陈雷达
- 作品数：15 被引量：47H指数：5
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金辽宁省自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信更多>>
- 锡银铜锗无铅钎料
- 锡银铜锗无铅钎料，全世界还没有找到可以完全替代锡铅合金的封装钎料。但是已经公认，在众多锡银铜锗无铅钎料中，Sn－Ag－Cu系被认为最有可能成为Sn－Pb钎料的替代品之一。Sn－Ag－Cu钎料是Sn－Ag、Sn－Cu钎料的...
- 孟工戈杨拓宇陈雷达李财富王世珍
- 文献传递
- 锡铜锑无铅钎料
- 锡铜锑无铅钎料，在近20年的时间里，全世界还没有找到可以完全替代锡铅合金的封装钎料。但是已经公认，在众多无铅钎料中，Sn－Cu系合金已经开始用于波峰焊等电子封装的焊接制造工程当中。然而该合金熔点高于传统锡铅钎料，润湿性能...
- 孟工戈陈雷达李正平
- 文献传递
- 电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni-P倒装焊点界面反应的影响被引量：4
- 2012年
- 本文研究了150℃,1.0×10~4A/cm^2条件下电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni-P倒装焊点界面反应的影响.回流后在solder/Ni和solder/Ni-P的界面上均形成(Cu,Ni)_6Sn_5类型金属间化合物.时效过程中两端界面化合物都随时间延长而增厚,且化合物类型都由(Cu,Ni)_6Sn_5转变为(Ni,Cu)_3Sn_4.电迁移过程中电子的流动方向对Ni-P层的消耗起着决定性作用.当电子从基板端流向芯片端时,电迁移促进了Ni-P层的消耗,600 h后阴极端Ni-P层全部转变为Ni_2SnP层.阴极界面处由于Ni_2SnP层的存在,使界面Cu-Sn-Ni三元金属间化合物发生电迁移脱落溶解,而且由于Ni_2SnP层与Cu焊盘的结合力较差,在Ni_2SnP/Cu界面处会形成裂纹.当电子从芯片端流向基板端时,阳极端Ni-P层并没有发生明显的消耗.电流拥挤效应导致了阴极芯片端Ni层和Cu焊盘均发生了局部快速溶解,溶解到钎料中的Cu和Ni原子沿电子运动的方向往阳极运动并在钎料中形成了大量的化合物颗粒.电迁移过程中(Au,Pd,Ni)Sn_4的聚集具有方向性,即(Au,Pd,Ni)Sn_4因电流作用而在阳极界面处聚集.
- 黄明亮陈雷达周少明赵宁
- 关键词：电迁移无铅钎料
- Cu-Ni交互作用对Cu/Sn/Ni焊点液固界面反应的影响被引量：4
- 2013年
- 研究Cu/Sn/Ni焊点在250℃液固界面反应过程中Cu-Ni交互作用对界面反应的影响。结果表明:液固界面反应10 min后,Cu-Ni交互作用就已经发生,Sn/Cu及Sn/Ni界面金属间化合物(IMCs)由浸焊后的Cu6Sn5和Ni3Sn4均转变为(Cu,Ni)6Sn5,界面IMCs形貌也由扇贝状转变为短棒状。在随后的液固界面反应过程中,两界面IMCs均保持为(Cu,Ni)6Sn5类型,但随着反应的进行,界面IMC的形貌变得更加凸凹不平。Sn/Cu和Sn/Ni界面IMCs厚度均随液固界面反应时间的延长不断增加,界面IMCs生长指数分别为0.32和0.61。在液固界面反应初始阶段,Sn/Cu界面IMC的厚度大于Sn/Ni界面IMC的厚度;液固界面反应2 h后,由于Cu-Ni交互作用,Sn/Cu界面IMC的厚度要小于Sn/Ni界面IMC的厚度,并在液固界面反应6 h后分别达到15.78和23.44μm。
- 黄明亮陈雷达赵宁
- 关键词：CUSN金属间化合物
- 电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu焊点界面反应的影响被引量：6
- 2012年
- 研究了温度为150℃,电流密度为5.0×10~3A/cm^2的条件下电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu焊点界面反应的影响.回流焊后在Sn3.0Ag0.5Cu/Ni和Sn3.0Ag0.5Cu/Cu的界面上均形成了(Cu,Ni)_6Sn_5型化合物.时效过程中界面化合物随时效时间增加而增厚,时效800 h后两端的化合物并没有发生转变,仍为(Cu,Ni)_6Sn_5型.电流方向对Cu基板的消耗起着决定作用.当电子从基板端流向芯片端时,电流导致基板端Cu焊盘发生局部快速溶解,并导致裂纹在Sn3.0Ag0.5Cu/(Cu,Ni)_6Sn_5界面产生,溶解到钎料中的Cu原子在钎料中沿着电子运动的方向向阳极扩散,并与钎料中的Sn原子发生反应生成大量的Cu_6Sn_5化合物颗粒.当电子从芯片端流向基板端时,芯片端Ni UBM层没有发生明显的溶解,在靠近阳极界面处的钎料中有少量的Cu_6Sn_5化合物颗粒生成,电迁移800 h后焊点仍保持完好.电迁移过程中无论电子的运动方向如何,均促进了阳极界面处(Cu,Ni)_6Sn_5的生长,阳极界面IMC厚度明显大于阴极界面IMC的厚度.与Ni相比,当Cu作为阴极时焊点更容易在电迁移作用下失效.
- 黄明亮陈雷达周少明
- 关键词：电迁移金属间化合物
- Ge对SnAgCu／Cu钎焊接头抗剪强度与断口的影响被引量：4
- 2008年
- 在化学元素周期表中Ge元素与Sn元素相邻,同为第Ⅳ主族元素,物理与化学性能有许多近似。文中在无铅钎料Sn2.5Ag0.7Cu中添加少量Ge元素(0.25,0.5,0.75,1.0,质量分数,%),设计、焊接了剪切试样,测试了接头抗剪强度,并且对断口做了扫描电镜和能谱分析。结果表明,添加少量Ge元素以后,接头的抗剪强度有显著提高;接头的断裂形式主要是韧性断裂,并且大都有二次裂纹;添加Ge元素后在剪切断口表面形成很多韧窝;金属间化合物Cu6Sn5对韧窝的形成有一定的作用。
- 孟工戈李财富杨拓宇陈雷达
- 关键词：无铅钎料抗剪强度锗
- 电迁移对Ni/Sn/Ni-P焊点界面反应的影响被引量：2
- 2012年
- 研究了温度为150℃,电流密度为5.0×103A/cm2的条件下电迁移对Ni/Sn/Ni-P(Au)线性接头中界面反应的影响。结果表明电流方向对Ni-P层的消耗起着决定作用。当Ni-P层为阴极时,电迁移加速了Ni-P层的消耗,即随着电迁移时间的延长,Ni-P层的消耗显著增加;电迁移100h后Ni-P层消耗了5.88μm,电迁移200h后Ni-P层消耗了13.46μm。在Sn/Ni-P的界面上形成了一层Ni2SnP化合物而没有观察到Ni3Sn4化合物的存在,多孔状的Ni3P层位于Ni2SnP化合物与Ni-P层之间。当Ni-P层为阳极时,在电迁移过程中并没有发现Ni-P层的明显消耗,在Sn/Ni-P的界面处生成层状的NiSn化合物,其厚度随着电迁移时间的延长而缓慢增加,电迁移200h后NiSn层的厚度达到1.81μm。
- 陈雷达周少明黄明亮
- 关键词：电迁移NI-PNI金属间化合物
- 电迁移作用下无铅焊点中的交互作用及界面反应研究
- 电子产品不断向微型化方向发展,封装中焊点的尺寸则持续减小,这导致通过焊点的电流密度持续升高。当通过焊点的电流密度超过104A/cm2时,焊点中的元素扩散及界面反应都会受到电迁移的影响,因此电迁移作用下焊点中元素扩散及界面...
- 陈雷达
- 关键词：电迁移金属间化合物
- Ge对SnAgCu／Cu钎焊界面结构的影响被引量：7
- 2008年
- 化学元素周期表中Ge与Sn相邻,同为第Ⅳ主族元素,物理与化学性能近似。在无铅钎料Sn2.5Ag0.7Cu中添加少量Ge元素(质量分数分别为0.25%,0.5%,0.75%,1.0%),制作了钎焊界面。用扫描电子显微镜(SEM)对界面显微组织与形貌做了观察分析,用Auto CAD软件测量了金属间化合物(IMC)厚度,用能谱仪(EDX)分析了界面成分。结果表明,加入Ge元素后界面IMC的形貌仍为贝壳状,但该组织显示出长大趋势;经150℃/100 h老化后,界面变得更加平缓、整齐。钎料含Ge时,未老化界面IMC层厚度更大,经150℃/100 h老化后,IMC层增厚率要小。Ge元素的加入抑制老化过程中界面金属间化合物Cu6Sn5向Cu3Sn的转变和其自身的长大。
- 孟工戈杨拓宇陈雷达王世珍李财富
- 关键词：无铅钎料时效
- Sn-2.5Ag-0.7Cu-XGe钎料显微组织与熔化特性被引量：6
- 2007年
- 应用扫描电子显微镜和差式扫描量热仪研究了Sn-2.5Ag-0.7Cu-XGe系三个成分的无铅钎料。结果表明,该合金系的显微组织为鹅卵石状的初晶晶粒加上分散微细条状和小颗粒状的共晶组织。在钎料中添加0.5%或1.0%的Ge元素,显微组织的形貌没有改变,但其中的金属间化合物Ag3Sn和Cu6Sn5趋于细化,分布趋于均匀,Ag3Sn相从长条状向细小针状转变。加入Ge元素后合金的熔化开始、熔化峰值和熔化结束温度都有所降低。同时Ge元素的加入使熔化曲线的吸热峰宽度变窄,熔化结束部分变长,但对熔化温度区间的影响较小。
- 孟工戈杨拓宇陈雷达
- 关键词：无铅钎料显微组织熔化特性
