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张娜

作品数:39 被引量:7H指数:1
供职机构:西安空间无线电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 37篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 21篇二次电子
  • 17篇电子发射
  • 17篇二次电子发射
  • 16篇微波部件
  • 9篇微放电
  • 9篇金属
  • 7篇无源互调
  • 7篇互调
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  • 5篇天线
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  • 4篇网状反射面天...
  • 4篇面天线
  • 4篇金属表面
  • 4篇金属材料
  • 4篇反射面
  • 4篇反射面天线
  • 3篇电磁场
  • 3篇电流

机构

  • 39篇西安空间无线...

作者

  • 39篇崔万照
  • 39篇张娜
  • 30篇王瑞
  • 15篇胡天存
  • 12篇王新波
  • 12篇李韵
  • 8篇白鹤
  • 7篇杨晶
  • 4篇曹猛
  • 4篇李军
  • 4篇张洪太
  • 4篇白春江
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  • 2篇贺永宁
  • 2篇林舒
  • 2篇张剑锋
  • 2篇李永东
  • 2篇叶鸣
  • 2篇张海波
  • 2篇魏焕

传媒

  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇2011年全...

年份

  • 6篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 6篇2015
  • 4篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
39 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纯银材料的二次电子发射能谱研究被引量:7
2014年
超高真空测试设备配备的能量分析仪可分析材料表面发射的二次电子能谱,区分真正的二次电子和背散射电子,并通过对能谱积分求得真二次电子系数。本文以纯净银箔材料为例,将电流法测试的二次电子系数(SEY)与能谱分析结果进行对比,误差不超过6%,验证了电流法测试的正确性,并且分析了误差产生的原因。
杨晶崔万照胡天存张娜
关键词:二次电子二次电子发射能谱
测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置
一种测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置,涉及物理电子学领域;方法包括:步骤1,将待测样品放入真空腔体内的样品台;收集部分为四分之一球壳的电子收集装置位于上半空间;步骤2,旋转样品台,使待测样品倾斜所需测试角度...
张娜王瑞崔万照张洪太
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一种确定粗糙金属表面二次电子发射特性的方法
本发明涉及一种确定粗糙金属表面二次电子发射特性的方法,该方法给出了判断电子是否入射到材料内部的方法,并利用该方法判断电子从材料内部出射后,是否再次入射,从而充分考虑了电子与粗糙金属表面的多次相互作用,并通过对大量电子的统...
张娜曹猛张海波崔万照
文献传递
一种确定同轴结构微放电阈值的方法
一种确定同轴结构微放电阈值的方法,确定同轴结构中的电子运动轨迹及电子运动速度;将出射速度满足的麦克斯韦分布的概率转化为渡越时间的联合概率密度函数;分别对四类概率密度函数进行最大值和单调性处理,得到处理后的联合概率密度函数...
张娜崔万照林舒李永东
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一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法
一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法,包括:测试微波部件不同表面处理的二次电子产额数据;根据测试的二次电子产额数据拟合出入射电子能量下的二次电子产额曲线;根据入射电子能量与二次电子产额关系计算不同入射电子能量的...
张娜王瑞崔万照陈泽煜
测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法
一种测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法,其中装置包括收集极、两只电流表和电子枪;收集极为两层且开口朝下的结构,结构顶部开有预留孔;样品的上表面置于收集极内部且位于预留孔的正下方,电子枪通过预留孔将入射电子...
王新波苗光辉张恒崔万照谢桂柏杨晶李韵王瑞张娜孙勤奋
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无源互调技术研究现状及发展趋势
文章简要介绍了无源互调的概念,重点从无源互调机理、数值模拟、低无源互调设计以及无源互调测试与诊断技术四个方面阐述了近年来的无源互调领域的研究进展,并对无源互调技术的发展趋势进行了总结。
王新波崔万照胡天存张娜王瑞
关键词:无源互调
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一种确定窄间隙低气压放电电压的方法及系统
本发明涉及一种确定窄间隙低气压放电电压的方法及系统,综合考虑在窄间隙条件下,二次电子发射电流与场发射电流同时存在且共同作用的特点,修正了传统帕邢定理。同时考虑了窄间隙时,针‑板结构放电多路径效应,优化得到最终的窄间隙低气...
王瑞张娜崔万照陈泽煜魏焕白鹤
一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法
一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法,步骤为:(1)设定入射电子的初始状态;(2)改变入射电子的初始能量,统计不同入射能量下的出射电子数目,获得金属表面的二次电子发射系数;(3)由金属表面微观形貌得到金属表面陷...
王瑞崔万照张娜叶鸣贺永宁
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一种确定气体吸附状态下的二次电子发射特性的方法
本发明涉及一种确定气体吸附状态下的二次电子发射特性的方法,基于现有的电子入射到理想表面在材料内部的散射过程和电子的轨迹追踪过程,加入了功函数的变化和电子与吸附气体的各种散射过程,根据电子运动到不同的位置,例如电子处于气体...
张娜崔万照张洪太王瑞曹猛
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共4页<1234>
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