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黄寓洋

作品数:33 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金:国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 30篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 13篇电池
  • 13篇太阳能电池
  • 10篇晶格
  • 9篇太阳能
  • 8篇混沌
  • 8篇超晶格
  • 6篇噪声源
  • 6篇振荡
  • 6篇声源
  • 6篇晶体硅
  • 6篇晶体硅太阳能...
  • 6篇混沌振荡
  • 6篇硅太阳能电池
  • 4篇导体
  • 4篇电池效率
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体超晶格
  • 4篇薄膜太阳能电...
  • 4篇衬底
  • 3篇调制器

机构

  • 33篇中国科学院
  • 1篇贵州大学

作者

  • 33篇黄寓洋
  • 29篇张耀辉
  • 15篇李文
  • 14篇张宇翔
  • 13篇殷志珍
  • 12篇崔国新
  • 9篇冯成义
  • 6篇宋贺伦
  • 5篇杨晨
  • 4篇杨辉
  • 4篇陆书龙
  • 4篇董建荣
  • 3篇何巍
  • 2篇王秋阳
  • 2篇马文龙
  • 2篇吴德明
  • 2篇朱煜
  • 2篇季莲
  • 2篇杨辉
  • 1篇丁召

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 1篇应用光学

年份

  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 8篇2013
  • 9篇2012
  • 8篇2011
  • 2篇2010
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs/AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究被引量:2
2010年
研究了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)空间光调制器(SLM)在不同入射角度下的调制特性。对腔模位置与入射角度的关系进行了理论计算和实验验证,两者具有较好的一致性。当入射角在0°~75°之间变化时,腔模从871nm变化至845nm,可调节范围达26nm。当入射光从垂直入射变化为约45°入射时,SLM对比度从(CR)3.8提高到16.3,调制电压从9.5V下降至6.5V。理论分析和实验结果表明,入射角度调节能够有效提高GaAs/AlGaAs MQW SLM调制性能。
黄寓洋刘惠春Wasilewski Z RBuchanan MLaframboise S R杨晨崔国新边历峰杨辉张耀辉
一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法
本发明涉及一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造领域,这种制造方法,包括:使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触层、隧道结、多结p-n结结构、顶接触层的...
黄寓洋张耀辉殷志珍崔国新张宇翔冯成义李文
聚四氟乙烯清洗花篮改良结构
本实用新型涉及一种应用于半导体清洗工艺中的聚四氟乙烯清洗花篮改良结构,其包括把手和一个以上花篮本体,所述把手上设置一个以上卡槽,所述花篮本体的一侧部设置可与所述卡槽紧密插接配合的突出部。所述卡槽优选采用T型卡槽。所述花篮...
张宇翔黄寓洋崔国新殷志珍朱明皓李文许家明张耀辉
文献传递
一种多结叠层太阳能电池及其制作方法
本发明涉及一种多结叠层太阳能电池及其制作方法:包括一电池单元叠层体(A)以及分别位于该电池单元叠层体(A)顶部及底部的前电极(12)和背电极(13),所述电池单元叠层体(A)包括一个底层电池单元(11)以及至少一个层叠连...
何巍黄寓洋陆书龙董建荣杨辉
文献传递
LD多灰度数字驱动的非线性测量与校正系统被引量:1
2010年
在多灰度数字驱动中,P-N结伏安特性是造成LD数字输入编码与输出光功率间产生非线性关系的原因,为了避免非线性对实际应用的影响,设计了测量这两者关系的可编程系统。以此测量数据为基础,根据查表算法,系统还能对非线性进行校正。实验中,利用此系统对半导体垂直腔面发射激光器(VCSEL)的特性进行了测量,结果显示,系统能有效地对LD的输入编码与输出光功率之间的非线性关系进行校正,能实现对LD的256级线性驱动。
杨晨崔国新黄寓洋张耀辉杨辉
关键词:非线性校正
一种基于超晶格混沌同步的通讯系统
本发明涉及一种基于超晶格混沌同步的通讯系统,包括原始信息发生装置、第一混沌信号发生装置、调制装置、解调装置、第二混沌信号发生装置以及原始信息接收装置。第一混沌信号发生装置、第二混沌信号发生装置均为基于超晶格器件的混沌信号...
张耀辉李文吴德明马文龙王秋阳宋贺伦黄寓洋
文献传递
一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法,这种方法包括以下步骤:首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1),在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3),用芯片(4)作为掩膜,光刻出中央开口的图形;腐蚀形成...
黄寓洋崔国新殷志珍张宇翔冯成义张耀辉
文献传递
一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法
本发明提供一种背接触型晶体硅太阳能电池,包括硅基底(10)、n型或p型掺杂的多晶硅层(15),在所述n型或p型掺杂的多晶硅层(15)和硅基底(10)之间形成第一钝化层(11)。本发明还提供这种背接触型晶体硅太阳能电池的制...
张宇翔黄寓洋张耀辉
一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法
本发明涉及一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造领域,这种制造方法,包括:使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触层、隧道结、多结p-n结结构、顶接触层的...
黄寓洋张耀辉殷志珍崔国新张宇翔冯成义李文
文献传递
一种多结叠层太阳能电池及其制作方法
本发明涉及一种多结叠层太阳能电池及其制作方法:包括一电池单元叠层体(A)以及分别位于该电池单元叠层体(A)顶部及底部的前电极(12)和背电极(13),所述电池单元叠层体(A)包括一个底层电池单元(11)以及至少一个层叠连...
何巍黄寓洋陆书龙董建荣杨辉
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