曹璐
- 作品数：4 被引量：15H指数：2
- 供职机构：辽宁师范大学更多>>
- 发文基金：辽宁省自然科学基金辽宁省高校创新团队支持计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 纳/微米半导体氧化物(氧化锌和三氧化二镓)的制备及其特性分析
- 准一维纳米材料，如纳米管、纳米线、纳米带等，以其特殊的物理和化学性质，以及在纳米器件、光电子器件、微传感器等多方面潜在的应用前景，已成为纳米科技研究的热点。当前，以氧化锌、氧化镓等为代表的宽禁带半导体更是因为其独特的性质...
- 曹璐
- 关键词：氧化锌准一维纳米材料电学特性
- 文献传递
- ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究被引量：9
- 2008年
- 采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30—200μm,直径80—750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al不同功函的金属隔离沟道两端,构建出了最基本的ZnO纳米线绝缘栅场效应管.研究了沟道类型、纳米线直径、退火温度和外加栅压对ZnO纳米线场效应管I-V特性的影响.利用半导体与金属材料的肖特基接触、欧姆接触的产生机理及电子输运理论,对结果进行了分析和讨论.
- 张威李梦轲魏强曹璐杨志乔双双
- 关键词：ZNO纳米线场效应管I-V特性
- 纳/微米ZnO同质结器件的制备及电子学特性研究被引量：2
- 2007年
- 用低压化学气相沉积法制备了T形和V形纳/微米ZnO同质结,用扫描电子显微镜(SEM)和高倍光学成像显微镜观察了同质结的结构与生长形貌,分析了其结构及生长机理。利用ZnO同质结组装成了纳/微米ZnO同质结器件,分析研究了这些器件的I-V特性,并对I-V特性变化规律进行了分析讨论。
- 曹璐李梦轲魏强张威
- 关键词：电子学特性
- 取向Zn(1-x)MgxO纳米线阵列的制备及光学特性被引量：4
- 2008年
- 采用化学气相沉积(CVD)法,以高纯ZnO、Mg和活性C混合粉末为原料,在Si(111)衬底上制备了不同配比的取向Zn1-xMgxO纳米线阵列.用X射线衍射仪(XRD),扫描电镜(SEM),能量色散X射线分析(EDAX)及光致发光(PL)光谱分析仪对样品的晶体结构、形貌、成分组成和光致发光特性进行了分析.用霍尔效应测量系统测试了不同配比样品的载流子浓度.实验发现,当Zn1-xMgxO纳米线阵列中Mg原子相对Zn原子摩尔比x值较小时(x<0.29),XRD衍射谱中只有ZnO晶体标准衍射峰,没有MgO晶体衍射峰,说明此时制备的Zn1-xMgxO纳米线样品晶格结构以ZnO纤锌矿结构为主,Mg原子只是作为替位或填隙原子分布在ZnO晶体中.但当样品中x>0.53时,ZnO与MgO的特征衍射峰同时出现在样品的衍射谱图中,说明随原料中Mg原子摩尔比的增加,制备的Zn1-xMgxO纳米阵列样品中ZnO纤锌矿结构与MgO岩盐结构同时存在,样品呈现多晶体结构形式.实验还对比了制备的纯ZnO与不同配比的Zn1-xMgxO纳米线阵列的光致发光光谱和载流子浓度,发现随Mg含量的增加,Zn1-xMgxO阵列紫光发光峰出现了较明显的蓝移现象,同时,测试结果也表明,随Mg含量的增加,Zn1-xMgxO阵列的紫光和绿光峰发光强度都有所减弱,样品的载流子浓度也随之下降.文章对实验结果进行了分析和探讨.
- 魏强李梦轲杨志曹璐张威梁红伟
- 关键词：化学气相沉积纳米线阵列光致发光
