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魏希文

作品数：26 被引量：48H指数：4
供职机构：大连理工大学物理与光电工程学院物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇中文期刊文章

领域

  • 19篇电子电信
  • 6篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 6篇硅薄膜
  • 5篇纳米硅
  • 5篇晶体管
  • 5篇半导体
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇纳米硅薄膜
  • 4篇负阻
  • 4篇半导体材料
  • 3篇电路
  • 3篇禁带
  • 3篇禁带宽度
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 3篇负阻器件
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇多晶硅发射极
  • 2篇异质结
  • 2篇锗硅

机构

  • 26篇大连理工大学
  • 3篇北京大学
  • 3篇北京工业大学
  • 3篇北京航空航天...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇南京大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇山东师范大学
  • 1篇东北微电子研...

作者

  • 26篇魏希文
  • 12篇李建军
  • 8篇王美田
  • 5篇邹赫麟
  • 5篇何宇亮
  • 4篇万明芳
  • 3篇邹德恕
  • 3篇沈光地
  • 3篇陈建新
  • 3篇李雪梅
  • 3篇刘艳红
  • 2篇袁凯华
  • 2篇戎霭伦
  • 1篇卢学坤
  • 1篇张利春
  • 1篇李正孝
  • 1篇蒋最敏
  • 1篇许铭真
  • 1篇金星
  • 1篇余明斌

传媒

  • 10篇大连理工大学...
  • 4篇Journa...
  • 3篇半导体杂志
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇电子学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇微处理机
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 1篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 3篇1996
  • 6篇1995
  • 2篇1994
  • 3篇1992
  • 2篇1990
  • 1篇1989
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
纳米硅薄膜低温光致发光被引量：1
1998年
以高氢稀释硅烷为反应气源，用PECVD方法淀积了nc－Si：H薄膜。未经任何后处理过程，在低温77K下观察到光致发光，并对薄膜样品进行了Raman散射，红外吸收谱，氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc－Si：H薄膜低温光致发光的机理进行了讨论。
窦红飞李建军魏希文邹赫麟何宇亮刘明
关键词：纳米硅薄膜光致发光等离子体
双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析被引量：1
1997年
本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布．由此可以更清楚地了解器件的工作机理．此外还对不同结构、工艺参数的BNRD进行了模拟，总结出了器件结构、工艺参数对器件电学特性的影响关系．
张富斌李建军魏希文
关键词：负阻器件
DB—1型半导体材料禁带宽度测试装置
1990年
一、引言半导体技术的发展必须依赖于半导体材料的发展。禁带宽度是决定半导体材料特性的一个重要参数。该参数的测定在进一步研究半导体材料的能带结构、导电特性和加快半导体技术的发展等方面具有重要的意义。
王美田魏希文于有津
关键词：半导体材料DB禁带测试装置稳压精度弱信号检测
亚毫微秒速度高均匀性多元逻辑电路的研制
1992年
就如何同时实现多元逻辑电路中线性“与或”门的高速和高均匀性进行 了理论分析和实验验证。理论分析给出了平均延迟时间和均匀性的函数表达 式；指出在影响电路速度和均匀性的诸多因素中，复合晶体管的发射结面积 是一个关键因素，并依此进行了样品电路的优化设计和工艺制造。测试结果 表明，单门平均延迟时间为 ０．２２ ｎｓ，功耗延迟积为 ０．５５ ｐＪ．在输入一致条 件下（０～４ Ｖ），各单门电路之间输出不均匀性误差小于等于４ ｍＶ．
邹赫麟魏希文马平西
关键词：逻辑电路均匀性
一种新型超短脉冲离子源
1998年
介绍了一种新型超短脉冲离子源．把聚焦后的激光照射到不锈钢板上，产生超短脉冲的光发射电子束．在飞行时间质谱仪（ＴＯＦ－ＭＳ）上，利用这种电子束来轰击超音速射流气体，给出了这些气体离子的飞行时间质谱．这种离子源可作为飞行时间质谱仪的一种理想的“软电离”离子源．
王利李海洋白吉玲吕日昌王理德邢恒魏希文
关键词：飞行时间质谱仪超短脉冲
Ge_xSi_(1-x)合金基区异质结晶体管模拟器——GSHBT被引量：1
2000年
基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的 Gex Si1-x HBT的直流特性、频率特性和器件的内部图像。文中描述了 GSHBT的特点和使用方法 ,阐述了进行器件特性分析的数值方法 ,并给出了应用实例。
李建军魏希文沈光地陈建新邹德恕韩汝琦
关键词：锗硅合金模拟器异质结晶体管
纳米硅薄膜表面形貌分形特征的STM研究被引量：3
1995年
利用扫描隧道显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，简称ＳＴＭ）对纳米硅薄膜在纳米尺度上的表面微观形貌进行了研究，结合分形理论，计算出样品表面形貌的分形维数Ｄ，从而得出Ｄ与有关样品微结构参数之间的关系．ＳＴＭ结合图象处理和傅利叶分析法可以很好地研究薄膜材料表面形貌的分形特征．纳米硅薄膜的表面在纳米尺度上的微观形貌呈现出分形特征．
万明芳魏希文李建军邹赫麟袁凯华何宇亮
关键词：纳米硅薄膜表面形貌分形STM
MOS表面反型层少子时变效应研究被引量：1
2000年
为深入研究半导体表面过程 ,主要针对 Zerbst方程 ,用数值拟合法 ,给出脉冲电压作用下 MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解 ,进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式 ;分析了表面少子时变过程 ,为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具 .
刘艳红魏希文许铭真谭长华
关键词：少数载流子
纳米硅簿膜制备工艺的研究被引量：4
1995年
采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术，在超高真空系统中，使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体，利用Ｒ．Ｆ．＋Ｄ．Ｃ．双重功率源激励，通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜。根据对薄膜样品结构的测定及其制各工艺条件，分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响，从而使纳米硅簿膜的制备工艺趋于完善。
万明芳魏希文何宇亮
关键词：硅PECVD纳米硅
多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型
1995年
对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层，通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，但由于界面态的作用，当ｘ增加到一定值时增益的提高变缓。
李建军魏希文王美田李正孝王效平
关键词：晶体管多晶硅发射极
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