杨慧光
- 作品数：9 被引量：24H指数：3
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- ZnGeP_2单晶生长温场研究被引量：2
- 2009年
- 根据ZnGeP2（ZGP）晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达φ15 mm×35 mm。对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体易沿（101）面解理,其回摆峰尖锐无劈裂。对未经退火处理的晶片进行红外透过率测试,在2-12μm波段内红外透过率达45%以上。研究结果表明所设计的温场适合于ZGP单晶生长,生长出的ZGP晶体完整性好、质量较高。
- 孙永强赵北君朱世富赵欣杨慧光程江张羽陈宝军何知宇
- 关键词：晶体生长红外透过率X射线衍射
- 磷锗锌(ZnGeP_2)单晶体生长研究被引量：3
- 2008年
- 以高纯(6N)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料。以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹。对晶体进行解理试验发现,其存在(112)和(101)两个易解理面;对10×10×2 mm3ZnGeP2晶片,采用同成分粉末包裹,在550~600℃真空退火后,经红外透过率测试结果显示:在2~12μm波段内红外透过率可达55%以上。
- 赵欣朱世富赵北君杨慧光孙永强程江陈宝军何知宇
- 关键词：单晶生长X射线衍射红外透过率
- 气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究
- 以晶体生长理论为基础,计算了气相提拉生长 CdSe 晶体时的生长速率．结果表明用提拉法气相生长 CdSe 晶体时,晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度,以后不再变化．由此,在选定温场的前提下...
- 何知宇赵北君朱世富任锐温才叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE晶体生长
- 文献传递
- CdSe晶片的红外透过率研究
- 将采用多级提纯、垂直无籽晶气相提拉法生长的CdSe晶锭切割,获得沿径向位置分布的0.8mm厚的系列晶片,利用日本SHIMAZU公司的Irpresting-21傅立叶变换红外光谱仪对该晶片组的红外透过率进行了测试。测试结果...
- 何知宇赵北君朱世富叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE
- 文献传递
- 通过退火研究ZnGeP_2晶体中点缺陷与红外透过率的关系被引量：2
- 2008年
- 以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和I-V曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×106Ω.cm。经定向切割后,得到10mm×10mm×2mm的ZnGeP2晶片,分别置于高纯红磷和ZnGeP2同成分粉末的氛围,在550℃进行退火处理。结果表明,P气氛中退火,晶片红外透过率的提高不明显;而在ZnGeP2粉末包裹氛围中退火,晶片的红外透过率在短波范围内得到了有效提高,在2～10μm波段则提高到近60%左右,说明VZ-n对该条件下生长的ZnGeP2单晶红外透过率影响较大,而V0P的影响较小。
- 程江朱世富赵北君赵欣陈宝军何知宇杨慧光孙永强张羽
- 关键词：点缺陷退火红外透过率
- 两温区气相输运和机械振荡合成ZnGeP_2多晶材料被引量：10
- 2008年
- ZnGeP2多晶的合成是其单晶生长的前提和基础,多晶材料的质量是生长高质量单晶的关键。因此,要获得高质量的ZnGeP2单晶体,必须提供高质量的ZnGeP2多晶材料。对两温区气相输运机械振荡法合成ZnGeP2多晶材料的工艺进行了研究,利用高纯(6N)P、Ge、Zn单质为原料,采用两温区气相输运和机械振荡合成出了ZnGeP2多晶材料。合成出的多晶材料经比重测试和X射线粉末衍射测试证明与标准值一致。采用改进的布里奇曼法生长出外观完整、无裂纹的15mm×25mm单晶体,在2.5～10μm范围内红外透过率达50%以上。
- 杨慧光朱世富赵北君赵欣何知宇陈宝军孙永强
- 关键词：三元化合物多晶合成机械振荡
- 气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究被引量：1
- 2007年
- 以晶体生长理论为基础，计算了气相提拉生长CdSe晶体时的生长速率。结果表明用提拉法气相生长CdSe晶体时，晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度，以后不再变化。由此，在选定温场的前提下，对CdSe单晶体的气相生长速度进行了优化，确定了3mm／d的生长速度，得到了平界面生长的尺寸为Ф20mm×30mm，电阻率高达10^9Ω·cm，且未观察到深能级陷阱的优质CdSe大单晶体.
- 何知宇赵北君朱世富任锐温才叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE晶体生长
- CdSe晶片的红外透过率研究被引量：9
- 2007年
- 将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SH IMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含量进行了测试,依据晶片对红外光的吸收机理,讨论了CdSe晶片在中红外区域透过率的理论值和影响其红外透过率的主要因素,研究了红外透过率与晶片性能的内在联系,为探测器级CdSe晶片的筛选提供了一种简便有效的方法。
- 何知宇赵北君朱世富叶林森钟雨航王立苗杨慧光曾体贤
- 关键词：探测器材料红外光谱
- 通过退火研究ZnGeP2晶体中点缺陷与红外透过率的关系
- 以富P2‰配比合成的ZnGeP多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和Ⅰ-Ⅴ曲线表明,生长的ZnGeP晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×10～6Ω·cm。经定向切割后,得到10 mm×1...
- 程江朱世富赵北君赵欣陈宝军何知宇杨慧光孙永强张羽
- 关键词：点缺陷退火红外透过率
- 文献传递
