- 一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器
- 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成...
- 崔碧峰张松计伟陈京湘王晓玲苏道军
- 文献传递
- 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器
- 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、...
- 崔碧峰计伟陈京湘郭伟玲张松王晓玲
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- 一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法
- 一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。本发明意义在于在保证半导体激光器输出功率不变的情况下，提高光学灾变阈值，降低激光器退化速率，延长激光器使用寿命。此方法先在真空解理机中把半导...
- 崔碧峰陈京湘计伟郭伟玲
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- 一种具有腔面非注入区窗口结构的半导体激光器
- 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成...
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- 新型大功率LD非注入区窗口结构研究被引量：3
- 2014年
- 提出了一种基于腔面非注入区的新型窗口结构,通过腐蚀高掺杂欧姆接触层,在腔面附近引入电流非注入区,限制载流子注入腔面,减少载流子在腔面处的非辐射复合,提高了激光器腔面的光学灾变性损伤(COD)阈值。同时,引入脊型波导结构,降低了光束的水平发散角。采用该结构制作的器件在功率达到22W时仍未出现COD现象,而无腔面非注入区结构的器件输出功率达到18W时腔面发生COD。同时,采用该结构制作的器件在工作电流为12A时其光束的水平发散角约为10°,而常规电流非注入区结构的器件在相同的工作电流下其光束水平发散角约为15°。
- 张松刘素娟崔碧峰李建军计伟陈京湘王晓玲苏道军李佳莼
- 关键词：脊型波导发散角
- 高功率半导体激光器腔面镀膜的研究
- 高功率半导体激光器具有体积小，光电转换效率高，波长可选择，高可靠性等优点，已广泛用于通讯、光信息存储、材料加工、激光医疗等。由于高功率半导体激光器芯片材料独有的特性，其解理腔面易发生氧化，产生光吸收，吸收的光转化成热量，...
- 陈京湘
- 关键词：半导体激光器斜率效率腔面镀膜
- 一种改进压焊结构的半导体激光器
- 一种改进压焊结构的半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的外延片结构；且利用湿法腐蚀将外延片两侧腐蚀P型欧姆接触层到P型限制层...
- 崔碧峰计伟陈京湘郭伟玲张松王晓玲
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- 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器
- 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、...
- 崔碧峰计伟陈京湘郭伟玲张松王晓玲
- 离子辅助沉积电子束蒸发Si基SiO_2薄膜的研究被引量：1
- 2013年
- 研究了离子辅助沉积(IBAD)电子束蒸发和传统电子束蒸发两种镀膜方式在Si(100)面基底所镀SiO2光学薄膜的特性。特别是在离子辅助沉积下,分析了不同工艺条件改变对SiO2光学薄膜的光学特性的影响。结果表明,无论表面形貌、折射率均匀性,还是湿度稳定性,离子辅助电子束蒸发都优于传统电子束蒸发的SiO2光学薄膜,在离子辅助沉积条件下,薄膜折射率在40～160℃范围随衬底温度的升高而提高,镀膜时真空度为1.5×10-3 Pa、沉积速率为5nm/s、离子源驱动电压为285.4V、离子源辅助气体分压比PAr∶PO=1∶1时,SiO2光学薄膜的光学特性最好。
- 陈京湘崔碧峰丁颖计伟王晓玲张松凌小涵李佳莼马钰慧苏道军
- 关键词：光学薄膜电子束蒸发折射率
- 一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法
- 一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。本发明意义在于在保证半导体激光器输出功率不变的情况下，提高光学灾变阈值，降低激光器退化速率，延长激光器使用寿命。此方法先在真空解理机中把半导...
- 崔碧峰陈京湘计伟郭伟玲
