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袁诗鑫

作品数：28 被引量：25H指数：3
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 19篇电子电信
  • 6篇理学

主题

  • 12篇晶格
  • 12篇超晶格
  • 7篇喇曼
  • 6篇多量子阱
  • 6篇ZNSE
  • 6篇ZNTE
  • 5篇散射
  • 5篇红外
  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 4篇喇曼散射
  • 4篇半导体
  • 3篇单晶
  • 3篇声子
  • 3篇退火
  • 3篇光谱
  • 3篇红外材料
  • 3篇分子束外延生...
  • 3篇CDTE
  • 2篇单晶片

机构

  • 27篇中国科学院
  • 3篇北京大学
  • 2篇复旦大学
  • 1篇中山大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 28篇袁诗鑫
  • 10篇李杰
  • 8篇彭中灵
  • 5篇乔怡敏
  • 4篇韩和相
  • 4篇于梅芳
  • 4篇郭世平
  • 4篇方维政
  • 4篇何力
  • 4篇沈学础
  • 3篇侯永田
  • 3篇王仍
  • 3篇戴宁
  • 3篇黄醒良
  • 3篇胡淑红
  • 3篇朱南昌
  • 3篇谢钦熙
  • 3篇张惠尔
  • 3篇张树霖
  • 3篇方晓明

传媒

  • 13篇红外与毫米波...
  • 7篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 1篇红外技术
  • 1篇应用科学学报

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 1篇2002
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 3篇1996
  • 3篇1995
  • 5篇1994
  • 8篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究
1993年
从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布、压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。
黄醒良方晓明沈学础袁诗鑫
关键词：熔焊红外探测器
(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究
1993年
(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm^(-1)。反映了在(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格中LO声子的局域效应。
李国华韩和相汪兆平李杰何力袁诗鑫
关键词：量子阱结构光致发光
MBE生长的p－Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率
1995年
本文报道了利用分子束外延技术在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ异质结，并通过ＶａｎｄｅｒＰａｕｗ（ＶｄＰ）方法测量Ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜在不同温度及磁场下Ｈａｌｌ系数和电导率，采用最小二乘法对实验数据下行拟合，得到了混合导电机制下电子、重空穴和轻空穴的迁移率及载流子浓度．
杜庆红何力袁诗鑫
关键词：MBE法电导率
分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格
1994年
提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅＭＢＥ生长的影响。
彭中灵袁诗鑫
关键词：分子束外延红外材料超晶格半导体
超晶格（CdTe－ZnTe）／ZnTe／GaAs（001）红外材料的X射线测定
1994年
用Ｘ射线衍射并结合Ｘ射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法，对简单和复杂两种结构的（ＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ）／ＺｎＴｅ／ＧａＡｓ（００１）应变超晶格材料的结构和完整性进行了研究，得到了它的结构参数．
钟福民陈京一朱南昌李杰袁诗鑫
关键词：X射线衍射红外材料
HgTe／CdTe超晶格的分子束外延生长和电容－电压谱研究被引量：1
1994年
在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构．报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果．研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ强反型区域的低频电容不能达到绝缘层电容，类似于普通ＭＩＳ器件的高频Ｃ—Ｖ曲线．
邱岳明刘坤袁诗鑫
关键词：超晶格分子束外延MIS系统
Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究被引量：2
1997年
利用同步辐射光电子能谱研究了Ｇｅ／ＺｎＳｅ（１００）极性界面的能带连接问题．表面灵敏的芯能级谱显示出Ｇｅ原子与Ｓｅ原子在界面处存在较弱的化学反应．利用芯能级技术，测量了该异质结的价带偏移，为１７６±０１ｅＶ．用界面键极性模型对ＺｎＳｅ（１００）极性表面对价带偏移的影响进行了讨论。
班大雁方容川杨风源袁诗鑫徐世宏徐彭涛
关键词：半导体异质结光电子能谱锗
ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究
2002年
测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的 .还观察到了激子在ZnSe0 .92 Te0 .0 8阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻 (CdSe) 1 (ZnSe) 3
方再利李国华韩和相丁琨陈晔彭中灵袁诗鑫
关键词：TE光致发光谱静压ZNSE硒化锌
(CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定
1993年
用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.
钟福民陈京一朱南昌李杰袁诗鑫
关键词：X射线衍射超晶格
CdTe—ZnTe超晶格及其改进型结构一级声子喇曼散射分析
1993年
本文通过对常规结构CdTe-ZnTe超晶格和新型结构[(CdTe)_2-(ZnTe)_1]×9-(CdTe)_(60)复合超晶格一级声子喇曼峰位置和线型实验上和理论上的综合比较分析,证明新型结构因减小了晶格失配而使超过临界厚度的ZnTe层结构完整性得到很大改善。分析中首次强调指出一级纵光学声子峰线型对该类超晶格结构分析的重要性。
劳浦东姚文华李杰袁诗鑫
关键词：CDTE-ZNTE超晶格喇曼散射
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