您的位置： 专家智库 > >

蒋梦轩

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：湖南大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇集电极
  • 3篇电流
  • 3篇电阻
  • 2篇导通
  • 2篇导通损耗
  • 2篇电流密度
  • 2篇电压
  • 2篇电压互感
  • 2篇电压互感器
  • 2篇势垒
  • 2篇损耗
  • 2篇碳化硅
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇晶体管
  • 2篇静态驱动
  • 2篇互感
  • 2篇互感器
  • 2篇集电极电流
  • 2篇过电压

机构

  • 8篇湖南大学

作者

  • 8篇蒋梦轩
  • 7篇帅智康
  • 7篇沈征
  • 7篇尹新
  • 4篇王俊
  • 4篇彭斌
  • 3篇周猛
  • 2篇陈功
  • 2篇黄昊
  • 2篇唐赛
  • 1篇孙冰冰

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
新型大功率绝缘栅双极晶体管的设计与试验研究
一代器件技术决定一代电力电子技术，每一代新型电力电子器件的出现，总是带来一场电力电子技术的革命。绝缘栅双极晶体管作为最有现实价值的电力电子器件，具有开关频率高、驱动电路简单、驱动功率小等特点，已广泛应用于工业电机节能、新...
蒋梦轩
关键词：绝缘栅双极晶体管系统设计电气特性
一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法。在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元，所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻，所述限流电阻一端连接所述...
廖淋圆唐赛王俊帅智康尹新沈征蒋梦轩
文献传递
一种基于栅极控制的串联IGBT均压电路
本实用新型公开了一种基于栅极控制的串联IGBT均压电路，将静态均压电阻同时作为采样电阻，将电压互感器与辅助IGBT的栅极、发射极相连，当出现过电压时，通过导通辅助IGBT，使辅助电容并联在IGBT的集电极和栅极之间，从而...
帅智康陈功沈征尹新孙冰冰廖淋圆蒋梦轩彭斌
文献传递
一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法。在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元，所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻，所述限流电阻一端连接所述...
廖淋圆唐赛王俊帅智康尹新沈征蒋梦轩
肖特基势垒高电流密度IGBT器件
本发明公开了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区、多晶硅栅极区、与P型基区下表面接触的N‑型掺杂漂移区及与N‑型掺杂漂移区下表面接触的第一器件，还包括：与P型基区上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区；...
蒋梦轩沈征王俊帅智康尹新廖淋圆彭斌周猛
文献传递
肖特基势垒高电流密度IGBT器件
本发明公开了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区、多晶硅栅极区、与P型基区下表面接触的N-型掺杂漂移区及与N-型掺杂漂移区下表面接触的第一器件，还包括：与P型基区上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区；...
蒋梦轩沈征王俊帅智康尹新廖淋圆彭斌周猛
文献传递
一种栅极嵌位的串联IGBT均压电路
本实用新型公开了一种栅极嵌位的串联IGBT均压电路，将静态均压电阻同时作为采样电阻，将电压互感器与辅助IGBT的栅极、发射极相连，当出现过电压时，通过导通辅助IGBT，使辅助电容并联在IGBT的集电极和栅极之间，从而实现...
沈征陈功帅智康尹新唐开毅黄昊熊正斌蒋梦轩
文献传递
一种霍尔直流过流感应开关
本实用新型公开了一种霍尔直流过流感应开关，包括直流电流感应模块、电压比较和跟随电路、信号输出电路，所述直流电流感应模块包括一开口聚磁环和固定在所述开口聚磁环开口上的线性霍尔电路；所述线性霍尔电路、电压比较和跟随电路、信号...
帅智康彭斌沈征尹新周猛黄昊熊正斌蒋梦轩
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0