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C^+注入SiO_2薄膜的蓝光发射: 1997年; 自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工艺直接应用于光电器件中去,而且为介观系统新现象、新规律研究提供了一个理想的研究体系。; 赵俊杨根庆林梓鑫江炳尧周祖尧柳襄怀; 关键词：二氧化硅蓝光发射离子注入半导体

高sp^3键含量无氢非晶金刚石薄膜——出色的电子场发射材料被引量：2: 1999年; 采用真空磁过滤弧沉积的方法 ,制备了高sp3 键含量 ( >90 % )的无氢非晶金刚石薄膜 .研究表明 ,金刚石薄膜具有优异的电子场发射性能 .在电场强度为5V/μm时 ,可产生 5 .4μA的发射电流 .在一定的电场下 ,电流密度可达到几个mA/cm2 .在发射电流为 5 0 μA的情况下 ,薄膜连续工作数天 ,电流的偏差不超过5 % ,表现出电子发射的稳定性 .同时还观察到了大面积的电子发射现象 .由于薄膜微观表面非常平整 ,所以不存在场增强几何因子的作用 ,利用F N理论可计算得到其表面功函数不大于 0 .0 5eV .由于其非晶组织的均匀性 ,使其表面各个部位具有较为一致的功函数 ,因而造成薄膜均匀、稳定的电子发射 .; 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤李琼徐静芳; 关键词：金刚石薄膜显示器 CVD

叠加能量Si^+、N^+共注入SiO_2薄膜的光致发光: 1998年; 报道了用叠加能量Ｓｉ＋、Ｎ＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料。Ｓｉ＋、Ｎ＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠。样品退火后在紫外光激发下，可以观察到很强的紫外（～３４０ｎｍ）和紫色（～４２７ｎｍ）光致发光（ＰＬ）。还研究了光致发光激发（ＰＬＥ）谱并对发光机制进行了探讨。; 赵俊杨根庆丁星肇林梓鑫江炳尧江炳尧柳襄怀; 关键词：光致发光离子注入硅基发光材料

叠加能量C^+注入SiO_2薄膜的光致发光特性: 1997年; 首次采用叠加能量离子注入技术制备Ｃ＋注入ＳｉＯ２薄膜样品，室温下观测到很强的蓝光发射。通过测量样品的光致发光（ＰＬ）谱对退火条件的依赖关系，研究了样品的发光特性。对发光机制进行了初步探讨。; 赵俊杨根庆江炳尧林梓鑫周祖尧柳襄怀; 关键词：离子注入发光材料二氧化硅光致发光

界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响被引量：4: 1999年; 在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 .; 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤范忠周江云李琼徐静芳; 关键词：非晶金刚石薄膜

金刚石薄膜电子场发射研究进展被引量：4: 1998年; 综述了近年来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展。金刚石薄膜是出色的场发射材料,由于其很低的或者是负的电子亲和势(导带能级位于真空能级之上)和良好的化学稳定性,在真空微电子和场发射显示领域具有广阔的应用前景。; 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤周江云范忠李琼徐静芳; 关键词：金刚石

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赵俊