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廖庆亮
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186
被引量:124
H指数:7
供职机构:
北京科技大学
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国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
一般工业技术
自动化与计算机技术
金属学及工艺
理学
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合作作者
张跃
北京科技大学材料科学与工程学院...
赵璇
北京科技大学
黄运华
北京科技大学材料科学与工程学院...
张铮
北京科技大学材料科学与工程学院
齐俊杰
北京科技大学材料科学与工程学院...
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2006
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一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法
本发明属于真空电子技术和新型碳材料技术的交叉领域,具体涉及一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法。场发射冷阴极由基片和发射体组成,基片作为导电基底为硅片或者金属片,发射体为石墨烯薄膜层。石墨烯薄膜层与基底紧密接触,厚度为20...
张跃
王钦玉
廖庆亮
张铮
康卓
文献传递
卤素掺杂对钙钛矿薄膜性能的影响
钙钛矿太阳能电池是太阳能光伏器件研究的新热点。钙钛矿材料具有优异的光学和电学性能,其光电转化效率由2009年的3.8%迅速发展到20%以上,短短几年时间其效率已超越了有机太阳能电池和染料敏化太阳能电池[1,2,3]。钙钛...
司浩楠
李明华
朱文丽
郭艳
闫小琴
廖庆亮
张跃
关键词:
卤素
掺杂
稳定性
文献传递
离子插层的人工突触器件及其制备方法
本发明公开了一种离子插层的人工突触器件及其制备方法,涉及类脑器件的技术领域,本发明旨在提出一种能耗更低的人工突触器件的技术方案。本发明包括顺次设置的顶电极、供离子层、阻变层以及底电极,所述阻变层为离子插层的Nb<Sub>...
张跃
苏兆洋
廖庆亮
赵璇
荀晓晨
刘菁筱
宣景悦
张珂语
一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法
本发明一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法。该高质量钙钛矿材料在制备过程中引入铵盐添加剂;所述添加剂可引入到钙钛矿前驱体溶液中或反溶剂中;该种钙钛矿材料结构式为AMX<Sub>3</Sub>,其中A为有机阳离子,...
张跃
司浩楠
康卓
廖庆亮
文献传递
高离子迁移率的Nb<Sub>2</Sub>C导电材料的制备方法
本发明公开了一种高离子迁移率的Nb<Sub>2</Sub>C导电材料的制备方法,涉及类脑半导体的技术领域,本发明旨在提出一种降低MXene材料的离子迁移能壁垒的方案。本发明在制备MXene材料的过程中融合了离子插层技术,...
张跃
苏兆洋
廖庆亮
赵璇
荀晓晨
刘菁筱
宣景悦
张珂语
一种复合电磁波吸收材料及制备方法
本发明公开了一种复合电磁波吸收材料及制备方法,属于电磁波吸收材料制备领域。该方法包括以下步骤:取Na<Sub>3</Sub>VO<Sub>4</Sub>和硫代乙酰胺试剂以及氧化石墨烯GO粉末;在GO粉末中加去离子水,超声...
张跃
李琪
廖庆亮
漆露平
丁一
文献传递
一种模板热压制备维纳结构表面形貌的方法
本发明涉及纳米技术领域,提供了一种模板热压制备维纳结构表面形貌的方法,包括:一、预处理:对固定基板、压印模板,基底薄膜材料进行清洗;二、组装:将压印模板和基底薄膜材料紧密贴合并使用上下固定基板固定,形成薄膜层‑‑模板层层...
张跃
杨闻帅
马明园
廖庆亮
陈步航
徐肖慧
何奕霖
文献传递
二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件
本发明公开了一种二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件,涉及二维MXene薄膜的技术领域,本发明旨在解决类脑半导体器件中二维MXene薄膜存在离子容量小,电学性能难以调控的问题。本发明中将氧族元素端基...
张跃
刘亮
廖庆亮
赵璇
苏兆洋
一种锡掺杂氧化锌纳米线的制备方法
一种锡掺杂氧化锌纳米线的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。工艺为:将硅(100)基片用清洗剂冲洗干净,作为沉积基片;将ZnO粉、SnO粉和C粉按一定的摩尔比充分混合均匀,混粉工艺可利用球磨的方法,并将混合粉末作为反应源...
张跃
陈红升
齐俊杰
黄运华
张晓梅
廖庆亮
文献传递
钴纳米颗粒与还原氧化石墨烯电磁波吸收材料制备方法
本发明提供一种钴纳米颗粒与还原氧化石墨烯电磁波吸收材料制备方法,属于电磁波吸收材料制备技术领域。该方法用硫酸钴作为钴源或者前驱体,硼氢化钠作为还原剂并且以氨水作为沉淀剂。采用滴定还原的湿化学法,得到磁性金属钴纳米颗粒。然...
张跃
李琪
廖庆亮
漆露平
丁一
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