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宋三年

作品数：112 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金宁波市自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 104篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇自动化与计算...
  • 7篇金属学及工艺
  • 5篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 70篇存储器
  • 61篇相变材料
  • 53篇相变
  • 51篇相变存储
  • 49篇相变存储器
  • 21篇存储器单元
  • 17篇电阻
  • 16篇功耗
  • 11篇碲
  • 10篇低功耗
  • 10篇温度
  • 10篇结晶温度
  • 10篇复合相变
  • 10篇编程
  • 10篇编程过程
  • 9篇电极
  • 9篇开关比
  • 8篇选通
  • 8篇热稳定
  • 8篇热稳定性

机构

  • 112篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇东华大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇宁波大学
  • 1篇南阳师范学院
  • 1篇江苏理工学院

作者

  • 112篇宋三年
  • 111篇宋志棠
  • 28篇刘波
  • 22篇吴良才
  • 20篇饶峰
  • 19篇封松林
  • 17篇吕业刚
  • 13篇张中华
  • 11篇朱敏
  • 6篇彭程
  • 6篇李喜
  • 6篇顾怡峰
  • 6篇陈邦明
  • 5篇陈小刚
  • 5篇陈后鹏
  • 5篇王青
  • 5篇夏洋洋
  • 4篇周夕淋
  • 4篇任堃
  • 3篇刘卫丽

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇东华大学学报...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 3篇2024
  • 4篇2023
  • 8篇2022
  • 5篇2021
  • 12篇2020
  • 7篇2019
  • 8篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 11篇2015
  • 7篇2014
  • 11篇2013
  • 9篇2012
  • 9篇2011
  • 7篇2010
  • 2篇2009
共 112 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种双电源优先级选择电路
本发明涉及一种双电源优先级选择电路，包括：双电源上电复位合成电路，用于监测双电源的状况，并根据所述双电源的状况产生上电复位信号和合成输出信号，包括两个输入端和两个输出端，两个输入端分别与双电源的两个电源端相连，两个输出端...
陈致志胡辰凯李喜宋三年宋志棠
一种纳米复合相变材料及其制备与应用
本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种纳米复合相变薄膜及其制备与应用。本发明的纳米复合相变材料用HfO<Sub>2</Sub>与相变材料复合而成，其中，HfO<Sub>2</Sub>的重量百分比为12－36％，相变材料的...
宋三年宋志棠封松林
文献传递
钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法
本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：沉积Ti前驱体，所述Ti前驱体包括(R<Sup>1</Sup>)<Sub>4</Sub>Ti、(R<Sup>1</Sup>R<Sup>2</Sup>...
宋三年宋志棠张中华顾怡峰
文献传递
纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途
本发明提供一种纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途，其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为8-36％的Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>、和重量百分比为64-92％的相变材料，由于...
宋三年宋志棠
文献传递
用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料是一种锡、锗、碲三种元素组成的材料，其通式为Sn<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>Te<Sub>z</Sub>，其中0＜x...
张中华宋三年宋志棠彭程吕业刚
文献传递
复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法
本发明揭示了一种复合相变存储材料及其制备方法，所述复合相变存储材料由氮化物和相变材料复合而成，该复合相变存储材料能够在外部的能量作用下实现可逆的相变和可逆的电阻值转换；在所述复合相变存储材料内，氮化物和相变材料互相分散，...
宋志棠张挺饶峰吴良才宋三年
一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法
本发明涉及一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法。该变存储材料包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层。该相变存储器包括底电极层、界面相变存储材料、顶电极层。本发明通过在相变材料...
周夕淋朱栩旭宋志棠宋三年
相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法
本发明提供一种相变存储材料及其制备方法、具有所述相变存储材料的存储器及其制备方法，其中所述相变存储材料为镓-锑的化合物，化学计量为Ga<Sub>x</Sub>Sb<Sub>100-x</Sub>，其中，0&lt;x&lt...
吕业刚宋三年宋志棠
一种相变材料、相变存储单元及其制备方法
本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法，其中，相变材料包括铒元素、锑元素及碲元素，所述相变材料的化学式为Er<Sub>x</Sub>Sb<Sub>y</Sub>Te<Sub>z</Sub>，其中，x、y、z均指...
宋文雄赵进宋志棠宋三年
文献传递
一种阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法
本发明涉及一种阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述阈值开关材料的化学通式为Ge<Sub>x</Sub>As<Sub>y</Sub>In<Sub>z</Sub>Se<Sub>(100‑x‑y‑z)</Sub>，...
袁祯晖宋三年宋志棠李小丹吴青玉
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