寸功率VDMOS晶体管中准饱和效应的研究被引量：2
- 2005年
- 分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生JFET电阻Rj和MOS沟道电阻Rch的分压作用,致使在MOS沟道内载流子漂移速度由饱和变为不饱和,而在寄生JFET沟道中载流子漂移速度由不饱和变为饱和,造成器件在高栅源电压VGS时,器件漏端电流IDS大小与栅源电压VGS无关,从而形成准饱和效应.
- 张珺程东方徐志平
- 关键词：VDMOS准饱和效应导通电阻
