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史辉琨

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇等离子刻蚀
  • 3篇电控制器
  • 3篇淀积
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇多晶硅薄膜
  • 3篇多晶硅薄膜晶...
  • 3篇气相淀积
  • 3篇注入机
  • 3篇离子刻蚀
  • 3篇离子注入
  • 3篇离子注入机
  • 3篇晶体管
  • 3篇刻蚀
  • 3篇化学气相淀积
  • 3篇机械泵
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管

机构

  • 3篇中国科学院长...

作者

  • 3篇付国柱
  • 3篇史辉琨
  • 3篇邵喜斌
  • 3篇高文涛
  • 3篇廖燕平
  • 3篇荆海

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
离子注入机
本发明属于半导体器件制作技术领域，是一种多晶硅薄膜晶体管离子注入机。本发明包含有真空室，抽气装置，气路部分，电控制器。本发明的气路部分通过配气截止阀同真空室连接，向真空室运送所要注入的气体。抽气装置通过角阀和闸板阀同真空...
付国柱邵喜斌荆海廖燕平高文涛史辉琨
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多晶硅薄膜晶体管离子注入机
本实用新型属于半导体器件制作技术领域，是一种多晶硅薄膜晶体管离子注入机。本实用新型包含有真空室，抽气装置，气路部分，电控制器。本实用新型的气路部分通过配气截止阀同真空室连接，向真空室运送所要注入的气体。抽气装置通过角阀和...
付国柱邵喜斌荆海廖燕平高文涛史辉琨
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离子注入机
本发明属于半导体器件制作技术领域，是一种多晶硅薄膜晶体管离子注入机。本发明包含有真空室，抽气装置，气路部分，电控制器。本发明的气路部分通过配气截止阀同真空室连接，向真空室运送所要注入的气体。抽气装置通过角阀和闸板阀同真空...
付国柱邵喜斌荆海廖燕平高文涛史辉琨
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