公共文化服务平台

王根水: 作品数：241 被引量：134H指数：7; 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>; 相关领域：化学工程理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法: 本发明涉及一种低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法，以硅片为衬底，引入LaNiO3缓冲层后采用SrRuO3靶材在400~600℃的温度范围内溅射获得所述具有高...; 董显林李涛王根水陈莹; 文献传递

一种兼具场致增强热释电性能和宽温区电卡效应新型陶瓷材料及其制备方法: 本发明涉及一种兼具场致增强热释电性能和宽温区电卡效应新型陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷材料的组成通式为：PbxCaySr(1‑x‑y)TiO3<...; 王根水韩刘洋郭少波董显林; 文献传递

合成工艺对固相法制备高四方性纯钛酸钡粉体的影响: 2024年; 钛酸钡是一种重要的功能陶瓷材料,因具有优异的电学性能而被广泛应用于多层陶瓷电容器(MLCC)等电子元器件。本研究以碳酸钡和二氧化钛为原料,采用固相法制备形貌均匀且四方性高的BaTiO_(3)粉体,系统研究了合成工艺(合成温度、升温速率和保温时间)对BaTiO_(3)粉体的影响。通过TG/DTA、XRD和SEM等测试手段对BaTiO_(3)粉体进行表征,结果表明:合成温度主要影响BaTiO_(3)粉体的四方性,保温时间和升温速率主要影响BaTiO_(3)粉体的粒径和粒度分布;原材料经过90 r/min球磨24 h后,在合成温度1050℃、升温速率5℃/min和保温时间3 h的条件下,制备了平均粒径为400 nm、四方性(c/a)为1.0091的形貌均匀的BaTiO_(3)粉体。本工作为固相法制备高可靠性MLCC用纯BaTiO_(3)粉体提供了良好的研究思路。; 路宇周斌周斌赵国祥韩冰王根水; 关键词：钛酸钡固相法合成工艺

有机弱极性材料交替LB膜的铁电性被引量：1: 2003年; 对氮冠醚(NC)和花生酸(AA)LB膜(Z型以及交替Y型)的铁电性进行了研究.结果发现:在氮冠醚/花生酸交替Y型LB膜、掺Ba^(2+)的和掺Mn^(2+)的花生酸的Z型膜以及纯的氮冠醚和花生酸的Z型膜中均观察到了电滞回线,亦即说明它们都具有铁电性,并且它们各自对应的剩余极化强度大小分别为:9400,180,650,450和15μC·m^2.由此可以推知:Ba^(2+) ,Mn^(2+)等离子掺入的离子转移效应以及交替膜的层间相互作用对LB膜的铁电性有比较大的增强效应.; 李淑红马世红李波孙璟兰王根水褚君浩王文澄; 关键词：铁电性热释电性电滞回线红外探测器

镧锶钴氧导电薄膜材料的制备方法: 本发明提供了一种镧锶钴氧导电薄膜材料的制备方法，该方法包括先驱体溶液的配制，即将溶剂醋酸、去离子水、乙酰丙酮和溶质醋酸镧、醋酸锶和醋酸钴以0.2-0.4M的浓度在一定的温度下混合和将配制好的先驱体溶液用匀胶机甩开得到干膜...; 王根水褚君浩孟祥建孙璟兰郭少令; 文献传递

一种组合孔结构PZT95/5铁电陶瓷及其制备方法: 本发明公开一种组合孔结构PZT95/5铁电陶瓷及其制备方法。所述组合孔结构PZT95/5铁电陶瓷包括PZT95/5铁电陶瓷基体和分布于所述PZT95/5铁电陶瓷基体中的、由位于PZT95/5晶粒内部的晶内微孔和位于PZT...; 聂恒昌董显林王根水; 文献传递

钛酸锶钡热释电陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种钛酸锶钡热释电陶瓷，为圆片ΦD×t(mm)，其中50≤D≤105、4≤t≤20，相对密度≥96%。其以固相法制粉、等静压成型和通氧烧结工艺而成，主要工艺过程如下：以BaCO3、SrC...; 姚春华陈建和毛朝梁董显林王根水曹菲; 文献传递

钇铁石榴石薄膜材料及其制备方法: 本发明涉及钇铁石榴石薄膜材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：步骤一：清洗Si/SiO2衬底表面；步骤二：通过射频磁控溅射方法在清洗好的衬底表面溅射钇铁石榴石薄膜，其中，靶材为Y3</S...; 董显林连建芸陈莹王根水; 文献传递

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜结构和性能的影响被引量：8: 2003年; 在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。; 赖珍荃李新曦俞进王根水郭少令褚君浩; 关键词：PZT铁电薄膜铁电性能介电性能射频磁控溅射

一种高居里温度无铅热释电陶瓷材料及其制备方法: 本发明涉及一种高居里温度无铅热释电陶瓷材料及其制备方法，所述高居里温度无铅热释电陶瓷材料的组成化学式为CaxSr0.3-xBa0.7Nb2</S...; 毛朝梁薛鲁董显林王根水曹菲; 文献传递