沈桂芬
- 作品数：33 被引量：79H指数：5
- 供职机构：辽宁大学物理系更多>>
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- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学机械工程更多>>
- 正方形膜片微压传感器设计分析及各向异性腐蚀技术
- 1991年
- 本文介绍了正方形膜片微压传感器的结构,分析了其设计思想。并就利用正方形膜片开发的微压传感器的灵敏度作了分析,与同尺寸的圆形膜片比较其灵敏度提高了20%。最后较详细的讨论了微压传感器研制中关键问题——各向异性腐蚀技术。
- 张九惠沈桂芬
- 关键词：微压传感器
- 微压传感器的设计分析
- 1988年
- 本文分析了压阻式扩散硅压力传感器的设计原理:对微压传感器的关键问题提出了各向异性腐蚀,掺高浓度硼停止腐蚀;用E型杯代替C型杯的设计,初步研制了量程小于1000mm水柱高,精度小于0.5%的微压传感器。
- 张久惠沈桂芬杨学昌
- 关键词：微压传感器压阻式压力传感器设计原理线性度晶向
- 硅杯腐蚀技术的研究
- 1993年
- 本文在大量实验的基础上,对微压传感器中硅杯形成的各向异性腐蚀技术的机理进行了详细分析,提出了几种切实可行的膜厚控制方法与正面图形的保护方法.对实验结果进行了分析与讨论,提出有价值的结论.
- 沈桂芬张九惠
- 关键词：微压传感器
- “联合技术”测量界面态分布的几个问题的分析
- 1988年
- 本文以实验事实为依据详细地分析了用“联合技术”测量界面态密度可能产生误差的几种因素,例如归一化值的线性度偏差、扫描速率大小的选择,地电势的偏差等,提出了避免误差,提高测量精度的方法。还讨论了磷处理工芝、合金工艺及光照等对界面态密度的影响.
- 沈桂芬
- 关键词：界面态密度合金工艺表面势氧化层线性度
- 多孔硅形貌的观测与生长机理分析被引量：3
- 1997年
- 本文在实验基础上，对多孔硅的形成形貌学进行了研究。用日立Ｓ－７５０型扫描电镜观测了不同条件下生长的多孔硅的正面和侧面孔的形貌。对得到的实验结果进行了较为详细的分析。
- 沈桂芬黄和鸾王正荣高博静刘岩郭兴家李莹
- 关键词：多孔硅阳极氧化量子限制效应
- 硅压力传感器的非线性分析及优化设计被引量：6
- 2003年
- 分析了硅压力传感器的线性与非线性 ,讨论了非线性产生的原因 。
- 沈桂芬付世丁德宏姚朋军张宏庆范军吕品
- 关键词：压力传感器非线性线性度内补偿
- 多孔硅形成机理研究的新进展被引量：2
- 2003年
- 更深入地分析了多孔硅形成的几种模型 ,对影响多孔硅形成的几个关键因素提出了新观点 ,描述了多孔硅的形成过程的一些特性 。
- 付世丁德宏姚朋军单新华沈桂芬
- 关键词：多孔硅晶向散射孔隙度半导体材料
- SiC埋层的制备与性质研究被引量：4
- 2002年
- 在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层。通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层进行了测试与分析。结果表明在此条件下,在Si中可以形成一定的SiC埋层,并且C+离子注入硅衬底可以形成β-SiC和α-SiC。SiC埋层主要由非立方相的α-SiC和立方相的β-SiC所构成。
- 吴春瑜沈桂芬王颖朱长纯李玉魁白纪彬
- 关键词：离子束合成半导体材料
- Matlab在计算半导体费米能级和载流子浓度中的应用被引量：11
- 2001年
- 介绍了一种新的利用Matlab软件绘图功能的图解法计算费米能级以及载流子浓度的方法 ,这种方法舍弃了传统的繁琐的数值计算及计算机编程 ,具有简单、方便、直观等特点 .
- 姚朋军沈桂芬
- 关键词：MATLAB费米能级载流子浓度图解法半导体
- 微压传感器制造中的硅杯腐蚀被引量：2
- 1989年
- <正> 一、前言 对于杯式扩散硅压力传感器来讲,硅杯是决定其性能优劣的关键部件。我们知道,工作压力P与硅杯的几何尺寸应满足下式要求: 其中,r为硅杯半径;h为膜片厚度;σ_c为硅的弹性极限,σ_c=8×10~7Pa。(1)
- 杨学昌张九惠沈桂芬
- 关键词：微压传感器传感器
