王胜
- 作品数:67 被引量:53H指数:4
- 供职机构:北京大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科委基金更多>>
- 相关领域:一般工业技术理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法
- 本发明提出一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法,是利用当碳纳米管与金属接触时,半导体性碳纳米管会形成肖特基势垒,而金属性碳纳米管则不会,故半导体性碳纳米管接触形成的电阻更大,造成同样电压下半导体性碳纳米管电流比金属...
- 仲东来张志勇彭练矛王胜
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- 一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备
- 本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子...
- 彭练矛梁学磊陈清张志勇王胜胡又凡姚昆
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- 基于小型加速器的编码中子源成像研究
- 2013年
- 编码中子源成像可以在对中子注量率影响不大的情况下大大提高成像的准直比,从而提高成像质量.北京大学开展了基于小型加速器的编码中子源成像技术研究工作.不同于已有的基于反应堆的小面积编码板的研究工作,北京大学建立了基于小型加速器的大面积编码板的编码中子源成像实验平台,并对加速器中子源上的实验方法和数据处理进行了探索,对比了重建算法,获得了初步的重建照片.研究工作表明,编码中子源成像技术可用于加速器中子源,但重建图像质量仍须提高.
- 王胜邹宇斌温伟伟李航刘树全王浒陆元荣唐国有郭之虞
- 关键词:图像重建
- 单层MoS_2的电调制荧光光谱特性被引量:3
- 2016年
- 采用化学气相沉积法在氧化硅衬底上合成大面积、高质量的单层MoS2二维材料,系统表征了材料的光学特性,并制备出高性能的n型场效应晶体管器件.进一步研究了外加电场对其荧光光谱特性的影响.结果表明:在室温条件下,单层MoS2的荧光光谱的最强特征峰由A-(带电激子态)、A(本征激子态)两个发光峰构成,并且二者的特征能量差约为35meV;通过调节底栅电压,测得发光峰随着栅压由负变正表现出明显的峰位红移和强度改变,且两个子峰的强度随栅压变化表现出相反的变化趋势;外加电场能够有效改变沟道中的载流子浓度,进而改变单层MoS2荧光光谱的强度和发光峰形状.为研究二维材料发光特性的物理机制提供了重要依据,此外这种器件的大规模制备为其应用于光电子学器件与系统提供了可能.
- 王亚丽林梓愿柴扬王胜
- 关键词:光电器件荧光光谱MOS2激子光调制
- 一种红外光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种红外光电探测器及其制备方法。本发明的探测器包括一衬底,在该衬底上依次为光学微腔的下反射镜、下光程差补偿层、上光程差补偿层、光学微腔的上反射镜,所述光学微腔内有作为吸光材料和导电通道的半导体碳纳米材料光电器...
- 梁爽王胜魏楠彭练矛
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- 一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法
- 本发明公开了一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法,氧化钇直接作为碳基场效应晶体管的顶栅介质。以碳纳米管或石墨烯等碳基材料作为导电通道,在沟道区域生长一层金属钇薄膜,然后通过热氧化的方法将钇氧化为氧化钇,得到的氧化钇...
- 王振兴张志勇彭练矛王胜
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- 一种基于碳纳米管的光电器件、光电集成电路单元及电路
- 本发明提出一种基于碳纳米管的光电器件,以碳纳米管作为导电通道,其一端具有高功函数金属电极,另一端具有低功函数金属电极,通过简单的结构即可实现多种功能器件,包括但不限于双极性场效应晶体管、无阻双极性二极管、发光二极管和光探...
- 彭练矛梁学磊张志勇王胜陈清
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- 镍合金中铝基残芯的中子标记成像检出灵敏度被引量:4
- 2012年
- 航空发动机叶片的型芯残留检测是铸造过程中的一项重要环节,与发动机叶片的工作安全性紧密相关。由于X射线难于透过镍基底发动机叶片,中子的高穿透性使中子成像在发动机叶片检测上更具优势。本文将中子标记成像运用于残芯检出,通过理论计算和中子成像实验探究了中子标记成像对简单结构镍合金中残芯的检出能力。结果表明,中子标记成像适用于简单结构的残芯检出,并具有很高的灵敏度。
- 李航温伟伟王胜邹宇斌郭之虞唐国有陆元荣吴士平杨芬
- 关键词:航空发动机叶片
- 历史主客体与社会基本矛盾的关系
- 主客体这对对象性的概念在哲学史上有着源远流长的历史,从古希腊的先哲到近代的康德、黑格尔,都在对它进行不断的探索与研究,但他们都没有从根本上正确理解这对概念,直到马克思在实践的基础上建立科学的唯物史观,才建立了科学的主客体...
- 王胜
- 关键词:马克思唯物史观社会基本矛盾先进生产力
- 一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法
- 本发明公开了一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法。本结构包括一硅基CMOS电路芯片、一石墨烯霍尔元件,芯片的核心电路区外围设有若干互连电极和压焊电极,芯片表面除互连电极、压焊电极之外的区域上方覆盖一钝化层,互连电极、压焊电...
- 徐慧龙张志勇彭练矛王胜
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