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李志聪

作品数：19 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 9篇氮化镓
  • 7篇衬底
  • 6篇发光
  • 5篇成核
  • 4篇氮化
  • 4篇二极管
  • 4篇发光二极管
  • 3篇多量子阱
  • 3篇应力
  • 3篇再结晶
  • 3篇红光LED
  • 3篇高温
  • 3篇高温处理
  • 2篇氮化铝
  • 2篇氮化物
  • 2篇氮化镓基发光...
  • 2篇倒装
  • 2篇电注入
  • 2篇应力释放
  • 2篇图形衬底

机构

  • 19篇中国科学院

作者

  • 19篇李志聪
  • 18篇王国宏
  • 15篇李璟
  • 9篇李晋闽
  • 9篇王兵
  • 9篇姚然
  • 8篇梁萌
  • 7篇王军喜
  • 7篇李鸿渐
  • 7篇李盼盼
  • 5篇伊晓燕
  • 5篇张逸韵
  • 3篇闫发旺
  • 1篇梁萌

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
LED芯片结构及其制备方法
本公开提供了一种LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底、外延层、PN电极层和感光显影层，外延层形成于所述衬底的表面上；PN电极层形成于所述外延层的表面上，且位于所述外延层表面的两端；感光显影层覆盖所述衬底...
王国宏李璟李志聪
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光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法
本发明公开了一种光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法，该器件包括：带谐振腔的红光LED量子阱结构；以及出射面键合于该红光LED量子阱结构入射面的倒装蓝光LED芯片；其中，该倒装蓝光LED芯片发出的蓝光光子激发该红光...
王国宏陆兴东李璟李志聪
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MicroLED发光阵列结构
本公开提供了一种MicroLED发光阵列结构，该结构包括：多个MicroLED像素单元，成行线和列线互联的阵列结构排列；所述MicroLED像素单元包括：衬底；MicroLED像素单元基片，形成于所述衬底上；以及吸收层，...
王国宏李志聪李璟
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MicroLED三基色发光结构及其制备方法
本发明公开了一种MicroLED三基色发光结构及其制备方法，涉及光电显示技术领域。所述发光结构包括：显示基板；位于所述显示基板上的无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构；位于所述显示基板上的无衬底红光OLED结构，与所述无衬底...
王国宏李璟张逸韵李志聪
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法
一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法
本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多...
李盼盼李鸿渐张逸韵李志聪梁萌李璟王国宏
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一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓...
王兵李志聪王国宏闫发旺姚然王军喜李晋闽
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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半导体芯片及其制备方法
本公开提供了一种半导体芯片，包括：基层芯片，以及电极层，设置在所述基层芯片上，其中，所述电极层形成多个孔；其中，所述电极层的熔点小于300℃，并且由锡、铟合金材料和锡合金材料中的一种制成。
王国宏李志聪李璟张逸韵
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